以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 64A 284W SOT227
  详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 64A 284W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT35GP120J
  仓库库存编号：APT35GP120J-ND
  别名：APT35GP120JMI
  APT35GP120JMI-ND
  
  规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 151A 462W SOT227
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 151A 462W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT80GP60J
  仓库库存编号：APT80GP60J-ND
  别名：APT80GP60JMI
  APT80GP60JMI-ND
  
  规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 34A 780W Chassis Mount SP6
  
  型号：APTM120H29FG
  仓库库存编号：APTM120H29FG-ND
  别名：APTM120H29FGMI
  APTM120H29FGMI-ND
  
  规格：系列 POWER MOS 7?,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 215A（Tc） 5000W（Tc） SP6
  
  型号：APTM100UM45DAG
  仓库库存编号：APTM100UM45DAG-ND
  
  规格：系列 POWER MOS 7?,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 41A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 41A（Tc） 378W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT5010JLLU3
  仓库库存编号：APT5010JLLU3-ND
  
  规格：系列 POWER MOS 7?,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 21A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT10045JLL
  仓库库存编号：APT10045JLL-ND
  
  规格：系列 POWER MOS 7?,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 56A 250W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT15GP60BG
  仓库库存编号：APT15GP60BG-ND
  
  规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 43A 250W TO247
  详细描述：IGBT PT 900V 43A 250W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT15GP90BDQ1G
  仓库库存编号：APT15GP90BDQ1G-ND
  别名：APT15GP90BDQ1GMI
  APT15GP90BDQ1GMI-ND
  
  规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT8024B2LLG
  仓库库存编号：APT8024B2LLG-ND
  
  规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 565W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT8024LFLLG
  仓库库存编号：APT8024LFLLG-ND
  
  规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 67A（Tc） 694W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT50M65B2FLLG
  仓库库存编号：APT50M65B2FLLG-ND
  
  规格：系列 POWER MOS 7?,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT10045B2LLG
  仓库库存编号：APT10045B2LLG-ND
  
  规格：系列 POWER MOS 7?,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 690W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT10035LLLG
  仓库库存编号：APT10035LLLG-ND
  
  规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 694W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT8020LFLLG
  仓库库存编号：APT8020LFLLG-ND
  
  规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT12067B2FLLG
  仓库库存编号：APT12067B2FLLG-ND
  
  规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 130A 431W SOT227
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 130A 431W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT65GP60J
  仓库库存编号：APT65GP60J-ND
  
  规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 69A 417W TO247
  详细描述：IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT25GP120BDQ1G
  仓库库存编号：APT25GP120BDQ1G-ND
  别名：APT25GP120BDQ1GMI
  APT25GP120BDQ1GMI-ND
  
  规格：系列 POWER MOS 7?,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 37A（Tc） 694W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT10021JFLL
  仓库库存编号：APT10021JFLL-ND
  
  规格：系列 POWER MOS 7?,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 403W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT5014BLLG
  仓库库存编号：APT5014BLLG-ND
  
  规格：系列 POWER MOS 7?,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 150A 625W TMAX
  详细描述：IGBT PT 600V 150A 625W Through Hole
  
  型号：APT50GP60B2DQ2G
  仓库库存编号：APT50GP60B2DQ2G-ND
  别名：APT50GP60B2DQ2GMI
  APT50GP60B2DQ2GMI-ND
  
  规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 580A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 580A（Tc） 2270W（Tc） SP6
  
  型号：APTM20UM03FAG
  仓库库存编号：APTM20UM03FAG-ND
  
  规格：系列 POWER MOS 7?,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 298W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT10090BLLG
  仓库库存编号：APT10090BLLG-ND
  
  规格：系列 POWER MOS 7?,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 75A 329W SOT227
  详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT45GP120JDQ2
  仓库库存编号：APT45GP120JDQ2-ND
  别名：APT45GP120JDQ2MI
  APT45GP120JDQ2MI-ND
  
  规格：系列 POWER MOS 7?,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 56A 250W TO247
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT15GP60BDQ1G
  仓库库存编号：APT15GP60BDQ1G-ND
  别名：APT15GP60BDQ1GMP
  APT15GP60BDQ1GMP-ND
  
  规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 41A 250W TO247
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT13GP120BG
  仓库库存编号：APT13GP120BG-ND
  
  规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索