规格:栅极电荷 315nC,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
IGBT 600V 100A 333W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 100A 333W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW50N60H3FKSA1
仓库库存编号:
IKW50N60H3FKSA1-ND
别名:IKW50N60H3
IKW50N60H3-ND
SP000852244
规格:栅极电荷 315nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 100A 333W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 100A 333W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IGW50N60H3FKSA1
仓库库存编号:
IGW50N60H3FKSA1-ND
别名:IGW50N60H3
IGW50N60H3-ND
SP000702548
规格:栅极电荷 315nC,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 134A 543W TO264
详细描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 134A 543W Through Hole
型号:
APT50GN120L2DQ2G
仓库库存编号:
APT50GN120L2DQ2G-ND
别名:APT50GN120L2DQ2GMI
APT50GN120L2DQ2GMI-ND
规格:栅极电荷 315nC,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 175A 520W SMPD
详细描述:IGBT 600V 175A 520W Surface Mount 24-SMPD
型号:
MMIX1X200N60B3H1
仓库库存编号:
MMIX1X200N60B3H1-ND
规格:栅极电荷 315nC,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 134A 543W TO-247
详细描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 134A 543W Through Hole
型号:
APT50GN120B2G
仓库库存编号:
APT50GN120B2G-ND
规格:栅极电荷 315nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 600V 200A PLUS247
详细描述:IGBT PT 600V 340A Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXXX200N60C3
仓库库存编号:
IXXX200N60C3-ND
规格:栅极电荷 315nC,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 380A 1630W TO264
详细描述:IGBT PT 600V 380A 1630W Through Hole TO-264 (IXXK)
型号:
IXXK200N60B3
仓库库存编号:
IXXK200N60B3-ND
规格:栅极电荷 315nC,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 340A 1630W TO264
详细描述:IGBT PT 600V 340A 1630W Through Hole TO-264 (IXXK)
型号:
IXXK200N60C3
仓库库存编号:
IXXK200N60C3-ND
规格:栅极电荷 315nC,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 223A 625W SMPD
详细描述:IGBT PT 600V 223A 625W Surface Mount SMPD
型号:
MMIX1X200N60B3
仓库库存编号:
MMIX1X200N60B3-ND
规格:栅极电荷 315nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC
详细描述:IGBT 1200V 80A 350W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG8P50N120KDPBF
仓库库存编号:
IRG8P50N120KDPBF-ND
别名:SP001549644
规格:栅极电荷 315nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD
详细描述:IGBT 1200V 80A 350W Through Hole TO-247AD
型号:
IRG8P50N120KD-EPBF
仓库库存编号:
IRG8P50N120KD-EPBF-ND
别名:SP001546104
规格:栅极电荷 315nC,
无铅
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