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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 235W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB33N25TM
  仓库库存编号：FDB33N25TMCT-ND
  别名：FDB33N25TMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 6VWM 20VC 8SOIC
  
  型号：CDNBS08-PLC03-6
  仓库库存编号：CDNBS08-PLC03-6CT-ND
  别名：CDNBS08-PLC03-6CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
  详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V, 80V 3.4A, 2.6A 2.5W Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
  
  型号：FDMQ8203
  仓库库存编号：FDMQ8203CT-ND
  别名：FDMQ8203CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 60V 29A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），108A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） Dual Cool?56
  
  型号：FDMS86500DC
  仓库库存编号：FDMS86500DCFSCT-ND
  别名：FDMS86500DCFSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 5VWM 11VC 8SO
  
  型号：SMDA05-6E3/TR7
  仓库库存编号：SMDA05-6E3/TR7CT-ND
  别名：SMDA05-6E3/TR7CT
  SMDA05-6MS
  SMDA05-6MS-ND
  SMDA05-6MSCT
  SMDA05-6MSCT-ND
  SMDA05-6MSCTL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 5VWM 11VC 8SO
  
  型号：SMDA05-6E3/TR7
  仓库库存编号：SMDA05-6E3/TR7DKR-ND
  别名：SMDA05-6E3/TR7DKR
  SMDA05-6E3MSDKR
  SMDA05-6E3MSDKR-ND
  SMDA056E3TR7
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Tc） 3.13W（Ta），158W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB5N90TM
  仓库库存编号：FQB5N90TMCT-ND
  别名：FQB5N90TMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR470DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR470DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR470DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 19A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），80A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86300
  仓库库存编号：FDMS86300CT-ND
  别名：FDMS86300CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR826DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR826DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR826DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 2.8A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta），14A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS2734
  仓库库存编号：FDMS2734CT-ND
  别名：FDMS2734CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  DUAL LOW SIDE MOSFET DRIVER
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：IXDN602SIA
  仓库库存编号：CLA340-ND
  别名：CLA340
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7790DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7790DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7790DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TVS DIODE 2.8VWM 15VC 8SOIC
  
  型号：SLVU2.8-8A1
  仓库库存编号：497-10116-1-ND
  别名：497-10116-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Tc） 357W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB52N20TM
  仓库库存编号：FDB52N20TMCT-ND
  别名：FDB52N20TMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 100V 16A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），60A（Tc） 2.7W（Ta），156W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86150
  仓库库存编号：FDMS86150CT-ND
  别名：FDMS86150CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 115W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB10NK60ZT4
  仓库库存编号：497-6544-1-ND
  别名：497-6544-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 13A, 26A 800mW, 900mW Surface Mount Powerclip-33
  
  型号：FDPC8012S
  仓库库存编号：FDPC8012SCT-ND
  别名：FDPC8012SCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 15VWM 24VC 8SO
  
  型号：SMDA15CE3/TR7
  仓库库存编号：SMDA15CE3/TR7CT-ND
  别名：SMDA15CMS
  SMDA15CMS-ND
  SMDA15CMSCT
  SMDA15CMSCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP4NK80Z
  仓库库存编号：497-3192-5-ND
  别名：497-3192-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 60A 46W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7234DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7234DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7234DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD18509Q5BT
  仓库库存编号：296-37962-1-ND
  别名：296-37962-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF840PBF
  仓库库存编号：IRF840PBF-ND
  别名：*IRF840PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF640PBF
  仓库库存编号：IRF640PBF-ND
  别名：*IRF640PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 2A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF2N95K5
  仓库库存编号：497-14271-5-ND
  别名：497-14271-5
  STF2N95K5-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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