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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 100A 833W TMAX
  详细描述：IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole
  
  型号：APT65GP60B2G
  仓库库存编号：APT65GP60B2G-ND
  
  规格：栅极电荷 210nC,
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• Infineon Technologies
  IGBT 650V 100A SGL TO-247-4
  详细描述：IGBT Trench 650V 161A 536W Through Hole PG-TO247-4
  
  型号：IGZ100N65H5XKSA1
  仓库库存编号：IGZ100N65H5XKSA1-ND
  别名：IGZ100N65H5
  SP001160058
  
  规格：栅极电荷 210nC,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 70A 368W TO264
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 70A 368W Through Hole TO-264-3
  
  型号：FGL35N120FTDTU
  仓库库存编号：FGL35N120FTDTU-ND
  
  规格：栅极电荷 210nC,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  IGBT 650V 140A 455W TO247AC
  详细描述：IGBT 650V 140A 455W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP4266DPBF
  仓库库存编号：IRGP4266DPBF-ND
  别名：SP001542370
  
  规格：栅极电荷 210nC,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB40H65FB
  仓库库存编号：497-16977-1-ND
  别名：497-16977-1
  
  规格：栅极电荷 210nC,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 80A 283W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT40H60DLFB
  仓库库存编号：497-14228-5-ND
  别名：497-14228-5
  
  规格：栅极电荷 210nC,
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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT40H65FB
  仓库库存编号：497-14230-5-ND
  别名：497-14230-5
  
  规格：栅极电荷 210nC,
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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT40H65DFB
  仓库库存编号：497-14229-5-ND
  别名：497-14229-5
  
  规格：栅极电荷 210nC,
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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 80A 283W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW40H65FB
  仓库库存编号：497-14036-5-ND
  别名：497-14036-5
  
  规格：栅极电荷 210nC,
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• IXYS
  IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK
  详细描述：IGBT 3600V 70A 290W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXBF50N360
  仓库库存编号：IXBF50N360-ND
  
  规格：栅极电荷 210nC,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 88A 500W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 88A 500W Through Hole TO-247-3
  
  型号：APT40GR120B2D30
  仓库库存编号：APT40GR120B2D30-ND
  
  规格：栅极电荷 210nC,
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• STMicroelectronics
  TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT40HP65FB
  仓库库存编号：497-16972-ND
  别名：497-16972
  
  规格：栅极电荷 210nC,
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• STMicroelectronics
  IGBT HB 650V 40A ISOWATT218
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 62.5W Through Hole TO-3PF-3
  
  型号：STGFW40H65FB
  仓库库存编号：497-15540-5-ND
  别名：497-15540-5
  
  规格：栅极电荷 210nC,
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• IXYS
  IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS
  详细描述：IGBT 3600V 125A 660W Through Hole TO-247-3
  
  型号：IXBX50N360HV
  仓库库存编号：IXBX50N360HV-ND
  
  规格：栅极电荷 210nC,
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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 80A 283W TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW40H65DFB
  仓库库存编号：497-14365-ND
  别名：497-14365
  
  规格：栅极电荷 210nC,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 88A 500W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 88A 500W Through Hole TO-247-3
  
  型号：APT40GR120B
  仓库库存编号：APT40GR120B-ND
  
  规格：栅极电荷 210nC,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 88A 500W D3PAK
  详细描述：IGBT NPT 1200V 88A 500W Surface Mount D3Pak
  
  型号：APT40GR120S
  仓库库存编号：APT40GR120S-ND
  
  规格：栅极电荷 210nC,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 88A 500W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 88A 500W Through Hole TO-247
  
  型号：APT40GR120B2SCD10
  仓库库存编号：APT40GR120B2SCD10-ND
  
  规格：栅极电荷 210nC,
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• Global Power Technologies Group
  IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
  详细描述：IGBT NPT and Trench Through Hole TO-3PN
  
  型号：GPA015A120MN-ND
  仓库库存编号：1560-1215-5-ND
  别名：1560-1215-1
  1560-1215-1-ND
  
  规格：栅极电荷 210nC,
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• Global Power Technologies Group
  IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3PN
  
  型号：GPA020A120MN-FD
  仓库库存编号：1560-1216-5-ND
  别名：1560-1216-1
  1560-1216-1-ND
  
  规格：栅极电荷 210nC,
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• STMicroelectronics
  IGBT TRENCH 650V 80A TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：STGWA40H65DFB
  仓库库存编号：STGWA40H65DFB-ND
  
  规格：栅极电荷 210nC,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 80A 283W TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247
  
  型号：STGW40H60DLFB
  仓库库存编号：497-14364-ND
  别名：497-14364
  
  规格：栅极电荷 210nC,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 198A 833W TO264
  详细描述：IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole
  
  型号：APT65GP60L2DQ2G
  仓库库存编号：APT65GP60L2DQ2G-ND
  别名：APT65GP60L2DQ2GMI
  APT65GP60L2DQ2GMI-ND
  
  规格：栅极电荷 210nC,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 100A DIE
  详细描述：IGBT 1200V
  
  型号：IRG8CH37K10F
  仓库库存编号：IRG8CH37K10F-ND
  别名：SP001532998
  
  规格：栅极电荷 210nC,
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• Infineon Technologies
  IGBT 650V TO-247
  详细描述：IGBT 650V 140A 455W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP4790D-EPBF
  仓库库存编号：IRGP4790D-EPBF-ND
  别名：SP001542360
  
  规格：栅极电荷 210nC,
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