规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(24943)
分立半导体产品
(10623)
集成电路(IC)
(5)
电路保护
(14315)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (338)
Bourns Inc. (25)
Comchip Technology (24)
Diodes Incorporated (398)
GeneSiC Semiconductor (5)
Global Power Technologies Group (10)
Infineon Technologies (3085)
IXYS (555)
Littelfuse Inc. (3215)
M/A-Com Technology Solutions (15)
Micro Commercial Co (823)
Microsemi Corporation (1792)
Nexperia USA Inc. (712)
NXP USA Inc. (277)
Fairchild/ON Semiconductor (1127)
ON Semiconductor (910)
Skyworks Solutions Inc. (17)
SMC Diode Solutions (74)
STMicroelectronics (826)
Taiwan Semiconductor Corporation (5795)
Texas Instruments (32)
Toshiba Semiconductor and Storage (1)
Transphorm (9)
Vishay Semiconductor Diodes Division (4059)
Vishay Siliconix (819)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 74A(Tc) 130W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN4R0-60YS,115
仓库库存编号:
1727-2470-1-ND
别名:1727-2470-1
568-12855-1
568-12855-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 19A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z34NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF9Z34NSTRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 97W(Tc) D2PAK
型号:
PHB32N06LT,118
仓库库存编号:
1727-4764-1-ND
别名:1727-4764-1
568-5941-1
568-5941-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 120W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2908TRLPBF
仓库库存编号:
IRLR2908TRLPBFCT-ND
别名:IRLR2908TRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 25V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 70W(Tc) DPAK
型号:
STD95N2LH5
仓库库存编号:
497-7005-1-ND
别名:497-7005-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 167W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD034N06N3 G
仓库库存编号:
IPD034N06N3 GINCT-ND
别名:IPD034N06N3 GINCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 63A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 63A(Tc) 7.5W(Ta),65.2W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N03-09P-E3
仓库库存编号:
SUD50N03-09P-E3CT-ND
别名:SUD50N03-09P-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 238W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y4R8-60EX
仓库库存编号:
1727-1487-1-ND
别名:1727-1487-1
568-10967-1
568-10967-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3607TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3607TRPBFCT-ND
别名:IRFR3607TRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3114ZTRPBF
仓库库存编号:
IRLR3114ZTRPBFCT-ND
别名:IRLR3114ZTRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 143W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4510TRPBF
仓库库存编号:
IRFR4510TRPBFCT-ND
别名:IRFR4510TRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
IRF640NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF640NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF640NSTRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 90A(Tc) 137W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90P03P4L04ATMA1
仓库库存编号:
IPD90P03P4L04ATMA1CT-ND
别名:IPD90P03P4L-04INCT
IPD90P03P4L-04INCT-ND
IPD90P03P4L04ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 90W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3504ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR3504ZPBFCT-ND
别名:*IRFR3504ZTRPBF
IRFR3504ZPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3710ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR3710ZTRPBFCT-ND
别名:IRFR3710ZTRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 100W(Tc) D-Pak
型号:
STD26NF10
仓库库存编号:
497-7963-1-ND
别名:497-7963-1
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3110ZTRPBF
仓库库存编号:
IRLR3110ZTRPBFCT-ND
别名:IRLR3110ZTRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 40A
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 75W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD40N06-14L_GE3
仓库库存编号:
SQD40N06-14L_GE3CT-ND
别名:SQD40N06-14L_GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN022-30PL,127
仓库库存编号:
1727-5893-ND
别名:1727-5893
568-7512-5
568-7512-5-ND
934063985127
PSMN022-30PL,127-ND
PSMN02230PL127
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),50A(Tc) 135W(Tc) D-Pak
型号:
FDD10AN06A0
仓库库存编号:
FDD10AN06A0CT-ND
别名:FDD10AN06A0CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 238W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R4-40YLDX
仓库库存编号:
1727-1857-1-ND
别名:1727-1857-1
568-11553-1
568-11553-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD110PBF
仓库库存编号:
IRFD110PBF-ND
别名:*IRFD110PBF
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-5
型号:
SPD50P03L G
仓库库存编号:
SPD50P03LGINCT-ND
别名:SPD50P03LGINCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 7A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 7A(Tc) 45W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP7P06
仓库库存编号:
FQP7P06-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7W(Ta), 110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5C628NLT1G
仓库库存编号:
NTMFS5C628NLT1GOSCT-ND
别名:NTMFS5C628NLT1GOSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号