规格:工作温度 175°C(TJ),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述:IGBT Trench 600V 8A Surface Mount Die
型号:
IRGC4056B
仓库库存编号:
IRGC4056B-ND
别名:SP001549584
规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述:IGBT Trench 600V 8A Surface Mount Die
型号:
IRGC4060B
仓库库存编号:
IRGC4060B-ND
别名:SP001541602
规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述:IGBT Trench 600V 18A Surface Mount Die
型号:
IRGC4061B
仓库库存编号:
IRGC4061B-ND
别名:SP001537828
规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述:IGBT Trench 600V 24A Surface Mount Die
型号:
IRGC4062B
仓库库存编号:
IRGC4062B-ND
别名:SP001548174
规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述:IGBT Trench 600V 35A Surface Mount Die
型号:
IRGC4069B
仓库库存编号:
IRGC4069B-ND
别名:SP001542204
规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述:IGBT Trench 600V 48A Surface Mount Die
型号:
IRGC4063B
仓库库存编号:
IRGC4063B-ND
别名:SP001537838
规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 60A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
STW60NE10
仓库库存编号:
497-2643-5-ND
别名:497-2643-5
规格:工作温度 175°C(TJ),
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 50A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
STP50NE10
仓库库存编号:
497-2644-5-ND
别名:497-2644-5
规格:工作温度 175°C(TJ),
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 50V 23A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 50V 23A(Tc) 75W(Tc) TO-220AB
型号:
BUZ10
仓库库存编号:
497-2728-5-ND
别名:497-2728-5
规格:工作温度 175°C(TJ),
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 45A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 45A(Tc) 100W(Tc) TO-220
型号:
STP45NE06
仓库库存编号:
497-2762-5-ND
别名:497-2762-5
规格:工作温度 175°C(TJ),
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 20A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP20NE06L
仓库库存编号:
497-2764-5-ND
别名:497-2764-5
规格:工作温度 175°C(TJ),
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 60A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP60NE06-16
仓库库存编号:
497-2770-5-ND
别名:497-2770-5
规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP80NE06-10
仓库库存编号:
497-2778-5-ND
别名:497-2778-5
规格:工作温度 175°C(TJ),
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80V 50A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP50NE08
仓库库存编号:
497-2787-5-ND
别名:497-2787-5
规格:工作温度 175°C(TJ),
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 250W(Tc) TO-247-3
型号:
STW80NE06-10
仓库库存编号:
497-2790-5-ND
别名:497-2790-5
规格:工作温度 175°C(TJ),
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 10A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
STD10PF06T4
仓库库存编号:
497-2456-1-ND
别名:497-2456-1
规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 160A(Tc) 210W(Tc) 10-PowerSO
型号:
STV160NF02LT4
仓库库存编号:
497-3251-1-ND
别名:497-3251-1
规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 300W(Tc) TO-247-3
型号:
STW80NF06
仓库库存编号:
497-3266-5-ND
别名:497-3266-5
规格:工作温度 175°C(TJ),
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP80NF03L
仓库库存编号:
497-4386-5-ND
别名:497-4386-5
规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 16A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
STB16NS25T4
仓库库存编号:
STB16NS25T4-ND
规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 55W(Tc) D-Pak
型号:
STD30NE06L
仓库库存编号:
STD30NE06L-ND
规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 55W(Tc) D-Pak
型号:
STD30NE06LT4
仓库库存编号:
STD30NE06LT4-ND
规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 60A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP60NE06L-16
仓库库存编号:
STP60NE06L-16-ND
规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP80NE03L-06
仓库库存编号:
STP80NE03L-06-ND
规格:工作温度 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 150V 40A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 150V 40A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
STP40NS15
仓库库存编号:
STP40NS15-ND
规格:工作温度 175°C(TJ),
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