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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V TO252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V TO-252AA
型号:
SQD40030E_GE3
仓库库存编号:
SQD40030E_GE3CT-ND
别名:SQD40030E_GE3CT
规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 650V 150A EMIPAK-2B
详细描述:IGBT Module Trench Three Level Inverter 650V 142A 417W Chassis Mount EMIPAK-2B
型号:
VS-ETF150Y65U
仓库库存编号:
VS-ETF150Y65U-ND
规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B
详细描述:IGBT Module Trench Three Level Inverter 600V 109A 294W Chassis Mount EMIPAK-2B
型号:
VS-ETF075Y60U
仓库库存编号:
VS-ETF075Y60UGI-ND
别名:VS-ETF075Y60U-ND
VS-ETF075Y60UGI
VSETF075Y60U
规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 650V 150A EMIPAK-2B
详细描述:IGBT Module NPT Half Bridge Inverter 650V 201A 600W Module
型号:
VS-ETF150Y65N
仓库库存编号:
VS-ETF150Y65NGI-ND
别名:VS-ETF150Y65NGI
规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 100A 405W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Trench Half Bridge 1200V 100A 405W Chassis Mount INT-A-PAK
型号:
VS-GT50TP120N
仓库库存编号:
VS-GT50TP120N-ND
别名:VSGT50TP120N
规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Trench Half Bridge 600V 85A 208W Chassis Mount INT-A-PAK
型号:
VS-GT50TP60N
仓库库存编号:
VS-GT50TP60N-ND
别名:VSGT50TP60N
规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Trench Half Bridge 600V 160A 417W Chassis Mount INT-A-PAK
型号:
VS-GT100TP60N
仓库库存编号:
VS-GT100TP60N-ND
别名:VSGT100TP60N
规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 600V 530A 1600W DIAP
详细描述:IGBT Module Trench Half Bridge 600V 530A 1600W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号:
VS-GT400TH60N
仓库库存编号:
VS-GT400TH60N-ND
别名:VSGT400TH60N
规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 600V 379A 1250W DIAP
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600V 379A 1250W Chassis Mount Dual INT-A-PAK
型号:
VS-GT300FD060N
仓库库存编号:
VS-GT300FD060N-ND
别名:VSGT300FD060N
规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Trench Half Bridge 1200V 180A 652W Chassis Mount INT-A-PAK
型号:
VS-GT100TP120N
仓库库存编号:
VS-GT100TP120N-ND
别名:VSGT100TP120N
规格:工作温度 175°C(TJ),
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