规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(44917)
集成电路(IC)
(1205)
电路保护
(19090)
分立半导体产品
(24622)
筛选品牌
Global Power Technologies Group (163)
Linear Technology (280)
Trinamic Motion Control GmbH (4)
Vicor Corporation (1)
Comchip Technology (2323)
Infineon Technologies (2829)
NXP USA Inc. (161)
Powerex Inc. (2)
Central Semiconductor Corp (48)
Diodes Incorporated (3195)
IXYS (2229)
Sanken (2)
Semtech Corporation (77)
TT Electronics/Optek Technology (6)
Apex Microtechnology (6)
Intersil (62)
Nexperia USA Inc. (326)
Toshiba Semiconductor and Storage (11)
Cree/Wolfspeed (23)
AVX Corporation (34)
SMC Diode Solutions (646)
STMicroelectronics (1432)
Taiwan Semiconductor Corporation (4313)
Transphorm (11)
IXYS Integrated Circuits Division (106)
Littelfuse Inc. (1918)
Microsemi Corporation (5184)
Rohm Semiconductor (75)
Texas Instruments (544)
Bourns Inc. (1232)
GeneSiC Semiconductor (248)
Fairchild/Micross Components (3)
Fairchild/ON Semiconductor (3991)
ON Semiconductor (2684)
Renesas Electronics America (1)
Vishay Semiconductor Diodes Division (5841)
Vishay Siliconix (3267)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (977)
Analog Devices Inc. (8)
Microchip Technology (200)
Micro Commercial Co (439)
Panasonic Electronic Components (14)
Vishay Semiconductor Opto Division (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tj) 568W(Tc) TO-268
型号:
IXTT2N170D2
仓库库存编号:
IXTT2N170D2-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 1135W(Tc) TO-264
型号:
APT37M100L
仓库库存编号:
APT37M100L-ND
别名:APT37M100LMI
APT37M100LMI-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1700V 80A 360W TO247
详细描述:IGBT 1700V 80A 360W Through Hole TO-247AD (IXBH)
型号:
IXBH42N170
仓库库存编号:
IXBH42N170-ND
别名:Q1157068
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 130A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 130A(Tc) 900W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN160N30T
仓库库存编号:
IXFN160N30T-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 1250W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB60N80P
仓库库存编号:
IXFB60N80P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Tc) 113W(Tc) TO-268
型号:
IXTT02N450HV
仓库库存编号:
IXTT02N450HV-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 55A(Tc) 625W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK55N50
仓库库存编号:
IXFK55N50-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 44A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN44N50
仓库库存编号:
IXFN44N50-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 48A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN48N50
仓库库存编号:
IXFN48N50-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 150A(Tc) 1560W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB150N65X2
仓库库存编号:
IXFB150N65X2-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 90A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 960W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK90N25L2
仓库库存编号:
IXTK90N25L2-ND
别名:622089
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Analog Devices Inc.
TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Matched Pair 45V 25mA 450MHz 500mW Through Hole TO-78-6
型号:
MAT01AHZ
仓库库存编号:
MAT01AHZ-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 100V 170A SOT227
详细描述:底座安装 P 沟道 170A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN170P10P
仓库库存编号:
IXTN170P10P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 200A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN200N07
仓库库存编号:
IXFN200N07-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
详细描述:IGBT PT 1200V 100A 1042W Through Hole
型号:
APT75GP120B2G
仓库库存编号:
APT75GP120B2G-ND
别名:APT75GP120B2GMI
APT75GP120B2GMI-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX90N25L2
仓库库存编号:
IXTX90N25L2-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 960W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK60N50L2
仓库库存编号:
IXTK60N50L2-ND
别名:622124
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 200A(Tc) 1040W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK200N10L2
仓库库存编号:
IXTK200N10L2-ND
别名:Q7017004
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 180A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN180N10
仓库库存编号:
IXFN180N10-ND
别名:479462
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 90A(Tc) 1500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN110N60P3
仓库库存编号:
IXFN110N60P3-ND
别名:625715
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Linear Technology
IC REG CTRLR BUCK-BOOST 38TSSOP
详细描述:Buck-Boost Regulator Positive Output Step-Up/Step-Down DC-DC Controller IC 38-TSSOP
型号:
LT8705MPFE#PBF
仓库库存编号:
LT8705MPFE#PBF-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 72A(Tc) 1040W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN82N60P
仓库库存编号:
IXFN82N60P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Transphorm
GAN FET 650V 50A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 178W(Tc) TO-247
型号:
TPH3207WS
仓库库存编号:
TPH3207WS-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Micro Commercial Co
TVS DIODE 430VWM 625VC AXIAL
型号:
AK3-430C-BP
仓库库存编号:
AK3-430C-BPMS-ND
别名:AK3-430C-BPMS
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IGBT 3600V 70A TO-247HV
详细描述:IGBT 3600V 70A 430W Through Hole TO-247HV
型号:
IXBH20N360HV
仓库库存编号:
IXBH20N360HV-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号