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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
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TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(6)
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TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(2)
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Vishay Siliconix(10)
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF730APBF
仓库库存编号：
IRF730APBF-ND
别名：*IRF730APBF
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无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF730ASPBF
仓库库存编号：
IRF730ASPBF-ND
别名：*IRF730ASPBF
搜索词：IRF730A,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF730ASTRLPBF
仓库库存编号：
IRF730ASTRLPBF-ND
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无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF730A
仓库库存编号：
IRF730A-ND
别名：*IRF730A
搜索词：IRF730A,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF730AS
仓库库存编号：
IRF730AS-ND
别名：*IRF730AS
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含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 74W（Tc） I2PAK
型号：
IRF730AL
仓库库存编号：
IRF730AL-ND
别名：*IRF730AL
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含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF730ASTRL
仓库库存编号：
IRF730ASTRL-ND
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含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF730ASTRR
仓库库存编号：
IRF730ASTRR-ND
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含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 74W（Tc） I2PAK
型号：
IRF730ALPBF
仓库库存编号：
IRF730ALPBF-ND
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无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
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型号：
IRF730ASTRRPBF
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