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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 88A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 88A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
  
  型号：NP88N04NUG-S18-AY
  仓库库存编号：NP88N04NUG-S18-AY-ND
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 88A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 88A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
  
  型号：NP88N055KUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP88N055KUG-E1-AY-ND
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 75V 88A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 88A（Tc） 1.8W（Ta），288W（Tc） TO-263
  
  型号：NP88N075KUE-E1-AY
  仓库库存编号：NP88N075KUE-E1-AY-ND
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 75V 88A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 88A（Tc） 1.8W（Ta），288W（Tc） TO-220-3
  
  型号：NP88N075MUE-S18-AY
  仓库库存编号：NP88N075MUE-S18-AY-ND
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 90A TO-263
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 90A（Tc） 1.8W（Ta），217W（Tc） TO-220-3
  
  型号：NP90N04MUG-S18-AY
  仓库库存编号：NP90N04MUG-S18-AY-ND
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 40A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 40A（Ta） 93W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK40S10K3Z(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK40S10K3Z(T6L1NQ-ND
  别名：TK40S10K3Z(T6L1NQ
  TK40S10K3ZT6L1NQ
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 1.2W（Ta），105W（Tc） TO-252
  
  型号：NP90N04VUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP90N04VUG-E1-AYCT-ND
  别名：NP90N04VUG-E1-AYCT
  NP90N04VUGE1AY
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 100A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
  
  型号：NP100P04PLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP100P04PLG-E1-AYTR-ND
  别名：NP100P04PLG-E1-AY-ND
  NP100P04PLG-E1-AYTR
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 160A（Tc） 1.8W（Ta），250W（Tc） TO-263-7
  
  型号：NP160N055TUJ-E1-AY
  仓库库存编号：NP160N055TUJ-E1-AYCT-ND
  别名：NP160N055TUJ-E1-AYCT
  NP160N055TUJE1AY
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 180A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 180A（Tc） 1.8W（Ta），348W（Tc） TO-263-7
  
  型号：NP180N055TUJ-E1-AY
  仓库库存编号：NP180N055TUJ-E1-AYTR-ND
  别名：NP180N055TUJ-E1-AY-ND
  NP180N055TUJ-E1-AYTR
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 23A（Tc） 1W（Ta），60W（Tc） 8-HSON
  
  型号：NP23N06YDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP23N06YDG-E1-AYTR-ND
  别名：NP23N06YDG-E1-AY-ND
  NP23N06YDG-E1-AYTR
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 33A（Tc） 1W（Ta），97W（Tc） 8-HSON
  
  型号：NP33N06YDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP33N06YDG-E1-AYTR-ND
  别名：NP33N06YDG-E1-AY-ND
  NP33N06YDG-E1-AYTR
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 60V 36A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 36A（Tc） 1.8W（Ta），56W（Tc） TO-263
  
  型号：NP36P06KDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP36P06KDG-E1-AYCT-ND
  别名：NP36P06KDG-E1-AYCT
  NP36P06KDGE1AY
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 50A（Tc） 1W（Ta），102W（Tc） 8-HSON
  
  型号：NP50P03YDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP50P03YDG-E1-AYTR-ND
  别名：NP50P03YDG-E1-AY-ND
  NP50P03YDG-E1-AYTR
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 60A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 1.2W（Ta），105W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP60N03SUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP60N03SUG-E1-AYCT-ND
  别名：NP60N03SUG-E1-AYCT
  NP60N03SUGE1AY
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 1W（Ta），120W（Tc） 8-HSON
  
  型号：NP74N04YUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP74N04YUG-E1-AYCT-ND
  别名：NP74N04YUG-E1-AYCT
  NP74N04YUGE1AY
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 75A 8HSON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 75A（Tc） 1W（Ta），138W（Tc） 8-HSON
  
  型号：NP75P04YLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP75P04YLG-E1-AYCT-ND
  别名：NP75P04YLG-E1-AYCT
  NP75P04YLGE1AY
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 1.8W（Ta），115W（Tc） TO-263
  
  型号：NP80N04PLG-E1B-AY
  仓库库存编号：NP80N04PLG-E1B-AYCT-ND
  别名：NP80N04PLG-E1B-AYCT
  NP80N04PLGE1BAY
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 1.8W（Ta），115W（Tc） TO-263
  
  型号：NP80N04PUG-E1B-AY
  仓库库存编号：NP80N04PUG-E1B-AYCT-ND
  别名：NP80N04PUG-E1B-AYCT
  NP80N04PUGE1BAY
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 1.8W（Ta），115W（Tc） TO-263
  
  型号：NP80N06PLG-E1B-AY
  仓库库存编号：NP80N06PLG-E1B-AYCT-ND
  别名：NP80N06PLG-E1B-AYCT
  NP80N06PLGE1BAY
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 83A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 83A（Tc） 1.8W（Ta），150W（Tc） TO-263
  
  型号：NP83P04PDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP83P04PDG-E1-AYCT-ND
  别名：NP83P04PDG-E1-AYCT
  NP83P04PDGE1AY
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 60V 83A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 83A（Tc） 1.8W（Ta），150W（Tc） TO-263
  
  型号：NP83P06PDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP83P06PDG-E1-AYCT-ND
  别名：NP83P06PDG-E1-AYCT
  NP83P06PDGE1AY
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 88A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 88A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
  
  型号：NP88N03KDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP88N03KDG-E1-AYCT-ND
  别名：NP88N03KDG-E1-AYCT
  NP88N03KDGE1AY
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 90A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 1.2W（Ta），105W（Tc） TO-252
  
  型号：NP90N06VLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP90N06VLG-E1-AYCT-ND
  别名：NP90N06VLG-E1-AYCT
  NP90N06VLGE1AY
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  TRANS NPN UHF 7.5V SOT223
  详细描述：RF Transistor NPN 10V 500mA 470MHz 2W Surface Mount SOT-223
  
  型号：BLT50,115
  仓库库存编号：568-8487-1-ND
  别名：568-8487-1
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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