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封装/外壳制造商安装类型工作温度系列包装零件状态供应商器件封装技术Vgs(最大值)不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)FET 类型电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)FET 功能不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)功率耗散(最大值)漏源电压(Vdss)

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STP7NK80Z
STMICROELECTRONICS STP7NK80Z
9803319

STMICROELECTRONICS

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 800 V, 1.8 ohm, 10 V, 3.75 V

(EN)
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STP7NK80ZFP
STMICROELECTRONICS STP7NK80ZFP
9803327

STMICROELECTRONICS

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V

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STMicroelectronics - STP7NK80Z - MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220

详细描述:通孔 N 沟道 5.2A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB

型号:STP7NK80Z
仓库库存编号:497-15684-5-ND
别名:497-15684-5 <br>STP7NK80Z-ND <br>

无铅
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STMicroelectronics - STP7NK80ZFP - MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220FP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220FP

详细描述:通孔 N 沟道 5.2A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP

型号:STP7NK80ZFP
仓库库存编号:497-11399-5-ND
别名:497-11399-5 <br>STP7NK80ZFP-ND <br>

无铅
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STMicroelectronics - STP7NK80Z - STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP7NK80Z, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号:
STP7NK80Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5346
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STMicroelectronics - STP7NK80Z - STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP7NK80Z, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号:
STP7NK80Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6626
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STMicroelectronics - STP7NK80ZFP - STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP7NK80ZFP, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装

制造商零件编号:
STP7NK80ZFP
品牌:
STMicroelectronics
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ST - STP7NK80Z - MOSFET N, 800 V 5.2 A 30 W TO-220FP, STP7NK80Z, ST
ST
MOSFET N, 800 V 5.2 A 30 W TO-220FP, STP7NK80Z, ST


型号:STP7NK80Z
仓库库存编号:300-18-840
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STP7NK80Z|STMicroelectronicsSTP7NK80Z
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MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220
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STMicroelectronics
MOSFET,N沟道,800V,5.2A,TO220FP
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MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220FP
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