规格:系列 POWER MOS 7?,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 463W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT30GP60BDQ1G
仓库库存编号:
APT30GP60BDQ1G-ND
别名:APT30GP60BDQ1GMP
APT30GP60BDQ1GMP-ND
规格:系列 POWER MOS 7?,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
详细描述:IGBT PT 1200V 100A 1042W Through Hole
型号:
APT75GP120B2G
仓库库存编号:
APT75GP120B2G-ND
别名:APT75GP120B2GMI
APT75GP120B2GMI-ND
规格:系列 POWER MOS 7?,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 58A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT50M65JFLL
仓库库存编号:
APT50M65JFLL-ND
规格:系列 POWER MOS 7?,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 128A 543W SOT227
详细描述:IGBT Module PT Single 1200V 128A 543W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT75GP120JDQ3
仓库库存编号:
APT75GP120JDQ3-ND
别名:APT75GP120JDQ3MI
APT75GP120JDQ3MI-ND
规格:系列 POWER MOS 7?,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 520W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT5010LLLG
仓库库存编号:
APT5010LLLG-ND
规格:系列 POWER MOS 7?,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 833W TMAX
详细描述:IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole
型号:
APT65GP60B2G
仓库库存编号:
APT65GP60B2G-ND
规格:系列 POWER MOS 7?,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
详细描述:IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole
型号:
APT45GP120B2DQ2G
仓库库存编号:
APT45GP120B2DQ2G-ND
别名:APT45GP120B2DQ2GMI
APT45GP120B2DQ2GMI-ND
规格:系列 POWER MOS 7?,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 128A 543W SOT227
详细描述:IGBT Module PT Single 1200V 128A 543W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT75GP120J
仓库库存编号:
APT75GP120J-ND
别名:APT75GP120JMI
APT75GP120JMI-ND
规格:系列 POWER MOS 7?,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 18A 357W Chassis Mount SP4
型号:
APTM100H45SCTG
仓库库存编号:
APTM100H45SCTG-ND
规格:系列 POWER MOS 7?,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 135W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT1204R7BFLLG
仓库库存编号:
APT1204R7BFLLG-ND
规格:系列 POWER MOS 7?,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 520W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT5010LFLLG
仓库库存编号:
APT5010LFLLG-ND
规格:系列 POWER MOS 7?,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 100A 625W TO247
详细描述:IGBT PT 1200V 100A 625W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT45GP120BG
仓库库存编号:
APT45GP120BG-ND
别名:APT45GP120BGMI
APT45GP120BGMI-ND
规格:系列 POWER MOS 7?,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 33A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT8020JLL
仓库库存编号:
APT8020JLL-ND
规格:系列 POWER MOS 7?,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 58A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT50M65JLL
仓库库存编号:
APT50M65JLL-ND
规格:系列 POWER MOS 7?,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 58A(Tc) 595W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT60M75JFLL
仓库库存编号:
APT60M75JFLL-ND
规格:系列 POWER MOS 7?,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 88A(Tc) 694W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT50M38JLL
仓库库存编号:
APT50M38JLL-ND
规格:系列 POWER MOS 7?,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 70A(Tc) 694W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT60M60JFLL
仓库库存编号:
APT60M60JFLL-ND
规格:系列 POWER MOS 7?,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 37A(Tc) 694W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT10021JLL
仓库库存编号:
APT10021JLL-ND
规格:系列 POWER MOS 7?,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 139W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT1003RBLLG
仓库库存编号:
APT1003RBLLG-ND
规格:系列 POWER MOS 7?,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 543W TMAX
详细描述:IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole
型号:
APT40GP60B2DQ2G
仓库库存编号:
APT40GP60B2DQ2G-ND
别名:APT40GP60B2DQ2GMP
APT40GP60B2DQ2GMP-ND
规格:系列 POWER MOS 7?,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 100A 543W TO247
详细描述:IGBT PT 900V 100A 543W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT40GP90BG
仓库库存编号:
APT40GP90BG-ND
别名:APT40GP90BGMI
APT40GP90BGMI-ND
规格:系列 POWER MOS 7?,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 96A 543W TO247
详细描述:IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT35GP120BG
仓库库存编号:
APT35GP120BG-ND
别名:APT35GP120BGMI
APT35GP120BGMI-ND
规格:系列 POWER MOS 7?,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 520W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT5010B2FLLG
仓库库存编号:
APT5010B2FLLG-ND
规格:系列 POWER MOS 7?,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 96A 543W TMAX
详细描述:IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole
型号:
APT35GP120B2DQ2G
仓库库存编号:
APT35GP120B2DQ2G-ND
别名:APT35GP120B2DQ2GMI
APT35GP120B2DQ2GMI-ND
规格:系列 POWER MOS 7?,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 403W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT10078BLLG
仓库库存编号:
APT10078BLLG-ND
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