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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 63W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR6225TRPBF
  仓库库存编号：IRLR6225TRPBFCT-ND
  别名：IRLR6225TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 4.2W（Ta），36W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR492DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR492DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR492DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 4A 600V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 4A Through Hole KBU
  
  型号：KBU4J-E4/51
  仓库库存编号：KBU4J-E4/51GI-ND
  别名：KBU4J-E4/51-ND
  KBU4JE451
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 4A 100V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 4A Through Hole KBU
  
  型号：KBU4B-E4/51
  仓库库存编号：KBU4B-E4/51GI-ND
  别名：KBU4B
  KBU4B-E4/51-ND
  KBU4B-ND
  KBU4B/1
  KBU4B/1-ND
  KBU4BE451
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 4A 400V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 4A Through Hole KBU
  
  型号：KBU4G-E4/51
  仓库库存编号：KBU4G-E4/51GI-ND
  别名：KBU4G-E4/51-ND
  KBU4G-E4/51GI
  KBU4GE451
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 6A 100V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 6A Through Hole KBU
  
  型号：KBU6B-E4/51
  仓库库存编号：KBU6B-E4/51-ND
  别名：KBU6BE451
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 8A 800V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 8A Through Hole KBU
  
  型号：KBU8K-E4/51
  仓库库存编号：KBU8K-E4/51GI-ND
  别名：KBU8K
  KBU8K-E4/51-ND
  KBU8K-E4/51GI
  KBU8K-ND
  KBU8K/1
  KBU8K/1-ND
  KBU8KE451
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 6A 400V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 6A Through Hole KBU
  
  型号：KBU6G-E4/51
  仓库库存编号：KBU6G-E4/51GI-ND
  别名：KBU6G-E4/51-ND
  KBU6G-E4/51GI
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 6A 800V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 6A Through Hole KBU
  
  型号：KBU6K-E4/51
  仓库库存编号：KBU6K-E4/51GI-ND
  别名：KBU6K
  KBU6K-E4/51-ND
  KBU6K-E4/51GI
  KBU6K-ND
  KBU6K/1
  KBU6K/1-ND
  KBU6KE451
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 6A 1000V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 6A Through Hole KBU
  
  型号：KBU6M-E4/51
  仓库库存编号：KBU6M-E4/51-ND
  别名：KBU6ME451
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 6A 600V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 6A Through Hole KBU
  
  型号：KBU6J-E4/51
  仓库库存编号：KBU6J-E4/51GI-ND
  别名：KBU6J-E4/51-ND
  KBU6J-E4/51GI
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 8A 1000V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 8A Through Hole KBU
  
  型号：KBU8M-E4/51
  仓库库存编号：KBU8M-E4/51GI-ND
  别名：KBU8M
  KBU8M-E4/51-ND
  KBU8M-ND
  KBU8M/1
  KBU8M/1-ND
  KBU8ME451
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE 50A 200V WIRE LEADS
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 50A Through Hole MP-50WW
  
  型号：MP502W-BP
  仓库库存编号：MP502W-BPMS-ND
  别名：MP502W-BPMS
  MP502WBP
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 2.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2.8A（Tc） 57W（Tc） TO-251-3
  
  型号：AOU3N50
  仓库库存编号：785-1176-5-ND
  别名：785-1176-5
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 104W（Tc） TO-251-3
  
  型号：AOU4N60
  仓库库存编号：785-1522-5-ND
  别名：AOU4N60-ND
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -20V, -
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.7A (Tc) 620mW Surface Mount 6-TDFN (2x2)
  
  型号：TSM500P02DCQ RFG
  仓库库存编号：TSM500P02DCQ RFGTR-ND
  别名：TSM500P02DCQ RFGTR
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -20V, -
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.7A (Tc) 620mW Surface Mount 6-TDFN (2x2)
  
  型号：TSM500P02DCQ RFG
  仓库库存编号：TSM500P02DCQ RFGCT-ND
  别名：TSM500P02DCQ RFGCT
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -20V, -
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.7A (Tc) 620mW Surface Mount 6-TDFN (2x2)
  
  型号：TSM500P02DCQ RFG
  仓库库存编号：TSM500P02DCQ RFGDKR-ND
  别名：TSM500P02DCQ RFGDKR
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 20A（Tc） 66W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM480P06CP ROG
  仓库库存编号：TSM480P06CP ROGTR-ND
  别名：TSM480P06CP ROGTR
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 20A（Tc） 66W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM480P06CP ROG
  仓库库存编号：TSM480P06CP ROGCT-ND
  别名：TSM480P06CP ROGCT
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 20A（Tc） 66W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM480P06CP ROG
  仓库库存编号：TSM480P06CP ROGDKR-ND
  别名：TSM480P06CP ROGDKR
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 8.9A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7315DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7315DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7315DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS NPN 250V 17A TO264
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 17A 30MHz 150W Through Hole TO-264
  
  型号：2SC5200RTU
  仓库库存编号：2SC5200RTU-ND
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP15NK50Z
  仓库库存编号：497-12609-5-ND
  别名：497-12609-5
  STP15NK50Z-ND
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW15NK50Z
  仓库库存编号：497-3260-5-ND
  别名：497-3260-5
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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