以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7174DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7174DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7174DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7192DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7192DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7192DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 33A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 37W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF33N25T
  仓库库存编号：FDPF33N25T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 140A PWRFLAT5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 140A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL140N4LLF5
  仓库库存编号：497-10879-1-ND
  别名：497-10879-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 13A, 27A 800mW, 900mW Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
  
  型号：FDPC8011S
  仓库库存编号：FDPC8011SFSCT-ND
  别名：FDPC8011SFSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 1000V 4A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 4A Through Hole GBU
  
  型号：GBU410
  仓库库存编号：GBU410DI-ND
  别名：GBU410DI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF740PBF
  仓库库存编号：IRF740PBF-ND
  别名：*IRF740PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 307W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB44N25TM
  仓库库存编号：FDB44N25TMCT-ND
  别名：FDB44N25TMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 1000V 25A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 25A Through Hole GBU
  
  型号：GBU2510-G
  仓库库存编号：641-1374-5-ND
  别名：641-1374-5
  GBU2510G
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL640A
  仓库库存编号：IRL640A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD16570Q5BT
  仓库库存编号：296-38335-1-ND
  别名：296-38335-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Ta），60A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） Dual Cool?56
  
  型号：FDMS86101DC
  仓库库存编号：FDMS86101DCCT-ND
  别名：FDMS86101DCCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Intersil
  IC DRIVER HALF BRDG 100V 8-SOIC
  详细描述：Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：HIP2100IBZT
  仓库库存编号：HIP2100IBZTCT-ND
  别名：HIP2100IBZTCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Intersil
  IC DRIVER HALF BRDG 100V 8EPSOIC
  详细描述：Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
  
  型号：HIP2101EIBZT
  仓库库存编号：HIP2101EIBZTCT-ND
  别名：HIP2101EIBZTCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS Integrated Circuits Division
  IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：IXDD609SIA
  仓库库存编号：CLA358-ND
  别名：CLA358
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 1000V 8A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 8A Through Hole GBU
  
  型号：GBU810
  仓库库存编号：GBU810DI-ND
  别名：GBU810DI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 800V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD8N80K5
  仓库库存编号：497-13643-1-ND
  别名：497-13643-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS Integrated Circuits Division
  IC GATE DVR 4A DUAL NONINV 8SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：IXDN604SIA
  仓库库存编号：CLA337-ND
  别名：CLA337
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  IC VREF SERIES 3V SOT5
  详细描述：系列 电压基准 IC ±0.1% 20mA SOT-23-5
  
  型号：REF1930AIDDCT
  仓库库存编号：296-38443-1-ND
  别名：296-38443-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 8-MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），45A（Tc） 2.7W（Ta），113W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86255
  仓库库存编号：FDMS86255CT-ND
  别名：FDMS86255CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD7N80K5
  仓库库存编号：497-13642-1-ND
  别名：497-13642-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7439DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7439DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7439DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7431DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7431DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7431DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7431DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7431DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7431DP-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 20A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP240PBF
  仓库库存编号：IRFP240PBF-ND
  别名：*IRFP240PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索