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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN340P
  仓库库存编号：FDN340PCT-ND
  别名：FDN340P_F095CT
  FDN340P_F095CT-ND
  FDN340PCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 150mW（Ta） SC-75A
  
  型号：SI1012R-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1012R-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1012R-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 350mA（Ta） 150mW（Ta） SC-75A
  
  型号：SI1013R-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1013R-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1013R-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
  
  型号：RTR040N03TL
  仓库库存编号：RTR040N03TLCT-ND
  别名：RTR040N03TLCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 1.4A SC70-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.4A（Ta） 350mW（Ta） SC-70-3
  
  型号：AO7401
  仓库库存编号：785-1085-1-ND
  别名：785-1085-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 900mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXM61P02FTA
  仓库库存编号：ZXM61P02FCT-ND
  别名：ZXM61P02F
  ZXM61P02FCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.4A（Tc） 500mW（Tc） SOT-323
  
  型号：SI1317DL-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1317DL-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1317DL-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.24A（Ta） 430mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN2300U-7
  仓库库存编号：DMN2300U-7DICT-ND
  别名：DMN2300U-7DICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN2B01FTA
  仓库库存编号：ZXMN2B01FCT-ND
  别名：ZXMN2B01FCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Ta） 480mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV65XP,215
  仓库库存编号：1727-3124-1-ND
  别名：1727-3124-1
  568-2358-1
  568-2358-1-ND
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 350mA（Ta） 250mW（Ta） SC-89-3
  
  型号：SI1013X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1013X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1013X-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 500mW（Ta） UFM
  
  型号：SSM3K123TU,LF
  仓库库存编号：SSM3K123TULFCT-ND
  别名：SSM3K123TU(T5LT)CT
  SSM3K123TU(T5LT)CT-ND
  SSM3K123TU(TE85L)CT
  SSM3K123TU(TE85L)CT-ND
  SSM3K123TULFCT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 20V 8.6A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.6A（Ta） 2W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：AO6404
  仓库库存编号：785-1071-1-ND
  别名：785-1071-1
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2315BDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2315BDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2315BDS-T1-E3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Tc） 1.1W（Ta），1.8W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2307CDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2307CDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2307CDS-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN357N
  仓库库存编号：FDN357NCT-ND
  别名：FDN357NCT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 1.1W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2300DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2300DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2300DS-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 350mW（Ta） X2-DFN1006-3
  
  型号：DMN32D2LFB4-7
  仓库库存编号：DMN32D2LFB4DICT-ND
  别名：DMN32D2LFB4DICT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 190mA（Ta） 250mW（Ta） SC-75A
  
  型号：SI1021R-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1021R-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1021R-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 4A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Tc） 1.6W（Ta），2.8W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1401EDH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1401EDH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1401EDH-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.6A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） TO-236
  
  型号：SI2369DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2369DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2369DS-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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  MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2312BDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2312BDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2312BDS-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2312BDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2312BDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2312BDS-T1-E3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.4A（Tc） 1.25W（Ta），1.8W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2377EDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2377EDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2377EDS-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 1.25W（Ta），2.1W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2312CDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2312CDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2312CDS-T1-GE3CT
  
  规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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