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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 178W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD7N65
  仓库库存编号：785-1484-1-ND
  别名：785-1484-1
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40A（Tc） 4.8W（Ta），57W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
  
  型号：SI7655ADN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7655ADN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7655ADN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7119DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7119DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7119DN-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Tc） 760mW（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2337DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2337DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2337DS-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 56.8W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD4S60
  仓库库存编号：785-1265-1-ND
  别名：785-1265-1
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7102DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7102DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7102DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 4A 400V KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 4A Through Hole KBL
  
  型号：KBL04-E4/51
  仓库库存编号：KBL04-E4/51GI-ND
  别名：KBL04-E4/1
  KBL04-E4/1-ND
  KBL04-E4/1GI
  KBL04-E4/1GI-ND
  KBL04-E4/51GI
  KBL04E451
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 4A 1000V KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 4A Through Hole KBL
  
  型号：KBL10-E4/51
  仓库库存编号：KBL10-E4/51GI-ND
  别名：KBL10-E4/1
  KBL10-E4/1-ND
  KBL10-E4/1GI
  KBL10-E4/1GI-ND
  KBL10-E4/51GI
  KBL10E451
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 4A 200V KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 4A Through Hole KBL
  
  型号：KBL02-E4/51
  仓库库存编号：KBL02-E4/51GI-ND
  别名：KBL02
  KBL02-E4/51GI
  KBL02-ND
  KBL02/1
  KBL02/1-ND
  KBL02/1GI
  KBL02/1GI-ND
  KBL02E451
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 4A 600V KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 4A Through Hole KBL
  
  型号：KBL06-E4/51
  仓库库存编号：KBL06-E4/51GI-ND
  别名：KBL06-E4/1
  KBL06-E4/1-ND
  KBL06-E4/1GI
  KBL06-E4/1GI-ND
  KBL06-E4/51GI
  KBL06E451
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 4A 800V KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 4A Through Hole KBL
  
  型号：KBL08-E4/51
  仓库库存编号：KBL08-E4/51GI-ND
  别名：KBL08
  KBL08-E4/1
  KBL08-E4/1-ND
  KBL08-E4/1GI
  KBL08-E4/1GI-ND
  KBL08-E4/51GI
  KBL08-ND
  KBL08/1
  KBL08/1-ND
  KBL08/1GI
  KBL08/1GI-ND
  KBL08E451
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS NPN 250V 17A TO-220AB
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 17A 30MHz 80W Through Hole TO-220
  
  型号：FJP5200RTU
  仓库库存编号：FJP5200RTU-ND
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS PNP 230V 15A TO-220AB
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 230V 15A 30MHz 80W Through Hole TO-220-3
  
  型号：FJP1943RTU
  仓库库存编号：FJP1943RTU-ND
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 4A 1000V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 4A Through Hole KBU
  
  型号：KBU4M-E4/51
  仓库库存编号：KBU4M-E4/51-ND
  别名：KBU4ME451
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 4A 200V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 4A Through Hole KBU
  
  型号：KBU4D-E4/51
  仓库库存编号：KBU4D-E4/51GI-ND
  别名：KBU4D
  KBU4D-E4/51-ND
  KBU4D-E4/51GI
  KBU4D-ND
  KBU4D/1
  KBU4D/1-ND
  KBU4DE451
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS NPN 250V 17A TO264
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 17A 30MHz 150W Through Hole TO-264
  
  型号：2SC5200OTU
  仓库库存编号：2SC5200OTU-ND
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 8A 200V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 8A Through Hole KBU
  
  型号：KBU8D-E4/51
  仓库库存编号：KBU8D-E4/51GI-ND
  别名：KBU8D-E4/51-ND
  KBU8D-E4/51GI
  KBU8DE451
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 8A 100V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 8A Through Hole KBU
  
  型号：KBU8B-E4/51
  仓库库存编号：KBU8B-E4/51GI-ND
  别名：KBU8B
  KBU8B-E4/51-ND
  KBU8B-E4/51GI
  KBU8B-ND
  KBU8B/1
  KBU8B/1-ND
  KBU8BE451
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 8A 400V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 8A Through Hole KBU
  
  型号：KBU8G-E4/51
  仓库库存编号：KBU8G-E4/51GI-ND
  别名：KBU8G
  KBU8G-E4/51-ND
  KBU8G-E4/51GI
  KBU8G-ND
  KBU8G/1
  KBU8G/1-ND
  KBU8GE451
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP15NK50ZFP
  仓库库存编号：497-12055-5-ND
  别名：497-12055-5
  STP15NK50ZFP-ND
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE 50A 400V WIRE LEADS
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 50A Through Hole MP-50WW
  
  型号：MP504W-BP
  仓库库存编号：MP504W-BPMS-ND
  别名：MP504W-BPMS
  MP504WBP
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 57W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD3N50
  仓库库存编号：785-1175-1-ND
  别名：785-1175-1
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 8A CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 3.5W（Ta），10.9W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
  
  型号：SI5459DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5459DU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5459DU-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 25A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
  
  型号：SI5411EDU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5411EDU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5411EDU-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 25A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 25A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
  
  型号：SI5415EDU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5415EDU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5415EDU-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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