搜索词:DS1230Y-200,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(4)
集成电路(IC)
(4)
规格选型
封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
电压 - 电源
供应商器件封装
存储容量
技术
存储器类型
访问时间
写周期时间 - 字,页
存储器格式
存储器接口
28-DIP 模块(0.600",15.24mm)(4)
重新选择
Maxim Integrated(4)
重新选择
通孔(4)
重新选择
-40°C ~ 85°C(TA)(2)
0°C ~ 70°C(TA)(2)
重新选择
-(4)
重新选择
管件 (4)
重新选择
在售(2)
过期(2)
重新选择
4.5 V ~ 5.5 V(4)
重新选择
28-EDIP(4)
重新选择
256Kb (32K x 8)(4)
重新选择
NVSRAM(非易失性 SRAM)(4)
重新选择
非易失(4)
重新选择
200ns(4)
重新选择
200ns(4)
重新选择
NVSRAM(4)
重新选择
并联(4)
重新选择
在结果中搜索词:
以下搜索
(DS1230Y-200)
结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 200ns 28-EDIP
型号:
DS1230Y-200+
仓库库存编号:
DS1230Y-200+-ND
搜索词:DS1230Y-200,
无铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 200ns 28-EDIP
型号:
DS1230Y-200IND+
仓库库存编号:
DS1230Y-200IND+-ND
搜索词:DS1230Y-200,
无铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 200ns 28-EDIP
型号:
DS1230Y-200
仓库库存编号:
DS1230Y-200-ND
别名:DS1230Y200
搜索词:DS1230Y-200,
含铅
搜索
Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 200ns 28-EDIP
型号:
DS1230Y-200IND
仓库库存编号:
DS1230Y-200IND-ND
搜索词:DS1230Y-200,
含铅
搜索
1
以下相关搜索
(DS1230Y-200)
结果
没有搜索到
DS1230Y-200
相关的分类及品牌及规格。
以下旗下站点
(DS1230Y-200)
结果
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号