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STD86N3LH5 |
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TO-263 |
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STD86N3LH5 View All Specifications |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | STripFET™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 80A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 5 毫欧 @ 40A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250μA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 14nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1850pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 70W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |
产品目录页面 |
1542 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 497-8890-2 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 |
单价 (含税) |
货期 (工作日) |
操作 |
STD86N3LH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 80A DPAK | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 库存数 / 价格 / 订货 | 操作 | |
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 70W(Tc) D-Pak 型号:STD86N3LH5 仓库库存编号:497-8890-1-ND 别名:497-8890-1 |
无铅 |
0 厂方库存 : 2,500 可于1-2周内送达 1 + ¥12.95 更多价格信息... |
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STD8N65M5 | STMICROELECTRONICS | MOSFET N-CH 650V 7A DPAK | 分离式半导体 > MOSFET - 单 | https://www.szcwdz.com/IC_S/STD8N65M5.htm | |
STD8NF25 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 250V 8A DPAK | ->半导体->分离式半导体->晶体管->MOSFET-> | https://www.szcwdz.com/IC_S/STD8NF25.htm | |
STD8NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 5A DPAK | 分离式半导体 > MOSFET - 单 | https://www.szcwdz.com/IC_S/STD8NM50N.htm | |
STD901T | STMicroelectronics | TRANSISTOR NPN 350V 4A DPAK | 分离式半导体 > 单路 | https://www.szcwdz.com/IC_S/STD901T.htm | |
STD95N2LH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 25V 80A DPAK | 分离式半导体 > MOSFET - 单 | https://www.szcwdz.com/IC_S/STD95N2LH5.htm | |
STD95N4LF3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A DPAK | 分离式半导体 > MOSFET - 单 | https://www.szcwdz.com/IC_S/STD95N4LF3.htm | |
STD96N3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 80A DPAK | 分离式半导体 > MOSFET - 单 | https://www.szcwdz.com/IC_S/STD96N3LLH6.htm | |
STD9N60M2 | STMicroelectronics | 创唯一级代理直销原装现货 | ->Discrete Semiconductor Products->FETs - Single-> | https://www.szcwdz.com/IC_S/STD9N60M2.htm | |
STD9NM40N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK | ->半导体->分离式半导体->晶体管->MOSFET-> | https://www.szcwdz.com/IC_S/STD9NM40N.htm | |
STD9NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK | 分离式半导体 > MOSFET - 单 | https://www.szcwdz.com/IC_S/STD9NM50N.htm | |
STD9NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK | 分离式半导体 > MOSFET - 单 | https://www.szcwdz.com/IC_S/STD9NM60N.htm | |
STDS75DS2F | STMicroelectronics | IC TEMP SENSOR WTCHDG DGTL 8MSOP | 集成电路 (IC) > 热管理 | https://www.szcwdz.com/IC_S/STDS75DS2F.htm | |
STDVE003ABTR | STMicroelectronics | IC EQUALIZER TMDS/HDMI 80-TQFP | 集成电路 (IC) > 接口 - 专用 | https://www.szcwdz.com/IC_S/STDVE003ABTR.htm |
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意法半导体(STMicroelectronics,通称ST;纽交所编码:STM)与当代Autron汽车电子公司合作,在首尔设立了1个合作开发试验室。Autron-ST合作开发试验室(ASDL)将聚集两家企业的技术工程师,合作开发节能型小车半导体材料解决方法,重中之重产品研发动力总成控制器。
彼此曾有5年左右的协作工作经验,应用场景此点,协同试验室的设立将提高意法半导体和当代Autron的核心竞争力,提升下代汽车电子产品的开发设计高效率,考虑小车顾客严苛的品质和特性规定。
意法半导体负责人亚太地区销售与市场的实行高级副总裁Jerome Roux表达:“先前我们在与当代Autron的初次小车电控系统协作中获得丰硕成果,在此项工作上,我们创建了合作开发试验室,以相互推动我们的无人驾驶技术性最近企业愿景。我们非常高兴可以与当代Autron再次密不可分协作,运用ST各种各样小车半导体技术和专业技能,协助她们保持产品研发总体目标。”
当代Autron初次创立于2012年,是当代汽车集团的汽车控制器、手机软件和半导体材料研发部,以前开发设计出动力总成和电池管理控制器集成ic,被用以当代的高生产量车系,比如伊兰特。当代Autron和意法半导体联合开发出这种阀控喷涌[1] (VCI)控制器集成ic,被用以当代Kona车系。当代Autron也始终在提升产品研发幅度,考虑销售市场对环境保护车子、无人驾驶汽车和小车三方支付技术性的日益突出的要求。
随之销售市场对更安全性、更环境保护、更互连的无人车的要求提升,预估小车半导体材料市场占有率也将稳步增长。根据小车电动式化和輔助安全驾驶产业发展发展趋势的促进和自动驾驶系统的长期性发展趋势,预估全车半导体材料含水量将明显提升
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