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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL
详细描述:标准 通孔 二极管 6A 轴向
型号:
UES1302
仓库库存编号:
UES1302-ND
别名:Q1139149
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 42A(Tc) 480W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT39F60J
仓库库存编号:
APT39F60J-ND
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE 600V 150A ISOTOP
详细描述:Diode Array 2 Independent Standard 150A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号:
APT2X151DL60J
仓库库存编号:
APT2X151DL60J-ND
别名:APT2X151DL60JMI
APT2X151DL60JMI-ND
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 124A 379W SOT227
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT75GN120JDQ3
仓库库存编号:
APT75GN120JDQ3-ND
别名:APT75GN120JDQ3MI
APT75GN120JDQ3MI-ND
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 220A 536W SOT227
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 220A 536W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT150GN60JDQ4
仓库库存编号:
APT150GN60JDQ4-ND
别名:APT150GN60JDQ4MI
APT150GN60JDQ4MI-ND
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 283A 682W SOT227
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT200GN60JDQ4
仓库库存编号:
APT200GN60JDQ4MI-ND
别名:APT200GN60JDQ4MI
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 112A 543W SOT227
详细描述:IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227
型号:
APT70GR120JD60
仓库库存编号:
APT70GR120JD60-ND
无铅
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Microsemi Corporation
IC FPGA 178 I/O 256FBGA
型号:
A3P400-FGG256
仓库库存编号:
1100-1031-ND
别名:1100-1031
A3P400FGG256
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 33A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT8020JLL
仓库库存编号:
APT8020JLL-ND
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 215A 625W SOT227
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 215A 625W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT150GN120J
仓库库存编号:
APT150GN120J-ND
别名:APT150GN120JMI
APT150GN120JMI-ND
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP
详细描述:IGBT Module NPT Single 1200V 116A 543W Chassis Mount SOT-227
型号:
APT85GR120JD60
仓库库存编号:
APT85GR120JD60-ND
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 300VWM 483VC PLAD
型号:
MPLAD30KP300A
仓库库存编号:
1086-7424-ND
别名:1086-7424
1086-7424-MIL
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 58A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT50M65JLL
仓库库存编号:
APT50M65JLL-ND
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP 60V 0.003A TO-5
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 3mA 1W Through Hole TO-5
型号:
JANTX2N3868
仓库库存编号:
1088-1012-ND
别名:1088-1012
1088-1012-MIL
含铅
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Microsemi Corporation
FET RF N-CH 500V 14A TO247
详细描述:RF Mosfet N-Channel 125V 50mA 40.68MHz 15dB TO-247CS
型号:
ARF460AG
仓库库存编号:
ARF460AG-ND
别名:ARF460AGMP
ARF460AGMP-ND
无铅
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Microsemi Corporation
FET RF N-CH 500V 14A TO247
详细描述:RF Mosfet N-Channel 125V 50mA 40.68MHz 15dB TO-247CS
型号:
ARF460BG
仓库库存编号:
ARF460BG-ND
别名:ARF460BGMP
ARF460BGMP-ND
无铅
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Microsemi Corporation
IC FPGA SOC 10K LUT 400VFBGA
详细描述:ARM? Cortex?-M3 System On Chip (SOC) IC SmartFusion?2 FPGA - 10K Logic Modules 256KB 64KB 166MHz 400-VFBGA (17x17)
型号:
M2S010-VFG400I
仓库库存编号:
1100-1195-ND
别名:1100-1195
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO213AA
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 75mA DO-213AA
型号:
JANTX1N5712UR-1
仓库库存编号:
1086-1046-ND
别名:1086-1046
1086-1046-MIL
JANTX1N5712UR1
含铅
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Microsemi Solutions Sdn Bhd.
IC ETHERNET SWITCH 302TQFP
详细描述:Telecom IC Ethernet Switch 302-TQFP (24x24)
型号:
VSC7420XJQ-04
仓库库存编号:
VSC7420XJQ-04-ND
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174
详细描述:RF Mosfet N-Channel 50V 250mA 175MHz 14dB 150W M174
型号:
VRF151
仓库库存编号:
VRF151-ND
无铅
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Microsemi Corporation
RF FET N CH 1000V 13A TO264
详细描述:RF Mosfet N-Channel 150V 40.68MHz 16dB 300W TO-264
型号:
ARF466AG
仓库库存编号:
ARF466AG-ND
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 43VWM 69.4VC PLAD
型号:
MPLAD30KP43CAE3
仓库库存编号:
1086-7455-ND
别名:1086-7455
1086-7455-MIL
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 58A(Tc) 595W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT60M75JFLL
仓库库存编号:
APT60M75JFLL-ND
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 60W(Tc) 960W(Tc) SOT-227
型号:
APT58M80J
仓库库存编号:
APT58M80J-ND
别名:APT58M80JMI
APT58M80JMI-ND
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174
详细描述:RF Mosfet N-Channel 50V 250mA 150MHz 11dB 150W M174
型号:
VRF150
仓库库存编号:
VRF150-ND
无铅
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