产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
规格选型
封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）(3)
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(2)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(9)
TO-220-3(8)
8-PowerVDFN(1)
TO-220-3 整包(2)
TO-247-3(6)
8-PowerSMD，扁平引线(2)
8-PowerWDFN(1)
SC-100，SOT-669(1)
PowerPAK? SO-8(2)
SOT-1023，4-LFPAK(2)
4-VSFN 裸露焊盘(1)
TO-3P-3，SC-65-3(6)
TO-264-3，TO-264AA(1)
TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA(2)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(3)
ISOPLUS247?(1)
TO-252-4，DPak（3 引线 + 接片）(1)
10-PolarPAK?（SH）(1)
10-PolarPAK?（M）(2)
重新选择
STMicroelectronics(2)
Fairchild/ON Semiconductor(6)
Nexperia USA Inc.(2)
Toshiba Semiconductor and Storage(3)
Vishay Siliconix(15)
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(4)
IXYS(7)
Renesas Electronics America(1)
Infineon Technologies(17)
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表面贴装(29)
通孔(28)
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-(1)
-55°C ~ 150°C（TJ）(27)
-55°C ~ 175°C（TJ）(24)
150°C（TJ）(4)
150°C（TA）(1)
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-(9)
SuperMESH3??(2)
TrenchFET?(9)
TrenchMOS??(1)
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET?(2)
AlphaMOS(1)
QFET?(2)
UniFET??(2)
DTMOSIV(3)
SuperFET? II(2)
HiPerFET??(1)
PolarHT??(2)
HiPerFET?，PolarHT?(4)
SIPMOS?(6)
OptiMOS??(10)
汽车级，AEC-Q101，OptiMOS?(1)
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剪切带（CT） (13)
带卷（TR） (13)
管件 (28)
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在售(32)
已不再提供(6)
不可用于新设计(2)
上次购买时间(1)
过期(16)
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8-SO(2)
TO-220AB(1)
TO-220(1)
TO-220FP(1)
TO-247-3(2)
TO-247(2)
8-SOIC(1)
LFPAK56，Power-SO8(2)
TO-252AA(2)
8-DFN（5x6）(2)
8-DFN-EP（3.3x3.3）(1)
PowerPAK? SO-8(2)
LFPAK(1)
TO-220F(1)
TO-263（D2Pak）(2)
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TO-3P(1)
TO-247AD（IXFH）(2)
TO-268(2)
TO-264AA（IXFK）(1)
PG-TO263-3-2(7)
PG-TO220-3-1(6)
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TO-3P（N）(1)
D-PAK（TO-252）(1)
4-DFN-EP（8x8）(1)
PG-TO262-3(1)
PG-TO262-3-1(2)
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10-PolarPAK?（SH）(1)
10-PolarPAK?（M）(2)
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MOSFET（金属氧化物）(57)
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±30V(16)
±20V(38)
±25V(1)
±12V(1)
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105nC @ 10V(57)
重新选择
7 毫欧 @ 20A，10V(2)
4.5 毫欧 @ 20A，10V(1)
7 毫欧 @ 17A，10V(1)
1.8 毫欧 @ 20A，10V(2)
3.3 毫欧 @ 15A，10V(1)
1.2 毫欧 @ 15A，10V(2)
270 毫欧 @ 12A，10V(2)
3.6 毫欧 @ 20A，10V(2)
3.8 毫欧 @ 20A，10V(1)
2.4 毫欧 @ 50A，10V(1)
99 毫欧 @ 15.4A，10V(1)
175 毫欧 @ 14A，10V(1)
155 毫欧 @ 14A，10V(1)
90 毫欧 @ 18A，10V(2)
40 毫欧 @ 33A，10V(1)
109 毫欧 @ 15.4A，10V(1)
340 毫欧 @ 7.5A，10V(1)
360 毫欧 @ 11A，10V(1)
4.2 毫欧 @ 80A，10V(2)
220 毫欧 @ 11.5A，10V(2)
7.7 毫欧 @ 20A，10V(1)
33 毫欧 @ 33A，10V(6)
3.9 毫欧 @ 80A，10V(2)
88 毫欧 @ 15.4A，10V(1)
400 毫欧 @ 12A，10V(3)
420 毫欧 @ 12A，10V(1)
2.75 毫欧 @ 15A，10V(1)
3 毫欧 @ 10A，10V(1)
4.1 毫欧 @ 30A，10V(1)
49 毫欧 @ 500mA，10V(2)
8.2 毫欧 @ 52A，10V(2)
8.5 毫欧 @ 52A，10V(4)
16 毫欧 @ 12.5A，10V(1)
2.1 毫欧 @ 21.7A，10V(2)
38 毫欧 @ 7.6A，10V(1)
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10V(34)
4.5V，10V(17)
2.5V，10V(1)
4V，10V(1)
6V，10V(2)
7V，10V(1)
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N 沟道(52)
P 沟道(5)
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24A（Tc）(3)
60A（Tc）(4)
110A（Tc）(1)
28A（Tc）(2)
20A（Tc）(2)
25A（Ta）(1)
23A（Tc）(2)
90A（Tc）(1)
32A（Ta），85A（Tc）(1)
17A（Ta）(1)
50A（Tc）(2)
100A（Tc）(5)
48A（Ta），50A（Tc）(1)
47A（Tc）(6)
36A（Tc）(3)
80A（Tc）(10)
30.8A（Ta）(3)
39A（Tc）(1)
66A（Tc）(1)
64A（Tc）(2)
37A（Tc）(1)
13A（Tc）(1)
22A（Tc）(1)
15.5A（Tc）(1)
15A（Ta），30A（Tc）(1)
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2620pF @ 25V(4)
3505pF @ 15V(1)
5500pF @ 15V(2)
4175pF @ 15V(1)
4230pF @ 20V(1)
6380pF @ 12V(2)
3000pF @ 50V(1)
6700pF @ 25V(3)
3700pF @ 25V(1)
3000pF @ 300V(3)
2500pF @ 25V(6)
3100pF @ 25V(2)
3900pF @ 25V(4)
5000pF @ 25V(1)
3450pF @ 25V(2)
4560pF @ 10V(1)
5387pF @ 25V(1)
5140pF @ 25V(1)
7200pF @ 25V(4)
3100pF @ 50V(1)
3680pF @ 100V(1)
4560pF @ 100V(2)
8100pF @ 25V(1)
4405pF @ 15V(1)
3320pF @ 25V(2)
3480pF @ 25V(2)
4500pF @ 15V(2)
6715pF @ 25V(1)
6500pF @ 10V(1)
4250pF @ 30V(2)
重新选择
-(56)
超级结(1)
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-(1)
4V @ 250μA(4)
2.5V @ 250μA(4)
5V @ 250μA(4)
4.5V @ 100μA(1)
1.2V @ 250μA(1)
1.6V @ 250μA(2)
3V @ 250μA(1)
4.5V @ 250μA(2)
2.6V @ 250μA(1)
2.3V @ 250μA(1)
3.5V @ 250μA(5)
2.15V @ 1mA(2)
5V @ 4mA(4)
4V @ 4mA(1)
4.5V @ 1.5mA(2)
2V @ 130μA(4)
5V @ 150μA(1)
4V @ 80μA(1)
4V @ 2mA(6)
4.5V @ 2.3mA(2)
3.7V @ 1.5mA(1)
2V @ 125μA(6)
