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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 34A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta） 1.2W（Ta），88W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP34N055SLE-E1-AY
  仓库库存编号：NP34N055SLE-E1-AY-ND
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 52A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Tc） 1.2W（Ta），56W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP52N055SUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP52N055SUG-E1-AY-ND
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 36A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 36A（Tc） 1.2W（Ta），56W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP36P04SDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP36P04SDG-E1-AYCT-ND
  别名：NP36P04SDG-E1-AYCT
  NP36P04SDGE1AY
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 35A（Tc） 1W（Ta），77W（Tc） 8-HSON
  
  型号：NP35N04YUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP35N04YUG-E1-AYCT-ND
  别名：NP35N04YUG-E1-AYCT
  NP35N04YUGE1AY
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 40A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 40A（Ta） 68W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ40S04M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ40S04M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ40S04M3L(T6L1NQ
  TJ40S04M3LT6L1NQ
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 30A（Ta） 68W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ30S06M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ30S06M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ30S06M3L(T6L1NQ
  TJ30S06M3LT6L1NQ
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Ta） 2.1W（Ta）, 72W（Tc） TO-220-3
  
  型号：NDPL070N10BG
  仓库库存编号：NDPL070N10BGOS-ND
  别名：NDPL070N10BGOS
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 60A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Ta） 88W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK60S06K3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK60S06K3L(T6L1NQ-ND
  别名：TK60S06K3L(T6L1NQ
  TK60S06K3LT6L1NQ
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 65A（Ta） 88W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK65S04K3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK65S04K3L(T6L1NQ-ND
  别名：TK65S04K3L(T6L1NQ
  TK65S04K3LT6L1NQ
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 50A（Ta） 90W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ50S06M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ50S06M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ50S06M3L(T6L1NQ
  TJ50S06M3LT6L1NQ
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 60A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 60A（Ta） 90W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ60S04M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ60S04M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ60S04M3L(T6L1NQ
  TJ60S04M3LT6L1NQ
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 50A（Tc） 1.2W（Ta），84W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP50P04SDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP50P04SDG-E1-AYCT-ND
  别名：NP50P04SDG-E1-AYCT
  NP50P04SDGE1AY
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 75A（Tc） 1W（Ta），138W（Tc） 8-HSON
  
  型号：NP75P03YDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP75P03YDG-E1-AYCT-ND
  别名：NP75P03YDG-E1-AYCT
  NP75P03YDGE1AY
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 80A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Ta） 100W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK80S04K3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK80S04K3L(T6L1NQ-ND
  别名：TK80S04K3L(T6L1NQ
  TK80S04K3LT6L1NQ
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Ta） 100W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK80S06K3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK80S06K3L(T6L1NQ-ND
  别名：TK80S06K3L(T6L1NQ
  TK80S06K3LT6L1NQ
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 60A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 60A（Ta） 100W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ60S06M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ60S06M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ60S06M3L(T6L1NQ
  TJ60S06M3LT6L1NQ
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Ta） 100W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ80S04M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ80S04M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ80S04M3L(T6L1NQ
  TJ80S04M3LT6L1NQ
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Ta） 2.1W（Ta）, 110W（Tc） TO-220-3
  
  型号：NDPL100N10BG
  仓库库存编号：NDPL100N10BG-ND
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Ta） 110W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：NDBA100N10BT4H
  仓库库存编号：NDBA100N10BT4H-ND
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 15A 600V TO220-3
  详细描述：IGBT Through Hole TO-220F-3FS
  
  型号：NGTB15N60R2FG
  仓库库存编号：NGTB15N60R2FGOS-ND
  别名：NGTB15N60R2FGOS
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 82A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 82A（Tc） 1.8W（Ta），143W（Tc） TO-263
  
  型号：NP82N055PUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP82N055PUG-E1-AYTR-ND
  别名：NP82N055PUG-E1-AY-ND
  NP82N055PUG-E1-AYTR
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 70A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 1.8W（Ta），120W（Tc） TO-263
  
  型号：NP70N10KUF-E1-AY
  仓库库存编号：NP70N10KUF-E1-AY-ND
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 1.2W（Ta），147W（Tc） TO-252-3
  
  型号：NP90N055VUK-E1-AY
  仓库库存编号：NP90N055VUK-E1-AY-ND
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 180A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Ta） 200W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：NDBA180N10BT4H
  仓库库存编号：NDBA180N10BT4H-ND
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 600V 40A 64W TO-3PF
  详细描述：IGBT Through Hole
  
  型号：NGTG20N60L2TF1G
  仓库库存编号：NGTG20N60L2TF1GOS-ND
  别名：NGTG20N60L2TF1GOS
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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