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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.4A(Tc) 500mW(Tc) SOT-323
型号:
SI1317DL-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1317DL-T1-GE3CT-ND
别名:SI1317DL-T1-GE3CT
规格:工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 48VWM 77.4VC SMA
型号:
TPSMA6L48A
仓库库存编号:
F6167CT-ND
别名:F6167CT
规格:工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 28VWM 45.4VC SMA
型号:
TPSMA6L28A
仓库库存编号:
F6160CT-ND
别名:F6160CT
规格:工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 15VWM 24.4VC SMA
型号:
TPSMA6L15A
仓库库存编号:
F6153CT-ND
别名:F6153CT
规格:工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 30VWM 48.4VC SMA
型号:
TPSMA6L30A
仓库库存编号:
F6161CT-ND
别名:F6161CT
规格:工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 56.8W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD3N60
仓库库存编号:
785-1181-1-ND
别名:785-1181-1
规格:工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI9933CDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI9933CDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI9933CDY-T1-GE3CT
规格:工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 25A CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 25A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) PowerPAK? ChipFET 单通道
型号:
SI5415AEDU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5415AEDU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5415AEDU-T1-GE3CT
规格:工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.8A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7119DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7119DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7119DN-T1-GE3CT
规格:工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Tc) 760mW(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2337DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2337DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2337DS-T1-E3CT
规格:工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6A 20.8W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7216DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7216DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7216DN-T1-GE3CT
规格:工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 13.2A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7113DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7113DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7113DN-T1-GE3CT
规格:工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 3.7W(Ta),39W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7611DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7611DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7611DN-T1-GE3CT
规格:工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 75A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
STW75NF20
仓库库存编号:
497-5959-5-ND
别名:497-5959-5
规格:工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Micro Commercial Co
RECT BRIDGE 50A 600V W/O LEADS
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 50A QC Terminal MP-50
型号:
MP506-BP
仓库库存编号:
MP506-BPMS-ND
别名:MP506-BPMS
MP506BP
规格:工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 34mA(Ta) 1.39W(Ta) SOT-23
型号:
AO3162
仓库库存编号:
785-1458-1-ND
别名:785-1458-1
规格:工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 0.9A SC70-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 900mA(Tc) 400mW(Tc) SOT-323
型号:
SI1315DL-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1315DL-T1-GE3CT-ND
别名:SI1315DL-T1-GE3CT
规格:工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMA
型号:
TPSMA6L12A
仓库库存编号:
F6147CT-ND
别名:F6147CT
规格:工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 36VWM 58.1VC SMA
型号:
TPSMA6L36A
仓库库存编号:
F6163CT-ND
别名:F6163CT
规格:工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMA
型号:
TPSMA6L5.0A
仓库库存编号:
F6168CT-ND
别名:F6168CT
规格:工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 56.8W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD2N60
仓库库存编号:
785-1180-1-ND
别名:785-1180-1
规格:工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI9933CDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI9933CDY-T1-E3CT-ND
别名:SI9933CDY-T1-E3CT
规格:工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 29.7A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 29.7A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA437DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA437DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA437DJ-T1-GE3CT
规格:工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 4.8W(Ta),57W(Tc) PowerPAK? 1212-8S(3.3x3.3)
型号:
SISS27DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISS27DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISS27DN-T1-GE3CT
规格:工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 4.8W(Ta),57W(Tc) PowerPAK? 1212-8S(3.3x3.3)
型号:
SISS23DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISS23DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISS23DN-T1-GE3CT
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