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• Infineon Technologies
  IGBT 650V 75A CO-PACK TO-247-4
  详细描述：IGBT Trench 650V 90A 395W Through Hole PG-TO247-4
  
  型号：IKZ75N65NH5XKSA1
  仓库库存编号：IKZ75N65NH5XKSA1-ND
  别名：IKZ75N65NH5
  SP001160050
  
  规格：栅极电荷 166nC,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  IGBT 650V 90A W/DIO TO247-4
  详细描述：IGBT 650V 90A 395W Through Hole PG-TO247-4
  
  型号：IKZ75N65EH5XKSA1
  仓库库存编号：IKZ75N65EH5XKSA1-5-ND
  别名：IKZ75N65EH5XKSA1-5
  SP001160046
  
  规格：栅极电荷 166nC,
• 无铅
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• Renesas Electronics America
  IGBT 1200V 70A 320W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench 1200V 70A 320W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH1CV7DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH1CV7DPK-00#T0-ND
  别名：RJH1CV7DPK00T0
  
  规格：栅极电荷 166nC,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  IGBT 600V 30A TO247
  详细描述：IGBT Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTB30N60L2WG
  仓库库存编号：NGTB30N60L2WG-ND
  
  规格：栅极电荷 166nC,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  IGBT 650V 75A SGL TO-247-4
  详细描述：IGBT Trench 650V 119A 395W Through Hole PG-TO247-4
  
  型号：IGZ75N65H5XKSA1
  仓库库存编号：IGZ75N65H5XKSA1-ND
  别名：IGZ75N65H5
  SP001160054
  
  规格：栅极电荷 166nC,
• 无铅
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• Renesas Electronics America
  IGBT 1200V 70A 320W TO247
  详细描述：IGBT Trench 1200V 70A 320W Through Hole TO-247
  
  型号：RJH1CV7DPQ-E0#T2
  仓库库存编号：RJH1CV7DPQ-E0#T2-ND
  
  规格：栅极电荷 166nC,
• 无铅
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