规格:栅极电荷 170nC,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(35)
分立半导体产品
(35)
筛选品牌
Fairchild/ON Semiconductor (2)
Infineon Technologies (3)
IXYS (19)
Microsemi Corporation (5)
ON Semiconductor (6)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 54A 347W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 54A 347W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT25GT120BRG
仓库库存编号:
APT25GT120BRG-ND
别名:APT25GT120BRGMI
APT25GT120BRGMI-ND
规格:栅极电荷 170nC,
无铅
搜索
ON Semiconductor
IGBT 600V 60A 167W TO247
详细描述:IGBT Trench 600V 60A 167W Through Hole TO-247
型号:
NGTG30N60FWG
仓库库存编号:
NGTG30N60FWGOS-ND
别名:NGTG30N60FWGOS
规格:栅极电荷 170nC,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 52A 297W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 52A 297W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT33GF120BRG
仓库库存编号:
APT33GF120BRG-ND
别名:APT33GF120BRGMI
APT33GF120BRGMI-ND
规格:栅极电荷 170nC,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1350V 40A 288W TO247
详细描述:IGBT 1350V 40A 288W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IHW20N135R5XKSA1
仓库库存编号:
IHW20N135R5XKSA1-ND
别名:SP001078568
规格:栅极电荷 170nC,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 40A 288W TO247
详细描述:IGBT 1200V 40A 288W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IHW20N120R5XKSA1
仓库库存编号:
IHW20N120R5XKSA1-ND
别名:SP001150026
规格:栅极电荷 170nC,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 54A 347W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 54A 347W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT25GT120BRDQ2G
仓库库存编号:
APT25GT120BRDQ2G-ND
别名:APT25GT120BRDQ2GMI
APT25GT120BRDQ2GMI-ND
规格:栅极电荷 170nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1200V 75A 300W TO247
详细描述:IGBT 1200V 75A 300W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH45N120
仓库库存编号:
IXGH45N120-ND
别名:Q2124563
规格:栅极电荷 170nC,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 64A 357W TMAX
详细描述:IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole
型号:
APT33GF120B2RDQ2G
仓库库存编号:
APT33GF120B2RDQ2G-ND
别名:APT33GF120B2RDQ2GMI
APT33GF120B2RDQ2GMI-ND
规格:栅极电荷 170nC,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 60A 208W TO247
详细描述:IGBT 600V 60A 208W Through Hole TO-247
型号:
HGTG30N60B3D
仓库库存编号:
HGTG30N60B3D-ND
规格:栅极电荷 170nC,
无铅
搜索
ON Semiconductor
IGBT 600V 60A 250W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247
型号:
NGTG30N60FLWG
仓库库存编号:
NGTG30N60FLWGOS-ND
别名:NGTG30N60FLWGOS
规格:栅极电荷 170nC,
无铅
搜索
ON Semiconductor
IGBT 600V 80A 366W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247
型号:
NGTB40N60FL2WG
仓库库存编号:
NGTB40N60FL2WGOS-ND
别名:NGTB40N60FL2WGOS
规格:栅极电荷 170nC,
无铅
搜索
ON Semiconductor
IGBT 650V 80A 366W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247
型号:
NGTB40N65FL2WG
仓库库存编号:
NGTB40N65FL2WGOS-ND
别名:NGTB40N65FL2WGOS
规格:栅极电荷 170nC,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 60A 208W TO247
详细描述:IGBT Through Hole TO-247
型号:
HGTG30N60B3
仓库库存编号:
HGTG30N60B3FS-ND
别名:HGTG30N60B3-ND
HGTG30N60B3FS
规格:栅极电荷 170nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1200V 75A 300W TO268
详细描述:IGBT 1200V 75A 300W Surface Mount TO-268
型号:
IXGT45N120
仓库库存编号:
IXGT45N120-ND
规格:栅极电荷 170nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1200V 70A 300W TO268
详细描述:IGBT PT 1200V 70A 300W Surface Mount TO-268
型号:
IXGT35N120B
仓库库存编号:
IXGT35N120B-ND
规格:栅极电荷 170nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1200V 70A 350W TO264AA
详细描述:IGBT PT 1200V 70A 350W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号:
IXGK35N120B
仓库库存编号:
IXGK35N120B-ND
规格:栅极电荷 170nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1200V 70A 350W PLUS247
详细描述:IGBT PT 1200V 70A 350W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXGX35N120B
仓库库存编号:
IXGX35N120B-ND
规格:栅极电荷 170nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1200V 70A 350W TO264AA
详细描述:IGBT 1200V 70A 350W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号:
IXGK35N120BD1
仓库库存编号:
IXGK35N120BD1-ND
规格:栅极电荷 170nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1200V 70A 200W ISOPLUS247
详细描述:IGBT PT 1200V 70A 200W Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXGR35N120B
仓库库存编号:
IXGR35N120B-ND
规格:栅极电荷 170nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1200V 70A 350W PLUS247
详细描述:IGBT 1200V 70A 350W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXGX35N120BD1
仓库库存编号:
IXGX35N120BD1-ND
规格:栅极电荷 170nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1200V 70A 350W PLUS247
详细描述:IGBT 1200V 70A 350W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号:
IXGK35N120CD1
仓库库存编号:
IXGK35N120CD1-ND
规格:栅极电荷 170nC,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 35A Surface Mount Die
型号:
IRG7CH50K10EF
仓库库存编号:
IRG7CH50K10EF-ND
别名:SP001532664
规格:栅极电荷 170nC,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 64A 357W TO264
详细描述:IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole TO-264 [L]
型号:
APT33GF120LRDQ2G
仓库库存编号:
APT33GF120LRDQ2G-ND
别名:APT33GF120LRDQ2GMI
APT33GF120LRDQ2GMI-ND
规格:栅极电荷 170nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1200V 70A 300W TO247
详细描述:IGBT PT 1200V 70A 300W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH35N120B
仓库库存编号:
IXGH35N120B-ND
规格:栅极电荷 170nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 600V 75A 500W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 75A 500W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH60N60B2
仓库库存编号:
IXGH60N60B2-ND
规格:栅极电荷 170nC,
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号