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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 9A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 178W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI9N50
  仓库库存编号：785-1455-5-ND
  别名：785-1455-5
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 178W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD7N60
  仓库库存编号：785-1483-1-ND
  别名：785-1483-1
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 74W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD2HC60
  仓库库存编号：AOD2HC60-ND
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 50V 4A KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 4A Through Hole KBL
  
  型号：KBL401G
  仓库库存编号：KBL401GGN-ND
  别名：KBL401GGN
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 100V 4A KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 4A Through Hole KBL
  
  型号：KBL402G
  仓库库存编号：KBL402GGN-ND
  别名：KBL402GGN
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 200V 4A KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 4A Through Hole KBL
  
  型号：KBL403G
  仓库库存编号：KBL403GGN-ND
  别名：KBL403GGN
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 400V 4A KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 4A Through Hole KBL
  
  型号：KBL404G
  仓库库存编号：KBL404GGN-ND
  别名：KBL404GGN
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 600V 4A KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 4A Through Hole KBL
  
  型号：KBL406G
  仓库库存编号：KBL406GGN-ND
  别名：KBL406GGN
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 250V 8A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 78W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD8N25
  仓库库存编号：785-1361-1-ND
  别名：785-1361-1
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7726DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7726DN-T1-GE3TR-ND
  别名：SI7726DN-T1-GE3TR
  SI7726DNT1GE3
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD2N100
  仓库库存编号：AOD2N100-ND
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 89W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD3C60
  仓库库存编号：AOD3C60-ND
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS776DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS776DN-T1-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 800V 4A KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 4A Through Hole KBL
  
  型号：KBL408G
  仓库库存编号：KBL408GGN-ND
  别名：KBL408GGN
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1000V 4A KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 4A Through Hole KBL
  
  型号：KBL410G
  仓库库存编号：KBL410GGN-ND
  别名：KBL410GGN
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 250V 2.2A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta），14A（Tc） 2W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6458
  仓库库存编号：785-1363-1-ND
  别名：785-1363-1
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 400V 8A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 8A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD9N40
  仓库库存编号：785-1386-1-ND
  别名：785-1386-1
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4943CDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4943CDY-T1-E3-ND
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7720DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7720DN-T1-GE3TR-ND
  别名：SI7720DN-T1-GE3TR
  SI7720DNT1GE3
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 7A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7A（Tc） 178W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI7N65
  仓库库存编号：785-1453-5-ND
  别名：785-1453-5
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 3.78W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7328DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7328DN-T1-GE3TR-ND
  别名：SI7328DN-T1-GE3TR
  SI7328DNT1GE3
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 3.78W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7328DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7328DN-T1-E3-ND
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 4A 50V KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 4A Through Hole KBU
  
  型号：KBU4A-E4/51
  仓库库存编号：KBU4A-E4/51-ND
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE 50A 1000V TAB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 50A QC Terminal MP-50
  
  型号：MP5010-BP
  仓库库存编号：MP5010-BP-ND
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE 50A 100V TAB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 50A QC Terminal MP-50
  
  型号：MP501-BP
  仓库库存编号：MP501-BP-ND
  
  规格：工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）,
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