产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
漏源电压（Vdss）
功率 - 最大值
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）(10)
8-PowerVDFN(2)
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PowerPAK? SO-8 双(5)
6-PowerPair?(2)
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Diodes Incorporated(2)
Fairchild/ON Semiconductor(8)
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Infineon Technologies(3)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(20)
-55°C ~ 175°C（TJ）(3)
-50°C ~ 150°C（TJ）(2)
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-(2)
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汽车级，AEC-Q101，TrenchFET?(1)
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汽车级，AEC-Q101，OptiMOS?(2)
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剪切带（CT） (20)
带卷（TR） (5)
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8-SO(9)
PowerPAK? SO-8 Dual(5)
Power56(5)
6-PowerPair?(2)
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P-DSO-8(1)
PG-TDSON-8-4(1)
8-PowerPair?(1)
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26nC @ 10V(25)
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58 毫欧 @ 4.8A，4.5V(2)
30 毫欧 @ 7A，10V(1)
16 毫欧 @ 9.4A，4.5V(2)
18 毫欧 @ 7.5A，10V(1)
5 毫欧 @ 17.5A，10V(4)
9.3 毫欧 @ 15A，10V(2)
28 毫欧 @ 7A，10V(1)
6.4 毫欧 @ 19A，10V(2)
105 毫欧 @ 4.1A，10V(2)
11.6 毫欧 @ 17A，10V(2)
4.7 毫欧 @ 17.5A，10V(1)
7.7 毫欧 @ 18A，10V(1)
16.6 毫欧 @ 7.6A，10V(1)
15.3 毫欧 @ 9.5A，10V(2)
35 毫欧 @ 2.5A，10V(1)
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2 个 N 沟道（双）(13)
N 和 P 沟道(2)
2 个 P 沟道（双）(2)
2 个 N 通道（半桥）(3)
2 N 沟道（双）非对称型(5)
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20A(2)
5A(1)
4A(2)
25A(1)
7.5A(1)
2.6A(2)
8A(3)
9.5A(2)
17.5A，30A(2)
25A，30A(1)
17.5A，25A(1)
17.5A，34A(1)
16A，35A(1)
7A，5A(2)
16A，40A(2)
17.5A，38A(1)
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-(2)
665pF @ 10V(2)
1000pF @ 15V(2)
870pF @ 25V(1)
1149pF @ 10V(2)
1270pF @ 15V(1)
1100pF @ 15V(2)
1570pF @ 13V(5)
890pF @ 12.5V(1)
575pF @ 15V(1)
1990pF @ 25V(2)
1208pF @ 15V(2)
1161pF @ 15V(1)
789pF @ 10V(1)
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标准(3)
逻辑电平门(22)
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4V @ 250μA(2)
2V @ 250μA(5)
2.5V @ 250μA(6)
2.4V @ 250μA(2)
1.5V @ 250μA(2)
1.4V @ 250μA(2)
3V @ 250μA(2)
2.2V @ 250μA(1)
2V @ 30μA(1)
2.2V @ 15μA(2)
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150V(2)
20V(4)
25V(6)
40V(2)
30V(10)
55V(1)
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1W(5)
2W(2)
3.1W(2)
1.6W(1)
900mW(1)
1.4W(2)
48W(1)
22W(1)
41W(2)
1.28W(2)
27W，48W(1)
22.7W，100W(2)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号：
SI9933CDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI9933CDY-T1-GE3CT-ND
别名：SI9933CDY-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号：
SI9933CDY-T1-E3
仓库库存编号：
SI9933CDY-T1-E3CT-ND
别名：SI9933CDY-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9.5A 1.28W Surface Mount 8-SO
型号：
DMG6898LSD-13
仓库库存编号：
DMG6898LSD-13DICT-ND
别名：DMG6898LSD-13DICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.5A 1.6W Surface Mount 8-SO
型号：
FDS8978
仓库库存编号：
FDS8978CT-ND
别名：FDS8978CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 30A 1W Surface Mount Power56
型号：
FDMS3624S
仓库库存编号：
FDMS3624SCT-ND
别名：FDMS3624SCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/25A 8PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 25A 1W Surface Mount Power56
型号：
FDMS3626S
仓库库存编号：
FDMS3626SCT-ND
别名：FDMS3626SCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/34A PWR56
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 34A 1W Surface Mount Power56
型号：
FDMS3622S
仓库库存编号：
FDMS3622SCT-ND
别名：FDMS3622SCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9.5A 1.28W Surface Mount 8-SO
型号：
DMG6898LSDQ-13
仓库库存编号：
DMG6898LSDQ-13DICT-ND
别名：DMG6898LSDQ-13DICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8-MLP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 30A 1W Surface Mount Power56
型号：
FDMS3610S
仓库库存编号：
FDMS3610SCT-ND
别名：FDMS3610SCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 40A 22.7W, 100W Surface Mount 8-PowerPair?
型号：
SIZ914DT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIZ914DT-T1-GE3CT-ND
别名：SIZ914DT-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SI7956DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7956DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7956DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 41W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号：
IPG20N04S4L11ATMA1
仓库库存编号：
IPG20N04S4L11ATMA1CT-ND
别名：IPG20N04S4L11ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 41W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号：
IPG20N04S4L11AATMA1
仓库库存编号：
IPG20N04S4L11AATMA1CT-ND
别名：IPG20N04S4L11AATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 25A 22W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SI7272DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7272DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7272DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 38A 1W Surface Mount Power56
型号：
FDMS3620S
仓库库存编号：
FDMS3620SFSCT-ND
别名：FDMS3620SFSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 40A 22.7W, 100W Surface Mount 6-PowerPair?
型号：
SIZ916DT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIZ916DT-T1-GE3CT-ND
别名：SIZ916DT-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 25A, 30A 22W, 40W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SI7998DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7998DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7998DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair?
型号：
SIZ728DT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIZ728DT-T1-GE3CT-ND
别名：SIZ728DT-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SQJ844AEP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ844AEP-T1_GE3-ND
别名：SQJ844AEP-T1-GE3
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.6W, 2.8W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4276DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4276DY-T1-E3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SI7956DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7956DP-T1-E3TR-ND
别名：SI7956DP-T1-E3TR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 5A 2W Surface Mount P-DSO-8
型号：
BSO604NS2XUMA1
仓库库存编号：
BSO604NS2XUMA1TR-ND
别名：BSO604NS2
BSO604NS2-ND
BSO604NS2NT
BSO604NS2T
BSO604NS2TR
BSO604NS2TR-ND
BSO604NS2XT
SP000396268
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
FDS8958
仓库库存编号：
FDS8958-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
FDS8962C
仓库库存编号：
FDS8962CCT-ND
别名：FDS8962CCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.6W, 2.8W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4276DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4276DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4276DY-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 10V,
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