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Micro Commercial Co
TVS DIODE 33VWM 53.3VC SMC
型号:
5.0SMLJ33CA-TP
仓库库存编号:
5.0SMLJ33CA-TPMSCT-ND
别名:5.0SMLJ33CA-TPMSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB054N08N3 G
仓库库存编号:
IPB054N08N3 GCT-ND
别名:IPB054N08N3 GCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9510STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9510STRLPBFCT-ND
别名:IRF9510STRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 92A(Tc) 149W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN7R6-60BS,118
仓库库存编号:
1727-7215-1-ND
别名:1727-7215-1
568-9706-1
568-9706-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 32.7A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
PHB33NQ20T,118
仓库库存编号:
1727-4765-1-ND
别名:1727-4765-1
568-5942-1
568-5942-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD110N12N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD110N12N3GATMA1CT-ND
别名:IPD110N12N3GATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 200V SO8L
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ431EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ431EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ431EP-T1_GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 64A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ48NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ48NSTRLPBFCT-ND
别名:IRFZ48NSTRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 3.75W(Ta),127W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB33N10LTM
仓库库存编号:
FQB33N10LTMCT-ND
别名:FQB33N10LTMCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 31A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF5305STRLPBF
仓库库存编号:
IRF5305STRLPBFCT-ND
别名:IRF5305STRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 700mA(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9110PBF
仓库库存编号:
IRFD9110PBF-ND
别名:*IRFD9110PBF
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),50A(Tc) 135W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD16AN08A0
仓库库存编号:
FDD16AN08A0CT-ND
别名:FDD16AN08A0CT
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 48W(Tc) TO-252AA
型号:
RFD14N05LSM
仓库库存编号:
RFD14N05LSM-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 38W(Tc) TO-251AA
型号:
RFD3055LE
仓库库存编号:
RFD3055LE-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRLD110PBF
仓库库存编号:
IRLD110PBF-ND
别名:*IRLD110PBF
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 63A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 63A(Tc) 107W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP5864NG
仓库库存编号:
NTP5864NGOS-ND
别名:NTP5864NG-ND
NTP5864NGOS
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 48W(Tc) TO-251AA
型号:
RFD14N05L
仓库库存编号:
RFD14N05L-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 19A(Tc) 68W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z34NPBF
仓库库存编号:
IRF9Z34NPBF-ND
别名:*IRF9Z34NPBF
SP001560182
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLZ14PBF
仓库库存编号:
IRLZ14PBF-ND
别名:*IRLZ14PBF
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD014PBF
仓库库存编号:
IRFD014PBF-ND
别名:*IRFD014PBF
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 4A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9510PBF
仓库库存编号:
IRF9510PBF-ND
别名:*IRF9510PBF
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 1.1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9014PBF
仓库库存编号:
IRFD9014PBF-ND
别名:*IRFD9014PBF
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRLD014PBF
仓库库存编号:
IRLD014PBF-ND
别名:*IRLD014PBF
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 6.8A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9520PBF
仓库库存编号:
IRF9520PBF-ND
别名:*IRF9520PBF
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9120PBF
仓库库存编号:
IRFD9120PBF-ND
别名:*IRFD9120PBF
规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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