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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Sprague
CAP TANT 220UF 10V 10% 2917
详细描述:模制 钽电容器 2917(7343 公制) 100 毫欧
型号:
593D227X9010E2TE3
仓库库存编号:
718-1035-1-ND
别名:718-1035-1
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7858ADP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7858ADP-T1-E3CT-ND
别名:SI7858ADP-T1-E3CT
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO220AC
详细描述:肖特基 通孔 二极管 7.5A TO-220AC
型号:
VS-MBR745PBF
仓库库存编号:
MBR745PBF-ND
别名:*MBR745PBF
MBR745PBF
VS-MBR745PBF-ND
VSMBR745PBF
VSMBR745PBF-ND
无铅
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Vishay Sprague
CAP TANT 220UF 16V 10% 2917
详细描述:模制 钽电容器 2917(7343 公制) 500 毫欧
型号:
293D227X9016E2TE3
仓库库存编号:
718-1751-1-ND
别名:718-1751-1
无铅
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Vishay BC Components
CAP ALUM 100UF 20% 80V SMD
详细描述:铝电解电容器 径向,Can - SMD 105°C 时为 3000 小时
型号:
MAL215099702E3
仓库库存编号:
4741PHCT-ND
别名:4741PHCT
无铅
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Vishay BC Components
CAP ALUM 47UF 20% 100V SMD
详细描述:铝电解电容器 径向,Can - SMD 105°C 时为 3000 小时
型号:
MAL215099905E3
仓库库存编号:
4747PHCT-ND
别名:4747PHCT
无铅
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Vishay Sprague
CAP TANT 0.1UF 50V 10% RADIAL
详细描述:保形涂层 钽电容器 径向
型号:
199D104X9050A1V1E3
仓库库存编号:
718-1208-ND
别名:718-1208
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5.6A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF510PBF
仓库库存编号:
IRF510PBF-ND
别名:*IRF510PBF
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 1.3A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD120PBF
仓库库存编号:
IRFD120PBF-ND
别名:*IRFD120PBF
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 10A D-PAK(TO-252AA)
型号:
VS-10WQ045FN-M3
仓库库存编号:
VS-10WQ045FN-M3GI-ND
别名:VS-10WQ045FN-M3GI
无铅
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Vishay Thin Film
RES SMD 150 OHM 0.1% 2W 1206
详细描述:±0.1% 2W 薄膜 芯片电阻 1206(3216 公制) 耐燃,防潮,安全 薄膜
型号:
PCAN1206E1500BST5
仓库库存编号:
764-1137-1-ND
别名:764-1137-1
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 24VWM DO214AB (SMC)
型号:
SMC3K24CA-M3/57
仓库库存编号:
SMC3K24CA-M3/57GICT-ND
别名:SMC3K24CA-M3/57GICT
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 48VWM DO214AB (SMC)
型号:
SMC3K48CA-M3/57
仓库库存编号:
SMC3K48CA-M3/57GICT-ND
别名:SMC3K48CA-M3/57GICT
无铅
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Vishay BC Components
CAP ALUM 47UF 20% 50V SMD
详细描述:铝电解电容器 径向,Can - SMD 125°C 时为 1500 小时
型号:
MAL214699101E3
仓库库存编号:
4435PHCT-ND
别名:4435PHCT
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Vishay BC Components
CAP CER 1000PF 6KV Z5U RADIAL
详细描述:1000pF ±20% 6000V(6kV) 陶瓷电容器 Z5U 径向,圆片式
型号:
S102M59Z5UU83L0R
仓库库存编号:
1254PH-ND
别名:1254PH
无铅
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Vishay Sprague
CAP TANT 15UF 50V 20% 2917
详细描述:模制 钽电容器 2917(7343 公制) 800 毫欧
型号:
293D156X0050E2TE3
仓库库存编号:
718-1750-1-ND
别名:718-1750-1
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Vishay Thin Film
RES SMD 100 OHM 0.1% 1/8W 0603
详细描述:±0.1% 0.125W,1/8W 薄膜 芯片电阻 0603(1608 公制) 射频,高频率 薄膜
型号:
FC0603E1000BTBST1
仓库库存编号:
FC0603-100BFCT-ND
别名:FC0603-100BFCT
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 33VWM 53.3VC P600
型号:
5KP33A-E3/54
仓库库存编号:
5KP33A-E3/54GICT-ND
别名:5KP33A-E3/54GICT
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Vishay Sprague
CAP TANT 10UF 50V 10% 2917
详细描述:模制 钽电容器 2917(7343 公制) 550 毫欧
型号:
593D106X9050E2TE3
仓库库存编号:
718-1029-1-ND
别名:718-1029-1
无铅
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Vishay Sprague
CAP TANT 4.7UF 50V 10% 2312
详细描述:模制 钽电容器 2312(6032 公制) 500 毫欧
型号:
TR3C475K050C0500
仓库库存编号:
718-1548-1-ND
别名:718-1548-1
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 8.3W(Ta),83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD35N10-26P-GE3
仓库库存编号:
SUD35N10-26P-GE3CT-ND
别名:SUD35N10-26P-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF530PBF
仓库库存编号:
IRF530PBF-ND
别名:*IRF530PBF
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Vishay Sprague
CAP TANT 2.2UF 35V 10% RADIAL
详细描述:保形涂层 钽电容器 径向
型号:
199D225X9035B1V1E3
仓库库存编号:
718-1205-ND
别名:718-1205
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 2.2A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC20PBF
仓库库存编号:
IRFBC20PBF-ND
别名:*IRFBC20PBF
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Vishay BC Components
CAP ALUM 100UF 20% 100V SMD
详细描述:铝电解电容器 径向,Can - SMD 105°C 时为 5000 小时
型号:
MAL215099907E3
仓库库存编号:
4749PHCT-ND
别名:4749PHCT
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