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-(1)
310W（Tc）(2)
190W（Tc）(6)
40W（Tc）(1)
400W（Tc）(4)
3.1W（Ta）(1)
30W（Tc）(1)
7.3W（Ta），83W（Tc）(1)
6.2W（Ta），83.3W（Tc）(1)
121W（Tc）(1)
3.5W（Ta），7.8W（Tc）(2)
150W（Tc）(2)
208W（Tc）(1)
5.4W（Ta），83W（Tc）(1)
240W（Tc）(1)
280W（Tc）(2)
230W（Tc）(2)
2.5W（Ta），83W（Tc）(1)
136W（Tc）(3)
68W（Tc）(1)
188W（Tc）(4)
5.2W（Ta），125W（Tc）(1)
278W（Tc）(1)
44W（Tc）(1)
294W（Tc）(2)
650W（Tc）(3)
175W（Tc）(6)
5.2W（Ta），104W（Tc）(2)
3.75W（Ta），208.3W（Tc）(2)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 32A 8DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 32A（Ta），85A（Tc） 7.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6407
仓库库存编号：
785-1421-1-ND
别名：785-1421-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 17A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4447A
仓库库存编号：
785-1198-1-ND
别名：785-1198-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 50A 8-DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Ta），50A（Tc） 6.2W（Ta），83.3W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
型号：
AON7520
仓库库存编号：
785-1633-1-ND
别名：785-1633-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4154DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4154DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4154DY-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 121W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN1R2-25YL,115
仓库库存编号：
1727-4277-1-ND
别名：1727-4277-1
568-4909-1
568-4909-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP460APBF
仓库库存编号：
IRFP460APBF-ND
别名：*IRFP460APBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-247
型号：
TK31N60W5,S1VF
仓库库存编号：
TK31N60W5S1VF-ND
别名：TK31N60W5,S1VF(S
TK31N60W5,S1VF-ND
TK31N60W5S1VF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
型号：
FDA28N50F
仓库库存编号：
FDA28N50F-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
型号：
FDA28N50
仓库库存编号：
FDA28N50-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30.8A（Ta） 240W（Tc） 4-DFN-EP（8x8）
型号：
TK31V60W5,LVQ
仓库库存编号：
TK31V60W5LVQCT-ND
别名：TK31V60W5LVQCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 15.0A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 15.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
型号：
STF17N62K3
仓库库存编号：
497-12571-5-ND
别名：497-12571-5
STF17N62K3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 22A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 400W（Tc） TO-247
型号：
STW25N95K3
仓库库存编号：
497-11148-5-ND
别名：497-11148-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR438DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR438DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR438DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 23A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 44W（Tc） TO-220F
型号：
FCPF220N80
仓库库存编号：
FCPF220N80-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 23A
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 278W（Tc） TO-220
型号：
FCP220N80
仓库库存编号：
FCP220N80-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB47N10S-33
仓库库存编号：
IPB47N10S33ATMA1CT-ND
别名：IPB47N10S-33CT
IPB47N10S-33CT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 24A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 650W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH24N80P
仓库库存编号：
IXFH24N80P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 39A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 39A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4126DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4126DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4126DY-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P
详细描述：通孔 P 沟道 36A（Tc） 294W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA36P15
仓库库存编号：
FQA36P15-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJA46EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJA46EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJA46EP-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 15A 8DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Ta），30A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6405L
仓库库存编号：
785-1340-1-ND
别名：785-1340-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD100N04-3M6_GE3
仓库库存编号：
SQD100N04-3M6_GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD100N04-3M6L_GE3
仓库库存编号：
SQD100N04-3M6L_GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 40V 50A（Tc） 136W（Tc） D-PAK（TO-252）
型号：
SQR50N04-3M8_GE3
仓库库存编号：
SQR50N04-3M8_GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM50N04-4M1_GE3
仓库库存编号：
SQM50N04-4M1_GE3-ND
别名：SQM50N04-4M1-GE3
SQM50N04-4M1-GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 105nC @ 10V,
无铅
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