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封装/外壳制造商安装类型工作温度系列包装零件状态供应商器件封装技术Vgs（最大值）不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）FET 类型电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）FET 功能不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）功率耗散（最大值）漏源电压（Vdss）

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NTTS2P03R2|ON SemiconductorNTTS2P03R2
ON Semiconductor		MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO
Rohs

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NTTS2P03R2G|ON SemiconductorNTTS2P03R2G
ON Semiconductor		MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO
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ON Semiconductor - NTTS2P03R2 - MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO		ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.1A（Ta） 600mW（Ta） Micro8?

型号：NTTS2P03R2
仓库库存编号：NTTS2P03R2OS-ND
别名：NTTS2P03R2OS <br>

含铅		搜索

ON Semiconductor - NTTS2P03R2G - MOSFET P-CH 30V 2.48A 8MICRO		ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.48A 8MICRO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.1A（Ta） 600mW（Ta） Micro8?

型号：NTTS2P03R2G
仓库库存编号：NTTS2P03R2GOSCT-ND
别名：NTTS2P03R2GOSCT <br>

无铅		搜索
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NTTS2P03R2|ON SemiconductorNTTS2P03R2
ON Semiconductor		MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO
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NTTS2P03R2G|ON SemiconductorNTTS2P03R2G
ON Semiconductor		MOSFET PWR P-CHAN SGL 30V 8MICRO
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NTTS2P03R2G|ON SemiconductorNTTS2P03R2G
ON Semiconductor		MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO
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NTTS2P03R2|ON SemiconductorNTTS2P03R2
ON Semiconductor		MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO
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