规格：系列 DeepGATE?，STripFET? VII,
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封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
功率 - 最大值
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(5)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(1)
TO-220-3(11)
8-PowerVDFN(9)
TO-220-3 整包(8)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型(8)
8-PowerSMD，扁平引线(6)
TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片）(3)
6-PowerWDFN(3)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(1)
TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片）变型(1)
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STMicroelectronics(56)
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表面贴装(36)
通孔(20)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(8)
-55°C ~ 175°C（TJ）(43)
175°C（TJ）(3)
150°C（TJ）(2)
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DeepGATE?，STripFET? VII(56)
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剪切带（CT） (36)
管件 (20)
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在售(52)
已不再提供(3)
过期(1)
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DPAK(5)
D2PAK(1)
TO-220(11)
TO-220FP(8)
H2PAK(10)
PowerFlat?（3.3x3.3）(3)
PowerFlat?（5x6）(12)
PowerFlat?（2x2）(3)
H2Pak-2(1)
I2PAK（TO-262）(1)
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MOSFET（金属氧化物）(55)
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20V(7)
±20V(46)
±8V(2)
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14nC @ 10V(5)
39nC @ 10V(1)
19nC @ 10V(3)
25nC @ 10V(5)
45nC @ 10V(4)
180nC @ 10V(6)
80nC @ 10V(1)
22nC @ 10V(1)
4.8nC @ 4.5V(1)
20nC @ 4.5V(1)
22nC @ 4.5V(1)
40nC @ 10V(2)
72nC @ 10V(4)
96nC @ 10V(4)
60nC @ 10V(1)
61nC @ 10V(4)
176nC @ 10V(1)
117nC @ 10V(3)
7.8nC @ 10V(3)
193nC @ 10V(3)
13.7nC @ 4.5V(1)
46nC @ 4.5V(1)
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2.7 毫欧 @ 60A，10V(2)
100 毫欧 @ 2A，4.5V(1)
2.3 毫欧 @ 60A，10V(2)
22.5 毫欧 @ 4A，4.5V(1)
8 毫欧 @ 40A，10V(3)
10 毫欧 @ 40A，10V(3)
4 毫欧 @ 45A，10V(1)
24 毫欧 @ 16A，10V(2)
2.5 毫欧 @ 90A，10V(1)
3.6 毫欧 @ 13A，10V(1)
6.5 毫欧 @ 55A，10V(2)
18 毫欧 @ 15A，10V(1)
4.3 毫欧 @ 45A，10V(1)
3.2 毫欧 @ 60A，10V(1)
20 毫欧 @ 4A，10V(1)
6 毫欧 @ 10A，10V(1)
3 毫欧 @ 40A，10V(1)
18 毫欧 @ 22.5A，10V(3)
35 毫欧 @ 4A，10V(1)
3.9 毫欧 @ 13.5A，10V(1)
70 毫欧 @ 2.25A，10V(1)
70 毫欧 @ 2A，10V(1)
35 毫欧 @ 3.5A，10V(1)
2.1 毫欧 @ 18A，10V(1)
35 毫欧 @ 12.5A，10V(3)
24 毫欧 @ 10A，10V(1)
3.9 毫欧 @ 55A，10V(1)
2.5 毫欧 @ 60A，10V(2)
7.3 毫欧 @ 19A，10V(1)
2.1 毫欧 @ 90A，10V(2)
9.5 毫欧 @ 40A，10V(1)
8 毫欧 @ 22.5A，10V(1)
7 毫欧 @ 22.5A，10V(1)
1.1 毫欧 @ 25A，10V(1)
67 毫欧 @ 2.5A，10V(1)
18 毫欧 @ 6A，10V(1)
2.5 毫欧 @ 16A，10V(1)
7 毫欧 @ 55A，10V(1)
4.2 毫欧 @ 55A，10V(2)
10.5 毫欧 @ 8A，10V(1)
4.3 毫欧 @ 32A，10V(1)
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10V(50)
4.5V，10V(3)
1.8V，4.5V(1)
1.5V，4.5V(1)
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N 沟道(53)
P 沟道(2)
2 个 N 沟道（双）(1)
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-(2)
20A(1)
24A（Tc）(1)
110A（Tc）(5)
160A（Tc）(1)
4A（Tc）(2)
180A（Tc）(10)
8A（Tc）(1)
45A（Tc）(5)
130A（Tc）(1)
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220A（Tc）(1)
4.5A（Ta），18A（Tc）(1)
145A（Tc）(1)
105A（Tc）(1)
107A（Tc）(1)
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12800pF @ 25V(6)
510pF @ 10V(1)
2390pF @ 16V(1)
2000pF @ 50V(1)
12600pF @ 25V(1)
2700pF @ 25V(2)
3550pF @ 50V(1)
6340pF @ 40V(4)
1270pF @ 50V(3)
13600pF @ 50V(3)
1640pF @ 50V(5)
3100pF @ 50V(4)
2110pF @ 25V(1)
920pF @ 50V(5)
408pF @ 50V(2)
408pF @ 25V(1)
3245pF @ 25V(1)
5117pF @ 50V(4)
8115pF @ 50V(3)
5680pF @ 50V(1)
4369pF @ 50V(4)
8650pF @ 25V(1)
5500pF @ 50V(1)
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-(55)
标准(1)
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4V @ 250μA(7)
1V @ 250μA(2)
3.8V @ 250μA(3)
2.3V @ 1mA(1)
4.5V @ 250μA(40)
2.2V @ 250μA(1)
4V @ 1mA(1)
1.2V @ 1mA（最小）(1)
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110W（Tc）(2)
60W（Tc）(3)
75W（Tc）(1)
35W（Tc）(2)
250W（Tc）(2)
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40W（Tc）(1)
50W（Tc）(2)
30W（Tc）(3)
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5W（Ta），70W（Tc）(1)
5W（Ta），72W（Tc）(1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 85W（Tc） DPAK
型号：
STD80N10F7
仓库库存编号：
497-14812-1-ND
别名：497-14812-1
规格：系列 DeepGATE?，STripFET? VII,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
STB100N10F7
仓库库存编号：
497-14527-1-ND
别名：497-14527-1
规格：系列 DeepGATE?，STripFET? VII,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 150W（Tc） H2PAK
型号：
STH110N10F7-6
仓库库存编号：
497-13837-1-ND
别名：497-13837-1
规格：系列 DeepGATE?，STripFET? VII,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 5W（Ta），100W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL90N10F7
仓库库存编号：
497-13969-1-ND
别名：497-13969-1
规格：系列 DeepGATE?，STripFET? VII,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 64A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STF140N8F7
仓库库存编号：
497-14227-5-ND
别名：497-14227-5
规格：系列 DeepGATE?，STripFET? VII,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 65A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 65A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STF150N10F7
仓库库存编号：
497-15013-5-ND
别名：497-15013-5
规格：系列 DeepGATE?，STripFET? VII,
无铅
搜索
1
2
3
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
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新加坡2号品牌选型
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英国10号品牌选型
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