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• ON Semiconductor
  IGBT 600V 20A TO3PF
  详细描述：IGBT Through Hole TO-3PF-3
  
  型号：NGTB20N60L2TF1G
  仓库库存编号：NGTB20N60L2TF1G-ND
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT BIPO 600V 40A TO3P
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3PF
  
  型号：STGWF40V60DF
  仓库库存编号：STGWF40V60DF-ND
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
  
  型号：NP100P04PDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP100P04PDG-E1-AY-ND
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 180A 100V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Ta） 2.1W（Ta），200W（Tc） TO-220-3
  
  型号：NDPL180N10BG
  仓库库存编号：NDPL180N10BGOS-ND
  别名：NDPL180N10BGOS
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT TRENCH 600V 40A TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：STGWA40H60DLFB
  仓库库存编号：STGWA40H60DLFB-ND
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 600V 30A TO247
  详细描述：IGBT Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTB30N60L2WG
  仓库库存编号：NGTB30N60L2WG-ND
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 375V 40A 150W I2PAK
  详细描述：IGBT Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB20NB32LZ
  仓库库存编号：497-3522-5-ND
  别名：497-3522-5
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
• 含铅
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• Renesas Electronics America
  IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
  详细描述：IGBT Trench Through Hole TO-3PFP
  
  型号：RJH65T04BDPMA0#T2F
  仓库库存编号：RJH65T04BDPMA0#T2F-ND
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• M/A-Com Technology Solutions
  DIODE PIN HMIC SURMOUNT
  详细描述：RF Diode PIN - Single 115V
  
  型号：MADP-030015-13140G
  仓库库存编号：1465-1069-ND
  别名：1465-1069
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Intersil
  IC TRANS ARRAY 5X NPN 16-QFN
  详细描述：RF Transistor 5 NPN 12V 65mA 8GHz 150mW Surface Mount 16-QFN (3x3)
  
  型号：HFA3127RZ96
  仓库库存编号：HFA3127RZ96-ND
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
  详细描述：IGBT Trench Through Hole TO-3PFP
  
  型号：RJP65T54DPM-A0#T2
  仓库库存编号：RJP65T54DPM-A0#T2-ND
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1200V 5A
  详细描述：通孔 5A（Tc） 106W（Tc） TO-247AB
  
  型号：GA05JT12-247
  仓库库存编号：1242-1185-ND
  别名：1242-1185
  GA05JT12247
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB
  详细描述：通孔 1200V 6A（Tc）（90°C） TO-247AB
  
  型号：GA06JT12-247
  仓库库存编号：1242-1165-ND
  别名：1242-1165
  GA06JT12247
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1.2KV 20A
  详细描述：通孔 1200V 20A（Tc） 282W（Tc） TO-247AB
  
  型号：GA20JT12-247
  仓库库存编号：1242-1188-ND
  别名：1242-1188
  GA20JT12247
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 1200V 100A 405W INT-A-PAK
  详细描述：IGBT Module Trench Half Bridge 1200V 100A 405W Chassis Mount INT-A-PAK
  
  型号：VS-GT50TP120N
  仓库库存编号：VS-GT50TP120N-ND
  别名：VSGT50TP120N
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1700V 16A TO-247AB
  详细描述：通孔 1700V 16A（Tc）（90°C） 282W（Tc） TO-247AB
  
  型号：GA16JT17-247
  仓库库存编号：1242-1136-ND
  别名：1242-1136
  GA16JT17247
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK
  详细描述：IGBT Module Trench Half Bridge 600V 85A 208W Chassis Mount INT-A-PAK
  
  型号：VS-GT50TP60N
  仓库库存编号：VS-GT50TP60N-ND
  别名：VSGT50TP60N
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK
  详细描述：IGBT Module Trench Half Bridge 600V 160A 417W Chassis Mount INT-A-PAK
  
  型号：VS-GT100TP60N
  仓库库存编号：VS-GT100TP60N-ND
  别名：VSGT100TP60N
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1.7KV 100A
  详细描述：通孔 1700V 100A（Tc） 583W（Tc） TO-247
  
  型号：GA50JT17-247
  仓库库存编号：1242-1247-ND
  别名：1242-1247
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 600V 530A 1600W DIAP
  详细描述：IGBT Module Trench Half Bridge 600V 530A 1600W Chassis Mount Double INT-A-PAK
  
  型号：VS-GT400TH60N
  仓库库存编号：VS-GT400TH60N-ND
  别名：VSGT400TH60N
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 600V 379A 1250W DIAP
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600V 379A 1250W Chassis Mount Dual INT-A-PAK
  
  型号：VS-GT300FD060N
  仓库库存编号：VS-GT300FD060N-ND
  别名：VSGT300FD060N
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  TRANS NPN 5V 6.5MA SOT323
  详细描述：RF Transistor NPN 5V 6.5mA 5GHz 32mW Surface Mount SOT-323-3
  
  型号：BFS25A,115
  仓库库存编号：BFS25A,115-ND
  别名：934021360115
  BFS25A T/R
  BFS25A T/R-ND
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT CHIP WAFER
  详细描述：IGBT Trench 600V 4A Surface Mount Die
  
  型号：IRGC4059B
  仓库库存编号：IRGC4059B-ND
  别名：SP001533910
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT CHIP WAFER
  详细描述：IGBT 600V 30A Surface Mount Die
  
  型号：IRGC4630B
  仓库库存编号：IRGC4630B-ND
  别名：SP001548154
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT CHIP WAFER
  详细描述：IGBT Trench 600V 10A Surface Mount Die
  
  型号：IRGC4064B
  仓库库存编号：IRGC4064B-ND
  别名：SP001536378
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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