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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 1000V 3A SOD64
详细描述:雪崩 通孔 二极管 3A SOD-64
型号:
BYT56M-TR
仓库库存编号:
BYT56MCT-ND
别名:BYT56MCT
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 2W(Ta),4.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3483CDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3483CDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3483CDV-T1-GE3CT
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 6.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4931DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4931DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4931DY-T1-E3CT
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR320TRPBF
仓库库存编号:
IRFR320PBFCT-ND
别名:*IRFR320TRPBF
IRFR320PBFCT
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 6.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4931DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4931DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4931DY-T1-GE3CT
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024TRPBF
仓库库存编号:
IRFR9024PBFCT-ND
别名:*IRFR9024TRPBF
IRFR9024PBFCT
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 14A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),50A(Tc) 3.1W(Ta),48.1W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N04-8M8P-4GE3
仓库库存编号:
SUD50N04-8M8P-4GE3CT-ND
别名:SUD50N04-8M8P-4GE3CT
SUD50N04-8M8P-GE3CT
SUD50N04-8M8P-GE3CT-ND
无铅
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Vishay Sprague
CAP TANT 220UF 4V 20% 1206
详细描述:模制 钽电容器 1206(3216 公制) 7 欧姆
型号:
TL8A0227M004C
仓库库存编号:
718-1919-1-ND
别名:718-1919-1
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
详细描述:标准 表面贴装 二极管 3A DO-214AB,(SMC)
型号:
MURS320-E3/57T
仓库库存编号:
MURS320-E3/57TGICT-ND
别名:MURS320-E3/57TGICT
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA456DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA456DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA456DJ-T1-GE3CT
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4156DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4156DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4156DY-T1-GE3CT
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 4.8W(Ta),41.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR424DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR424DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR424DP-T1-GE3CT
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 342VWM 548VC DO214AB
型号:
1.5SMC400A-E3/57T
仓库库存编号:
1.5SMC400A-E3/57TGICT-ND
别名:1.5SMC400A-E3/57TGICT
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS410DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS410DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS410DN-T1-GE3CT
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.8A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4425BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4425BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4425BDY-T1-E3CT
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.9A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6913DQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6913DQ-T1-GE3CT-ND
别名:SI6913DQ-T1-GE3CT
无铅
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Vishay Vitramon
CAP CER 10000PF 1KV X7R 1206
详细描述:10000pF ±10% 1000V(1kV) 陶瓷电容器 X7R 1206(3216 公制)
型号:
VJ1206Y103KXGAT5Z
仓库库存编号:
720-1022-1-ND
别名:720-1022-1
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 21.4A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 21.4A(Tc) 5.7W(Ta),31.25W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD23N06-31-GE3
仓库库存编号:
SUD23N06-31-GE3CT-ND
别名:SUD23N06-31-GE3CT
无铅
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Vishay Sprague
CAP TANT 22UF 35V 10% 2917
详细描述:模制 钽电容器 2917(7343 公制) 600 毫欧
型号:
293D226X9035D2TE3
仓库库存编号:
718-1071-1-ND
别名:718-1071-1
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4116DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4116DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4116DY-T1-GE3CT
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 50V 15A TO277A
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 15A TO-277A(SMPC)
型号:
V15PN50-M3/86A
仓库库存编号:
V15PN50-M3/86AGICT-ND
别名:V15PN50-M3/86AGICT
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 530mA(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2325DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2325DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2325DS-T1-E3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.8A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7119DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7119DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7119DN-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Tc) 760mW(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2337DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2337DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2337DS-T1-E3CT
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19.2W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA430DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA430DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA430DJ-T1-GE3CT
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