规格:技术 GaNFET(氮化镓),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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EPC
TRANS GAN 80V BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 6.8A(Ta) 模具
型号:
EPC2039
仓库库存编号:
917-1147-1-ND
别名:917-1147-1
规格:技术 GaNFET(氮化镓),
无铅
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EPC
TRANS GAN 200V BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 模具
型号:
EPC2046ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2046ENGRCT-ND
别名:917-EPC2046ENGRCT
规格:技术 GaNFET(氮化镓),
无铅
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Transphorm
GAN FET 600V 9A PQFN88
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 65W(Tc) PQFN(8x8)
型号:
TPH3202LS
仓库库存编号:
TPH3202LS-ND
规格:技术 GaNFET(氮化镓),
无铅
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Transphorm
MOSFET N-CH GANFET 650V 16A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 81W(Tc) PQFN(8x8)
型号:
TPH3206LDB
仓库库存编号:
TPH3206LDB-ND
规格:技术 GaNFET(氮化镓),
搜索
Transphorm
MOSFET N-CH GANFET 650V 16A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 81W(Tc) PQFN(8x8)
型号:
TPH3206LSB
仓库库存编号:
TPH3206LSB-ND
规格:技术 GaNFET(氮化镓),
搜索
Transphorm
GAN FET 650V 16A PQFN88
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 81W(Tc) PQFN(8x8)
型号:
TPH3206LDGB
仓库库存编号:
TPH3206LDGB-ND
别名:TPH3206LDG
TPH3206LDG-ND
规格:技术 GaNFET(氮化镓),
无铅
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Transphorm
GAN FET 650V 20A PQFN88
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 96W(Tc) PQFN(8x8)
型号:
TPH3208LDG
仓库库存编号:
TPH3208LDG-ND
规格:技术 GaNFET(氮化镓),
无铅
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Transphorm
GAN FET 650V 35A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 125W(Tc) TO-247
型号:
TPH3205WSBQA
仓库库存编号:
TPH3205WSBQA-ND
规格:技术 GaNFET(氮化镓),
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EPC
TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 模具
型号:
EPC2038ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2038ENGRCT-ND
别名:917-EPC2038ENGRCT
规格:技术 GaNFET(氮化镓),
无铅
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EPC
MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Ta) 模具
型号:
EPC2036ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2036ENGRCT-ND
别名:917-EPC2036ENGRCT
规格:技术 GaNFET(氮化镓),
无铅
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EPC
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 模具
型号:
EPC2012
仓库库存编号:
917-1017-1-ND
别名:917-1017-1
规格:技术 GaNFET(氮化镓),
无铅
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EPC
TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta) 模具
型号:
EPC2034ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2034ENGRCT-ND
别名:917-1142-1
917-1142-1-ND
917-EPC2034ENGRCT
规格:技术 GaNFET(氮化镓),
无铅
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EPC
TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta) 模具
型号:
EPC2033ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2033ENGRCT-ND
别名:917-1141-1
917-1141-1-ND
917-EPC2033ENGRCT
规格:技术 GaNFET(氮化镓),
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 48A(Ta) 模具
型号:
EPC2032ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2032ENGRCT-ND
别名:917-EPC2032ENGRCT
规格:技术 GaNFET(氮化镓),
无铅
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EPC
TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 模具
型号:
EPC2010
仓库库存编号:
917-1016-1-ND
别名:917-1016-1
规格:技术 GaNFET(氮化镓),
无铅
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EPC
TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 模具
型号:
EPC2020ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2020ENGRCT-ND
别名:917-EPC2020ENGRCT
规格:技术 GaNFET(氮化镓),
无铅
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EPC
TRANS GAN 200V BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Ta) 模具
型号:
EPC2047ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2047ENGRCT-ND
别名:917-EPC2047ENGRCT
规格:技术 GaNFET(氮化镓),
无铅
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EPC
TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 模具
型号:
EPC2023ENG
仓库库存编号:
917-EPC2023ENG-ND
别名:917-EPC2023ENG
EPC2023ENGRC2
规格:技术 GaNFET(氮化镓),
无铅
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TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 模具
型号:
EPC2021ENG
仓库库存编号:
917-EPC2021ENG-ND
别名:917-EPC2021ENG
EPC2021ENGRB3
规格:技术 GaNFET(氮化镓),
无铅
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Transphorm
GAN FET 600V 9A PQFN88
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 65W(Tc) PQFN(8x8)
型号:
TPH3202LD
仓库库存编号:
TPH3202LD-ND
规格:技术 GaNFET(氮化镓),
无铅
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MOSFET N-CH GANFET 650V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 81W(Tc) TO-220AB
型号:
TPH3206PSB
仓库库存编号:
TPH3206PSB-ND
规格:技术 GaNFET(氮化镓),
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EPC
TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 模具
型号:
EPC2024ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2024ENGRCT-ND
别名:917-EPC2024ENGRCT
规格:技术 GaNFET(氮化镓),
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta) 模具
型号:
EPC2016C
仓库库存编号:
917-1080-1-ND
别名:917-1080-1
规格:技术 GaNFET(氮化镓),
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 6A(Ta) 模具剖面(5 焊条)
型号:
EPC2007
仓库库存编号:
917-1015-1-ND
别名:917-1015-1
规格:技术 GaNFET(氮化镓),
无铅
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EPC
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 模具剖面(4 焊条)
型号:
EPC2012CENGR
仓库库存编号:
917-EPC2012CENGRCT-ND
别名:917-EPC2012CENGRCT
规格:技术 GaNFET(氮化镓),
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