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Toshiba Semiconductor and Storage
FET RF 12.5V 800MHZ USQ
详细描述:RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6V 10mA 800MHz 22dB USQ
型号:
3SK293(TE85L,F)
仓库库存编号:
3SK293(TE85LF)CT-ND
别名:3SK293(TE85LF)CT
规格:电压 - 测试 6V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
FET RF 12.5V 500MHZ USQ
详细描述:RF Mosfet N-Channel 6V 10mA 500MHz 26dB USQ
型号:
3SK294(TE85L,F)
仓库库存编号:
3SK294(TE85LF)CT-ND
别名:3SK294(TE85LF)CT
规格:电压 - 测试 6V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH SMQ
详细描述:RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6V 10mA 800MHz 22.5dB SMQ
型号:
3SK291(TE85L,F)
仓库库存编号:
3SK291(TE85LF)CT-ND
别名:3SK291(TE85LF)CT
规格:电压 - 测试 6V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ
详细描述:RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6V 10mA 500MHz 26dB SMQ
型号:
3SK292(TE85R,F)
仓库库存编号:
3SK292(TE85RF)CT-ND
别名:3SK292(TE85RF)CT
规格:电压 - 测试 6V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH PW-X
详细描述:RF Mosfet N-Channel 6V 250mA 470MHz 11.5dB 36.5dBmW SC-70
型号:
2SK4037(TE12L,Q)
仓库库存编号:
2SK4037(TE12LQ)CT-ND
别名:2SK4037(TE12LQ)CT
规格:电压 - 测试 6V,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
详细描述:RF Mosfet pHEMT FET 6V 180mA 3.55GHz 10dB 450mW PLD-1.5
型号:
MRFG35003N6AT1
仓库库存编号:
MRFG35003N6AT1-ND
别名:935309639515
规格:电压 - 测试 6V,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 8V 3.55GHZ
详细描述:RF Mosfet pHEMT FET 6V 65mA 3.55GHz 10dB 1.5W PLD-1.5
型号:
MRFG35002N6R5
仓库库存编号:
MRFG35002N6R5CT-ND
别名:MRFG35002N6R5CT
规格:电压 - 测试 6V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH PW-MINI
详细描述:RF Mosfet N-Channel 6V 500mA 470MHz 13.3dB 4.3W PW-MINI
型号:
RFM04U6P(TE12L,F)
仓库库存编号:
RFM04U6P(TE12LF)CT-ND
别名:RFM04U6P(TE12LF)CT
规格:电压 - 测试 6V,
无铅
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ON Semiconductor
FET RF 15V 200MHZ CP4
详细描述:RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6V 10mA 200MHz 21dB 4-CP
型号:
3SK263-5-TG-E
仓库库存编号:
3SK263-5-TG-EOSCT-ND
别名:3SK263-5-TG-EOSCT
规格:电压 - 测试 6V,
无铅
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ON Semiconductor
FET RF 15V 200MHZ CP4
详细描述:RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6V 10mA 200MHz 23dB 4-CP
型号:
3SK264-5-TG-E
仓库库存编号:
3SK264-5-TG-EOSCT-ND
别名:3SK264-5-TG-EOSCT
规格:电压 - 测试 6V,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD
详细描述:RF Mosfet pHEMT FET 6V 180mA 3.55GHz 9dB 3W PLD-1.5
型号:
MRFG35003M6R5
仓库库存编号:
MRFG35003M6R5-ND
规格:电压 - 测试 6V,
含铅
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NXP USA Inc.
FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD
详细描述:RF Mosfet pHEMT FET 6V 180mA 3.55GHz 9dB 3W PLD-1.5
型号:
MRFG35003M6T1
仓库库存编号:
MRFG35003M6T1-ND
规格:电压 - 测试 6V,
含铅
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NXP USA Inc.
FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD
详细描述:RF Mosfet pHEMT FET 6V 180mA 3.55GHz 9dB 3W PLD-1.5
型号:
MRFG35003N6T1
仓库库存编号:
MRFG35003N6T1-ND
规格:电压 - 测试 6V,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
详细描述:RF Mosfet pHEMT FET 6V 65mA 3.55GHz 10dB 158mW PLD-1.5
型号:
MRFG35002N6AT1
仓库库存编号:
MRFG35002N6AT1-ND
规格:电压 - 测试 6V,
无铅
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