品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 550V 77A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 550V 77A(Tc) 694W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT55M50JFLL
仓库库存编号:
APT55M50JFLL-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 550V 63A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 550V 63A(Tc) 595W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT55M65JFLL
仓库库存编号:
APT55M65JFLL-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 5A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT5F100K
仓库库存编号:
APT5F100K-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 62A(Tc) 700W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT60M75JVFR
仓库库存编号:
APT60M75JVFR-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 55A(Tc) 568W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT60M80JVR
仓库库存编号:
APT60M80JVR-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 6A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT6M100K
仓库库存编号:
APT6M100K-ND
别名:APT6M100KMI
APT6M100KMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT7F80K
仓库库存编号:
APT7F80K-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 42A(Tc) 595W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT8014JLL
仓库库存编号:
APT8014JLL-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 29A(Tc) 460W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT8024JLL
仓库库存编号:
APT8024JLL-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 31A(Tc) 565W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT8024LLLG
仓库库存编号:
APT8024LLLG-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 8A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT8M80K
仓库库存编号:
APT8M80K-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 52A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT50N60JCU2
仓库库存编号:
APT50N60JCU2-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 72A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 72A(Tc) 416W(Tc) SP1
型号:
APTC60DAM35T1G
仓库库存编号:
APTC60DAM35T1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 72A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 72A(Tc) 416W(Tc) SP1
型号:
APTC60SKM35T1G
仓库库存编号:
APTC60SKM35T1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 28A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 28A(Tc) 277W(Tc) SP1
型号:
APTC80DA15T1G
仓库库存编号:
APTC80DA15T1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 28A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 28A(Tc) 277W(Tc) SP1
型号:
APTC80SK15T1G
仓库库存编号:
APTC80SK15T1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 40A(Tc) 657W(Tc) SP1
型号:
APTM100DA18T1G
仓库库存编号:
APTM100DA18T1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 20A(Tc) 357W(Tc) SP1
型号:
APTM100DA40T1G
仓库库存编号:
APTM100DA40T1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 20A(Tc) 357W(Tc) SP1
型号:
APTM100SK40T1G
仓库库存编号:
APTM100SK40T1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 65A J3
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 65A(Tc) 1250W(Tc) 模块
型号:
APTM100U13SG
仓库库存编号:
APTM100U13SG-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 60A(Tc) 1250W(Tc) SP6
型号:
APTM120DA15G
仓库库存编号:
APTM120DA15G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 34A(Tc) 780W(Tc) SP4
型号:
APTM120DA29TG
仓库库存编号:
APTM120DA29TG-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 18A(Tc) 390W(Tc) SP1
型号:
APTM120DA56T1G
仓库库存编号:
APTM120DA56T1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 15A(Tc) 357W(Tc) SP1
型号:
APTM120DA68T1G
仓库库存编号:
APTM120DA68T1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 60A(Tc) 1250W(Tc) SP6
型号:
APTM120SK15G
仓库库存编号:
APTM120SK15G-ND
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