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规格选型

封装/外壳

制造商

安装类型

工作温度

系列

包装

零件状态

供应商器件封装

技术

Vgs（最大值）

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

FET 类型

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）

FET 功能

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

功率耗散（最大值）

漏源电压（Vdss）

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参考图片	制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名	PDF	操作
	Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3 型号：SPD03N60C3 仓库库存编号：SPD03N60C3INCT-ND 别名：SPD03N60C3INCT <br>SPD03N60C3XTINCT <br>SPD03N60C3XTINCT-ND <br>	无铅	搜索

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参考图片	型号/品牌	描述 / 技术参考	操作
	SPD03N60C3 INFINEON	场效应管 MOSFET N沟道 650V 3.2A DPAK	查价格库存查看详细
	SPD03N60C3 Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK	查价格库存查看详细

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	SPD03N60C3 INFINEON	场效应管 MOSFET N沟道 650V 3.2A DPAK	查价格库存查看详细
	SPD03N60C3XT Infineon Technologies	原厂原装货暂无PDF	查价格库存查看详细