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封装/外壳制造商安装类型工作温度系列包装零件状态供应商器件封装技术Vgs(最大值)不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)FET 类型电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)FET 功能不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)功率耗散(最大值)漏源电压(Vdss)

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IRLML2502PBF|INTERNATIONAL RECTIFIERIRLML2502PBF
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管 MOSFET N SOT-23
Rohs

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无图IRLML2502PB
International Rectifier
MOSFET,N沟道,20V,4.2A,SOT23
Rohs

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无图IRLML2502TR
International Rectifier
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
Rohs

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无图IRLML250
International Rectifier
晶体管,MOSFET,IRLML2502TR
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IR - IRLML2502PBF - MOSFET N, 20 V 4.2 A 1.25 W SOT-23, IRLML2502PBF, IR
IR
MOSFET N, 20 V 4.2 A 1.25 W SOT-23, IRLML2502PBF, IR


型号:IRLML2502PBF
仓库库存编号:171-39-652

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IRLML2502TR|International RectifierIRLML2502TR
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MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
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无图IRLML250
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晶体管,MOSFET,IRLML2502TR
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无图IRLML2502
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晶体管,MOSFET,IRLML2502TR
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无图IRLML2502PB
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MOSFET,N沟道,20V,4.2A,SOT23
Rohs

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IRLML2502PBF|INTERNATIONAL RECTIFIERIRLML2502PBF
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管 MOSFET N SOT-23
Rohs

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IRLML2502TR|International RectifierIRLML2502TR
International Rectifier
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
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IRLML2502PBF
INFINEON IRLML2502PBF
9102981

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 20 V, 45 mohm, 4.5 V, 1.2 V

(EN)
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IRLML2502PBF
INFINEON IRLML2502PBF
9102981RL

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 20 V, 45 mohm, 4.5 V, 1.2 V

(EN)
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRLML2502PBF - Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2502PBF, 4.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装

制造商零件编号:
IRLML2502PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
610-6693
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Infineon Technologies - IRLML2502TR - MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23

详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4.2A(Ta) 1.25W(Ta) Micro3?/SOT-23

型号:IRLML2502TR
仓库库存编号:IRLML2502CT-ND
别名:*IRLML2502TR <br>IRLML2502 <br>IRLML2502-ND <br>IRLML2502CT <br>

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