规格:工作温度 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
TRANS NPN 230V 15A TO-264
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 230V 15A 30MHz 150W Through Hole TO-264
型号:
2STC5200
仓库库存编号:
497-7058-5-ND
别名:2STC5200-ND
497-7058-5
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IC GATE DRIVER 100V QFN
详细描述:Half Bridge Driver AC Motors, DC Motors, DC-DC Converters, General Purpose Power MOSFET 27-PQFN (7x8)
型号:
IRSM005-301MH
仓库库存编号:
IRSM005-301MH-ND
别名:SP001541136
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Ta) 156W(Tc) D2PAK
型号:
TK65G10N1,RQ
仓库库存编号:
TK65G10N1RQCT-ND
别名:TK65G10N1RQCT
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 35A LDPAK
详细描述:IGBT Trench 600V 35A 113W Surface Mount 4-LDPAK
型号:
RJH60D3DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJH60D3DPE-00#J3CT-ND
别名:RJH60D3DPE-00#J3CT
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 130W(Tc) TO-220
型号:
TK16E60W5,S1VX
仓库库存编号:
TK16E60W5S1VX-ND
别名:TK16E60W5,S1VX(S
TK16E60W5S1VX
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 230V 15A TO-3PN
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 230V 15A 30MHz 130W Through Hole TO-3P(N)
型号:
2SC5242-O(Q)
仓库库存编号:
2SC5242-O(Q)-ND
别名:2SC5242-O (Q)
2SC5242-O(Q,T)
2SC5242-OQ
2SC5242-OQ-ND
2SC5242-OQT-ND
2SC5242OQ
Q11062919
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 13.7A(Ta) 130W(Tc) I2PAK
型号:
TK14C65W,S1Q
仓库库存编号:
TK14C65WS1Q-ND
别名:TK14C65W,S1Q(S
TK14C65W,S1Q(S2
TK14C65W,S1Q-ND
TK14C65WS1Q
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 90W(Tc) D-Pak
型号:
STD14NM50N
仓库库存编号:
497-10646-1-ND
别名:497-10646-1
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS PNP 140V 10A TO-3PF
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 140V 10A 30MHz 80W Through Hole TO-3PF
型号:
FJAF4210RTU
仓库库存编号:
FJAF4210RTU-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
TRANS PNP 250V 17A TO-3P
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 250V 17A 25MHz 200W Through Hole TO-3P
型号:
2STA2120
仓库库存编号:
497-8740-5-ND
别名:497-8740-5
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 50W(Tc) LPTS(SC-83)
型号:
R6012FNJTL
仓库库存编号:
R6012FNJTLCT-ND
别名:R6012FNJTLCT
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 40W(Tc) LPTS(D2PAK)
型号:
R6011ENJTL
仓库库存编号:
R6011ENJTLCT-ND
别名:R6011ENJTLCT
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 24A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 40W(Tc) LPTS(D2PAK)
型号:
R6024ENJTL
仓库库存编号:
R6024ENJTLCT-ND
别名:R6024ENJTLCT
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 40A LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 1.35W(Ta),50W(Tc) LPTS(SC-83)
型号:
RSJ400N10TL
仓库库存编号:
RSJ400N10TLCT-ND
别名:RSJ400N10TLCT
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 15A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 50W(Tc) LPTS
型号:
R6015FNJTL
仓库库存编号:
R6015FNJTLCT-ND
别名:R6015FNJTLCT
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 15A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 40W(Tc) LPTS(D2PAK)
型号:
R6015ENJTL
仓库库存编号:
R6015ENJTLCT-ND
别名:R6015ENJTLCT
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK15A60U(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK15A60U(STA4QM)-ND
别名:TK15A60U(Q)
TK15A60U(Q,M)
TK15A60U(QM)
TK15A60U(QM)-ND
TK15A60U(STA4QM)
TK15A60UQ
TK15A60UQ-ND
TK15A60USTA4QM
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM
详细描述:IGBT Trench 600V 45A 40W Through Hole TO-3PFM
型号:
RJP60V0DPM-00#T1
仓库库存编号:
RJP60V0DPM-00#T1-ND
别名:RJP60V0DPM00T1
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK12A60U(Q,M)
仓库库存编号:
TK12A60U(QM)-ND
别名:TK12A60U(Q)
TK12A60U(Q)-ND
TK12A60U(QM)
TK12A60UQ-ND
TK12A60UQM
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 50A 40W TO-3PFM
详细描述:IGBT Trench 600V 50A 40W Through Hole TO-3PFM
型号:
RJP60F0DPM-00#T1
仓库库存编号:
RJP60F0DPM-00#T1-ND
别名:RJP60F0DPM00T1
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 50W(Tc) LPTS
型号:
R6020FNJTL
仓库库存编号:
R6020FNJTLCT-ND
别名:R6020FNJTLCT
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 130W(Tc) TO-220
型号:
TK16E60W,S1VX
仓库库存编号:
TK16E60WS1VX-ND
别名:TK16E60W,S1VX(S
TK16E60WS1VX
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P
详细描述:IGBT 600V 40A 178.5W Through Hole TO-3P
型号:
RJP6085DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJP6085DPK-00#T0-ND
别名:RJP6085DPK00T0
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Sanken
TRANS PNP DARL 120V 16A TO3PF
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 16A 50MHz 75W Through Hole TO-3PF
型号:
2SB1382
仓库库存编号:
2SB1382-ND
别名:2SB1382 DK
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 40A 178.5W TO-247A
详细描述:IGBT Trench 600V 40A 178.5W Through Hole TO-247A
型号:
RJH60F3DPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH60F3DPQ-A0#T0-ND
别名:RJH60F3DPQA0T0
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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