品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 33A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT33N90JCCU2
仓库库存编号:
APT33N90JCCU2-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 31A(Tc) 657W(Tc) SP1
型号:
APTM120DA30T1G
仓库库存编号:
APTM120DA30T1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 22A(Tc) 690W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT12057B2FLLG
仓库库存编号:
APT12057B2FLLG-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX
详细描述:通孔 N 沟道 600V 73A(Tc) 893W(Tc) 264 MAX? [L2]
型号:
APT60M75L2LLG
仓库库存编号:
APT60M75L2LLG-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX
详细描述:通孔 N 沟道 600V 73A(Tc) 893W(Tc) 264 MAX? [L2]
型号:
APT60M75L2FLLG
仓库库存编号:
APT60M75L2FLLG-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 95A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 95A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC60DAM24T1G
仓库库存编号:
APTC60DAM24T1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 25A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT10035JLL
仓库库存编号:
APT10035JLL-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 109A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 109A(Tc) 480W(Tc) SP1
型号:
APTML20UM18R010T1AG
仓库库存编号:
APTML20UM18R010T1AG-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 154A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 154A(Tc) 480W(Tc) SP1
型号:
APTML10UM09R004T1AG
仓库库存编号:
APTML10UM09R004T1AG-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 44A(Tc) 450W(Tc) SOT-227
型号:
APT5010JVRU3
仓库库存编号:
APT5010JVRU3-ND
别名:APT5010JVRU3MI
APT5010JVRU3MI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 71A(Tc) 595W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT50M50JLL
仓库库存编号:
APT50M50JLL-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 500V 58A(Tc) 730W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APL502B2G
仓库库存编号:
APL502B2G-ND
别名:APL502B2GMI
APL502B2GMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 11A TO-204AA
详细描述:通孔 P 沟道 100V 11A(Tc) 4W(Ta),75W(Tc) TO-204AA
型号:
JANTX2N6804
仓库库存编号:
1088-1031-ND
别名:1088-1031
1088-1031-MIL
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 600V 49A(Tc) 730W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APL602B2G
仓库库存编号:
APL602B2G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 33A(Tc) 960W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT32F120J
仓库库存编号:
APT32F120J-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 59A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC90SKM60T1G
仓库库存编号:
APTC90SKM60T1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 59A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC90DAM60T1G
仓库库存编号:
APTC90DAM60T1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 49A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 49A(Tc) 730W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APL602LG
仓库库存编号:
APL602LG-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 84A(Tc) 960W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT80M60J
仓库库存编号:
APT80M60J-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 45A(Tc) 960W(Tc) SOT-227
型号:
APT45M100J
仓库库存编号:
APT45M100J-ND
别名:APT45M100JMI
APT45M100JMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 84A(Tc) 961W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT80F60J
仓库库存编号:
APT80F60J-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 31A(Tc) 657W(Tc) SP1
型号:
APTM120DA30CT1G
仓库库存编号:
APTM120DA30CT1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 95A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 95A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC60SKM24CT1G
仓库库存编号:
APTC60SKM24CT1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 175A(Tc) 700W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT20M11JVR
仓库库存编号:
APT20M11JVR-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 58A(Tc) 595W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT60M75JLL
仓库库存编号:
APT60M75JLL-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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