规格：电压 - 测试 2V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(45)
分立半导体产品
(45)
筛选品牌
Broadcom Limited (6)
CEL (39)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
CEL
FET RF 4V 20GHZ S03
详细描述：RF Mosfet HFET 2V 10mA 20GHz 13.5dB S03
型号：
NE3517S03-T1C-A
仓库库存编号：
NE3517S03-T1C-A-ND
规格：电压 - 测试 2V,
无铅
搜索
CEL
FET RF 4V 2GHZ SOT-343
详细描述：RF Mosfet HFET 2V 10mA 2GHz 17.5dB 11dBm M04
型号：
NE3509M04-T2-A
仓库库存编号：
NE3509M04-T2-ACT-ND
别名：NE3509M04-T2-ACT
规格：电压 - 测试 2V,
无铅
搜索
CEL
FET RF 4V 4GHZ M04
详细描述：RF Mosfet HFET 2V 15mA 4GHz 16dB M04
型号：
NE3510M04-T2-A
仓库库存编号：
NE3510M04-T2-ACT-ND
别名：NE3510M04-T2-ACT
规格：电压 - 测试 2V,
无铅
搜索
CEL
HJ-FET NCH 13.5DB S02
详细描述：RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02
型号：
NE3512S02-T1C-A
仓库库存编号：
NE3512S02-T1C-ACT-ND
别名：NE3512S02-T1C-ACT
规格：电压 - 测试 2V,
无铅
搜索
CEL
FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
详细描述：RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 13dB 125mW M04
型号：
NE3513M04-T2-A
仓库库存编号：
NE3513M04-T2-A-ND
规格：电压 - 测试 2V,
无铅
搜索
CEL
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
详细描述：RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 14dB 165mW S02
型号：
NE3516S02-T1C-A
仓库库存编号：
NE3516S02-T1C-A-ND
规格：电压 - 测试 2V,
无铅
搜索
CEL
FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
详细描述：RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 13dB 125mW M04
型号：
NE3513M04-A
仓库库存编号：
NE3513M04-A-ND
规格：电压 - 测试 2V,
无铅
搜索
CEL
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
详细描述：RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 14dB 165mW S02
型号：
NE3516S02-A
仓库库存编号：
NE3516S02-A-ND
规格：电压 - 测试 2V,
无铅
搜索
CEL
IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
详细描述：RF Mosfet N-Channel 2V 6mA 20GHz 10.5dB
型号：
NE3521M04-A
仓库库存编号：
NE3521M04-A-ND
规格：电压 - 测试 2V,
无铅
搜索
CEL
IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
详细描述：RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 6mA 20GHz 11dB
型号：
NE3521M04-T2-A
仓库库存编号：
NE3521M04-T2-ATR-ND
别名：NE3521M04-T2-ATR
规格：电压 - 测试 2V,
无铅
搜索
Broadcom Limited
FET RF 5V 12GHZ 0402
详细描述：RF Mosfet E-pHEMT 2V 20mA 12GHz 11dB 8dBm 0402
型号：
VMMK-1225-TR1G
仓库库存编号：
516-3241-1-ND
别名：516-3241-1
规格：电压 - 测试 2V,
无铅
搜索
CEL
FET RF 4V 12GHZ S01
详细描述：RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB SMD
型号：
NE3210S01
仓库库存编号：
NE3210S01-ND
规格：电压 - 测试 2V,
无铅
搜索
CEL
HJ-FET 13DB S01
详细描述：RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13dB SMD
型号：
NE4210S01
仓库库存编号：
NE4210S01-ND
规格：电压 - 测试 2V,
无铅
搜索
CEL
FET RF 4V 12GHZ S01
详细描述：RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB SMD
型号：
NE3210S01-T1B
仓库库存编号：
NE3210S01-T1B-ND
规格：电压 - 测试 2V,
无铅
搜索
CEL
HJ-FET 13DB S01
详细描述：RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13dB SMD
型号：
NE4210S01-T1B
仓库库存编号：
NE4210S01-T1B-ND
规格：电压 - 测试 2V,
无铅
搜索
CEL
IC AMP RF LNA 13.5DB S02
详细描述：RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02
型号：
NE3511S02-T1C-A
仓库库存编号：
NE3511S02-T1C-ACT-ND
别名：NE3511S02-T1C-ACT
规格：电压 - 测试 2V,
无铅
搜索
Broadcom Limited
FET RF 5V 12GHZ 0402
详细描述：RF Mosfet E-pHEMT 2V 20mA 12GHz 11dB 0402
型号：
VMMK-1225-TR2G
仓库库存编号：
VMMK-1225-TR2G-ND
规格：电压 - 测试 2V,
无铅
搜索
CEL
FET RF 4V 12GHZ M04
详细描述：RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12dB M04
型号：
NE3503M04-T2B-A
仓库库存编号：
NE3503M04-T2B-A-ND
规格：电压 - 测试 2V,
无铅
搜索
CEL
FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
详细描述：RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 13dB 125mW 4-Super Mini Mold
型号：
NE3513M04-T2B-A
仓库库存编号：
NE3513M04-T2B-A-ND
规格：电压 - 测试 2V,
无铅
搜索
CEL
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
详细描述：RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12.5dB 14dBm S02
型号：
NE3515S02-T1D-A
仓库库存编号：
NE3515S02-T1D-A-ND
规格：电压 - 测试 2V,
无铅
搜索
1
2
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
