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规格选型

封装/外壳

制造商

安装类型

工作温度

类型

系列

包装

零件状态

供应商器件封装

不同频率时的电容

应用

单向通道

电源线路保护

电压 - 反向关态（典型值）

电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）

电压 - 击穿（最小值）

功率 - 峰值脉冲

电压 - 箝位（最大值）@ Ipp

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参考图片	制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名	PDF	操作
	Microsemi Corporation TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO215AB 型号：MXLSMCGLCE12AE3 仓库库存编号：1086-11966-ND 别名：1086-11966 <br>1086-11966-MIL <br>	含铅	搜索

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	MXLSMCGLCE12AE3 Microsemi HI-REL [MIL]	TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO215AB	查价格库存查看详细