规格：技术 GaNFET（氮化镓）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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EPC
TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 模具
型号：
EPC2038
仓库库存编号：
917-1138-1-ND
别名：917-1138-1
规格：技术 GaNFET（氮化镓）,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta）
型号：
EPC2037
仓库库存编号：
917-1137-1-ND
别名：917-1137-1
规格：技术 GaNFET（氮化镓）,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 模具
型号：
EPC2037ENGR
仓库库存编号：
917-EPC2037ENGRCT-ND
别名：917-EPC2037ENGRCT
规格：技术 GaNFET（氮化镓）,
无铅
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EPC
TRANS GAN 15V BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.4A（Ta） 模具
型号：
EPC2040ENGRT
仓库库存编号：
917-EPC2040ENGRCT-ND
别名：917-1139-1
917-1139-1-ND
917-EPC2040ENGRCT
规格：技术 GaNFET（氮化镓）,
无铅
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EPC
TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 模具剖面（5 焊条）
型号：
EPC2014
仓库库存编号：
917-1018-1-ND
别名：917-1018-1
规格：技术 GaNFET（氮化镓）,
无铅
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EPC
TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 模具
型号：
EPC8002
仓库库存编号：
917-1118-1-ND
别名：917-1118-1
规格：技术 GaNFET（氮化镓）,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 模具
型号：
EPC2045ENGRT
仓库库存编号：
917-EPC2045ENGRCT-ND
别名：917-EPC2045ENGRCT
规格：技术 GaNFET（氮化镓）,
无铅
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EPC
TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta） 模具剖面（11 焊条）
型号：
EPC2015
仓库库存编号：
917-1019-1-ND
别名：917-1019-1
规格：技术 GaNFET（氮化镓）,
无铅
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EPC
TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta） 模具剖面（11 焊条）
型号：
EPC2015
仓库库存编号：
917-1019-6-ND
别名：917-1019-6
规格：技术 GaNFET（氮化镓）,
无铅
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EPC
MOSFET NCH 40V 31A DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta） 模具
型号：
EPC2030ENGRT
仓库库存编号：
917-EPC2030ENGRCT-ND
别名：917-EPC2030ENGRCT
规格：技术 GaNFET（氮化镓）,
无铅
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EPC
TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
型号：
EPC2023ENGR
仓库库存编号：
917-EPC2023ENGRCT-ND
别名：917-EPC2023ENGRCT
规格：技术 GaNFET（氮化镓）,
无铅
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EPC
MOSFET NCH 40V 60A DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
型号：
EPC2024
仓库库存编号：
917-1106-1-ND
别名：917-1106-1
规格：技术 GaNFET（氮化镓）,
无铅
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EPC
TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Ta） 模具
型号：
EPC2020
仓库库存编号：
917-1105-1-ND
别名：917-1105-1
规格：技术 GaNFET（氮化镓）,
无铅
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Transphorm
GAN FET 600V 9A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 65W（Tc） TO-220
型号：
TPH3202PS
仓库库存编号：
TPH3202PS-ND
规格：技术 GaNFET（氮化镓）,
无铅
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Transphorm
GAN FET 600V 9A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 65W（Tc） TO-220
型号：
TPH3202PD
仓库库存编号：
TPH3202PD-ND
规格：技术 GaNFET（氮化镓）,
无铅
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Transphorm
GAN FET 650V 20A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 96W（Tc） TO-220
型号：
TPH3208PS
仓库库存编号：
TPH3208PS-ND
规格：技术 GaNFET（氮化镓）,
无铅
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Transphorm
GAN FET 600V 17A PQFN88
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 96W（Tc） PQFN（8x8）
型号：
TPH3206LD
仓库库存编号：
TPH3206LD-ND
规格：技术 GaNFET（氮化镓）,
无铅
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Transphorm
GAN FET 600V 17A PQFN88
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 96W（Tc） PQFN（8x8）
型号：
TPH3206LS
仓库库存编号：
TPH3206LS-ND
规格：技术 GaNFET（氮化镓）,
无铅
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Transphorm
GAN FET 600V 17A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 96W（Tc） TO-220
型号：
TPH3206PD
仓库库存编号：
TPH3206PD-ND
规格：技术 GaNFET（氮化镓）,
无铅
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Transphorm
GAN FET 650V 20A PQFN88
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 96W（Tc） PQFN（8x8）
型号：
TPH3208LS
仓库库存编号：
TPH3208LS-ND
规格：技术 GaNFET（氮化镓）,
无铅
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Transphorm
GAN FET 650V 27A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 27A（Tc） 104W（Tc） TO-220
型号：
TPH3212PS
仓库库存编号：
TPH3212PS-ND
规格：技术 GaNFET（氮化镓）,
无铅
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EPC
TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 模具
型号：
EPC2018
仓库库存编号：
917-1034-1-ND
别名：917-1034-1
规格：技术 GaNFET（氮化镓）,
无铅
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EPC
MOSFET NCH 15V 3.4A DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 15V 3.4A（Ta） 模具
型号：
EPC2040
仓库库存编号：
917-1153-2-ND
别名：917-1153-2
规格：技术 GaNFET（氮化镓）,
无铅
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EPC
MOSFET NCH 15V 3.4A DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 15V 3.4A（Ta） 模具
型号：
EPC2040
仓库库存编号：
917-1153-1-ND
别名：917-1153-1
规格：技术 GaNFET（氮化镓）,
无铅
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EPC
MOSFET NCH 15V 3.4A DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 15V 3.4A（Ta） 模具
型号：
EPC2040
仓库库存编号：
917-1153-6-ND
别名：917-1153-6
规格：技术 GaNFET（氮化镓）,
无铅
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