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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF16N50T
  仓库库存编号：FDPF16N50T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOD BRIDGE 1PH 8A D-72
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 8A Through Hole D-72
  
  型号：VS-KBPC802PBF
  仓库库存编号：VS-KBPC802PBFGI-ND
  别名：VS-KBPC802PBF-ND
  VS-KBPC802PBFGI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 500V 2.7A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 2.7A（Tc） 85W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP3P50
  仓库库存编号：FQP3P50-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 30A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP30NF20
  仓库库存编号：497-5825-5-ND
  别名：497-5825-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 12A 100V GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 12A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC1201W
  仓库库存编号：GBPC1201W-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 35A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB45N50DM2AG
  仓库库存编号：497-16134-1-ND
  别名：497-16134-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 150V 44A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 44A（Tc） 298W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA44P15TTRL
  仓库库存编号：IXTA44P15TTRLCT-ND
  别名：IXTA44P15TTRLCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 600V 35A PWR BRIDGE
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 35A Through Hole isoCINK+? PB
  
  型号：PB3506-E3/45
  仓库库存编号：PB3506-E3/45GI-ND
  别名：PB3506-E3/45-ND
  PB3506-E3/45GI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1000V 35A PB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A Through Hole isoCINK+? PB
  
  型号：PB3510-E3/45
  仓库库存编号：PB3510-E3/45GI-ND
  别名：PB3510-E3/45GI
  PB3510E345
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 44A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF44N25T
  仓库库存编号：FDPF44N25T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 10A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA10P50PTRL
  仓库库存编号：IXTA10P50PTRLCT-ND
  别名：IXTA10P50PTRLCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
  
  型号：IXDN609SI
  仓库库存编号：CLA364-ND
  别名：CLA364
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
  
  型号：IXDD609SI
  仓库库存编号：CLA363-ND
  别名：CLA363
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 600V 35A GBPCW
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 35A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC3506W-G
  仓库库存编号：641-1384-ND
  别名：641-1384
  GBPC3506WG
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 1000V 35A GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC3510-G
  仓库库存编号：641-1380-ND
  别名：641-1380
  GBPC3510G
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 35A 400V GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 35A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC3504W
  仓库库存编号：GBPC3504WFS-ND
  别名：GBPC3504W-ND
  GBPC3504WFS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 51A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 51A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF51N25
  仓库库存编号：FDPF51N25-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  IC GATE DVR 4A INV 8-SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC-EP
  
  型号：IXDI604SI
  仓库库存编号：CLA361-ND
  别名：CLA361
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  IC GATE DVR 4A DUAL ENABLE 8SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
  
  型号：IXDD604SI
  仓库库存编号：CLA332-ND
  别名：CLA332
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  IC GATE DVR 4A DUAL NONINV 8SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
  
  型号：IXDN604SI
  仓库库存编号：CLA336-ND
  别名：CLA336
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  BRIDGE RECTIFIER GPP 35A GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC3510
  仓库库存编号：GBPC3510-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA38N30
  仓库库存编号：FDA38N30-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 20A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG20N50C-E3
  仓库库存编号：SIHG20N50C-E3-ND
  别名：SIHG20N50CE3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1050V 4A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF7N105K5
  仓库库存编号：497-15271-5-ND
  别名：497-15271-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP11N60F
  仓库库存编号：FCP11N60FFS-ND
  别名：FCP11N60F-ND
  FCP11N60FFS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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