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规格选型

封装/外壳

制造商

安装类型

工作温度

系列

包装

零件状态

供应商器件封装

技术

Vgs（最大值）

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

FET 类型

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）

FET 功能

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

功率耗散（最大值）

漏源电压（Vdss）

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	Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO 型号：IRF7807ATRPBF 仓库库存编号：IRF7807ATRPBFCT-ND 别名：IRF7807ATRPBFCT <br>	无铅	搜索

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	IRF7807ATR International Rectifier	MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC	查价格库存查看详细
	IRF7807ATRPBF International Rectifier	MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC	查价格库存查看详细

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