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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 136W（Tc） TO-220
  
  型号：STP90N6F6
  仓库库存编号：497-15019-5-ND
  别名：497-15019-5
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 36W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8R2A06PL,S4X
  仓库库存编号：TK8R2A06PLS4X-ND
  别名：TK8R2A06PL,S4X(S
  TK8R2A06PLS4X
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 140W（Tc） TO-220
  
  型号：STP105N3LL
  仓库库存编号：497-13587-5-ND
  别名：497-13587-5
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：通孔 N 沟道 82A（Tc） 36W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK3R1A04PL,S4X
  仓库库存编号：TK3R1A04PLS4X-ND
  别名：TK3R1A04PL,S4X(S
  TK3R1A04PLS4X
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 87W（Tc） TO-220
  
  型号：TK3R1E04PL,S1X
  仓库库存编号：TK3R1E04PLS1X-ND
  别名：TK3R1E04PL,S1X(S
  TK3R1E04PLS1X
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 87W（Tc） TO-220
  
  型号：TK4R3E06PL,S1X
  仓库库存编号：TK4R3E06PLS1X-ND
  别名：TK4R3E06PL,S1X(S
  TK4R3E06PLS1X
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 68A（Tc） 36W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK4R3A06PL,S4X
  仓库库存编号：TK4R3A06PLS4X-ND
  别名：TK4R3A06PL,S4X(S
  TK4R3A06PLS4X
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• M/A-Com Technology Solutions
  360 W CW POWER LIMITER
  详细描述：RF Diode SMD
  
  型号：MADL-011012-001
  仓库库存编号：1465-1786-ND
  别名：1465-1786
  MADL-011012
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PNP 12V 5GHZ SOT-23
  详细描述：RF Transistor PNP 12V 35mA 5GHz 300mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
  
  型号：BFT93,215
  仓库库存编号：568-1993-1-ND
  别名：568-1993-1
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• M/A-Com Technology Solutions
  DIODE PIN PLASTIC LEADFREE
  详细描述：RF Diode PIN - Single 75V 200mW SOD-323
  
  型号：MA4P7433-1141T
  仓库库存编号：1465-1238-1-ND
  别名：1465-1238-1
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 62A 8POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 62A（Tc） 100W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL62P3LLH6
  仓库库存编号：497-15481-1-ND
  别名：497-15481-1
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 10A 600V DPAK
  详细描述：IGBT 600V 20A 72W Surface Mount DPAK
  
  型号：NGTB10N60R2DT4G
  仓库库存编号：NGTB10N60R2DT4GOSCT-ND
  别名：NGTB10N60R2DT4GOSCT
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 46W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK15S04N1L,LQ
  仓库库存编号：TK15S04N1LLQCT-ND
  别名：TK15S04N1LLQCT
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Ta） 157W（Tc） TO-252-3
  
  型号：TK90S06N1L,LQ
  仓库库存编号：TK90S06N1LLQCT-ND
  别名：TK90S06N1LLQCT
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 158W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH140N6F7-2
  仓库库存编号：497-16314-1-ND
  别名：497-16314-1
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 210W（Tc） 10-PowerSO
  
  型号：STV160NF03LT4
  仓库库存编号：497-3252-1-ND
  别名：497-3252-1
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  TRANS NPN 100V 2A LFPAK
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 2A 140MHz 1.25W Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
  
  型号：PHPT61002NYCX
  仓库库存编号：1727-1780-1-ND
  别名：1727-1780-1
  568-11358-1
  568-11358-1-ND
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 100V 10A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Tc） 40W（Tc） DPAK
  
  型号：STD10P10F6
  仓库库存编号：497-16300-1-ND
  别名：497-16300-1
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STD35P6LLF6
  仓库库存编号：497-15462-1-ND
  别名：497-15462-1
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 60V 42A 8POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 42A（Tc） 100W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL42P6LLF6
  仓库库存编号：497-15479-1-ND
  别名：497-15479-1
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P CH 60V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Tc） 35W（Tc） DPAK
  
  型号：STD10P6F6
  仓库库存编号：497-13424-1-ND
  别名：497-13424-1
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 40W（Tc） DPAK
  
  型号：STD26P3LLH6
  仓库库存编号：497-13938-1-ND
  别名：497-13938-1
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD86N3LH5
  仓库库存编号：497-8890-1-ND
  别名：497-8890-1
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta） 125W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK33S10N1Z,LQ
  仓库库存编号：TK33S10N1ZLQCT-ND
  别名：TK33S10N1ZLQCT
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Ta） 107W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK65S04N1L,LQ
  仓库库存编号：TK65S04N1LLQCT-ND
  别名：TK65S04N1LLQCT
  
  规格：工作温度 175°C（TJ）,
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