规格:工作温度 150°C(TJ),
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6A CPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 40W(Tc) CPT3
型号:
R6006ANDTL
仓库库存编号:
R6006ANDTLCT-ND
别名:R6006ANDTLCT
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET 2N-CH 30V 16A/46A 8-HSO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 16A, 46A 1.7W, 2.5W Surface Mount 8-HSO
型号:
SC8673040L
仓库库存编号:
P16273CT-ND
别名:P16273CT
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 60W(Tc) I-Pak
型号:
STU9HN65M2
仓库库存编号:
497-16026-5-ND
别名:497-16026-5
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF9HN65M2
仓库库存编号:
497-16014-5-ND
别名:497-16014-5
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Sanken
TRANS PNP DARL 100V 6A TO220F
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 6A 100MHz 30W Through Hole TO-220F
型号:
2SB1258
仓库库存编号:
2SB1258-ND
别名:2SB1258 DK
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 90W(Tc) I-Pak
型号:
STU6N62K3
仓库库存编号:
497-12699-5-ND
别名:497-12699-5
STU6N62K3-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Sanken
TRANS PNP DARL 60V 12A TO220F
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 12A 130MHz 30W Through Hole TO-220F
型号:
2SB1351
仓库库存编号:
2SB1351-ND
别名:2SB1351 DK
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU16N60M2
仓库库存编号:
497-16025-5-ND
别名:497-16025-5
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
R6006ANX
仓库库存编号:
R6006ANX-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 25W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI13N65M2
仓库库存编号:
497-16016-5-ND
别名:497-16016-5
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Sanken
TRANS 3NPN DARL 100V 4A 8-SIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 3 NPN Darlington (Emitter Coupled) 100V 4A 3W Through Hole 8-SIP
型号:
STA303A
仓库库存编号:
STA303A-ND
别名:STA303A DK
规格:工作温度 150°C(TJ),
不受无铅要求限制
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STFU13N65M2
仓库库存编号:
497-16107-5-ND
别名:497-16107-5
规格:工作温度 150°C(TJ),
含铅
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Sanken
TRANS 3PNP DARL 50V 4A 8SIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 3 PNP Darlington (Emitter Coupled) 50V 4A 3W Through Hole 8-SIP
型号:
STA302A
仓库库存编号:
STA302A-ND
别名:STA302A DK
规格:工作温度 150°C(TJ),
不受无铅要求限制
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R6008ANX
仓库库存编号:
R6008ANX-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Sanken
TRANS 2NPN/2PNP DARL 60V 10SIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN, 2 PNP Darlington (H-Bridge) 60V 4A 4W Through Hole 10-SIP
型号:
STA434A
仓库库存编号:
STA434A-ND
别名:STA434A DK
规格:工作温度 150°C(TJ),
不受无铅要求限制
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R6010ANX
仓库库存编号:
R6010ANX-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Ta) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
RDX080N50FU6
仓库库存编号:
RDX080N50FU6-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Sanken
TRANS 4NPN DARL 100V 3A 12-SIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 100V 3A 40MHz 4W Through Hole 12-SIP
型号:
SMA4030
仓库库存编号:
SMA4030-ND
别名:SMA4030 DK
规格:工作温度 150°C(TJ),
不受无铅要求限制
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Sanken
TRANS 4NPN DARL 100V 2A 12-SIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 100V 2A 4W Through Hole 12-SIP
型号:
SMA4033
仓库库存编号:
SMA4033-ND
别名:SMA4033 DK
规格:工作温度 150°C(TJ),
不受无铅要求限制
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 120W(Tc) TO-3PF
型号:
R6020ENZC8
仓库库存编号:
R6020ENZC8-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 120W(Tc) TO-247
型号:
R6020ENZ1C9
仓库库存编号:
R6020ENZ1C9-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Ta),5.4A(Tc) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R5011FNX
仓库库存编号:
R5011FNX-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Sanken
TRANS 3NPN/3PNP DARL 60V 12SIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge) 60V 4A 75MHz 4W Through Hole 12-SIP
型号:
SMA6010
仓库库存编号:
SMA6010-ND
别名:SMA6010 DK
规格:工作温度 150°C(TJ),
不受无铅要求限制
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 30A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
R6030ENX
仓库库存编号:
R6030ENX-ND
别名:R6030ENXCT
R6030ENXCT-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 120W(Tc) TO-247
型号:
R6035ENZ1C9
仓库库存编号:
R6035ENZ1C9-ND
规格:工作温度 150°C(TJ),
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