产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
规格选型
封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）(3)
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(12)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(12)
TO-220-3(16)
TO-220-3 整包(8)
TO-247-3(8)
8-PowerSMD，扁平引线(5)
8-PowerWDFN(1)
SC-100，SOT-669(3)
8-PowerTDFN(9)
PowerPAK? SO-8(1)
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA(1)
TO-220-2 整包(1)
TO-3P-3，SC-65-3(1)
TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA(1)
TO-247-4(1)
4-PowerTSFN(1)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(8)
SC-83(2)
重新选择
STMicroelectronics(7)
Fairchild/ON Semiconductor(10)
Nexperia USA Inc.(6)
Rohm Semiconductor(4)
Toshiba Semiconductor and Storage(2)
Vishay Siliconix(6)
Texas Instruments(1)
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(6)
IXYS(3)
Sanken(1)
Global Power Technologies Group(1)
Infineon Technologies(45)
NXP USA Inc.(2)
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表面贴装(50)
通孔(44)
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-(1)
-55°C ~ 150°C（TJ）(42)
-55°C ~ 175°C（TJ）(36)
150°C（TJ）(12)
-40°C ~ 150°C（TJ）(3)
重新选择
-(15)
STripFET?? II(1)
STripFET?? III(1)
MDmesh? V(5)
TrenchFET?(1)
TrenchMOS??(4)
NexFET??(1)
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?(1)
U-MOSVI(2)
PowerTrench?(7)
AlphaMOS(2)
汽车级，AEC-Q101，PowerTrench?(2)
E(3)
HiPerFET??(3)
CoolMOS??(12)
OptiMOS??(17)
HEXFET?(8)
Dual Cool??，PowerTrench?，SyncFET??(1)
CoolMOS? C7(5)
汽车级，AEC-Q101，OptiMOS?(2)
CoolMOS? CE(1)
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剪切带（CT） (29)
散装 (2)
带卷（TR） (15)
管件 (47)
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在售(52)
已不再提供(10)
不可用于新设计(5)
上次购买时间(1)
过期(26)
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8-SO(1)
D-Pak(1)
D2PAK(7)
TO-220AB(6)
TO-220(1)
TO-220FP(1)
TO-247-3(3)
TO-252，（D-Pak）(1)
8-SOP(2)
LFPAK56，Power-SO8(3)
8-DFN（5x6）(6)
D-PAK（TO-252AA）(5)
8-VSON（5x6）(1)
8-MLP（3.3x3.3），Power33(1)
Power56(2)
8-PQFN（5x6），Power56(1)
Dual Cool?56(1)
TO-3PN(1)
TO-247AD（IXFH）(1)
TO-220FM(1)
TO-268(1)
PG-TSDSON-8(1)
PG-TDSON-8(2)
PG-TO252-3(4)
PG-TO252-3-11(1)
IPAK（TO-251）(1)
PG-TO263-2(1)
PG-TO263-3(1)
PG-TO263-3-2(3)
PG-VSON-4(1)
TO-262(2)
PG-TO-220-3(2)
PG-TO220-FP(2)
PG-TO220-3-1(6)
PG-TO247-3(3)
TO-220 整包(1)
PG-TO220-3(2)
ISOPLUS247?(1)
TO-220FN(1)
I2PAK(1)
PG-TO220 整包(2)
PG-TO247-4(1)
LPTS(1)
PG-TO262-3(4)
PG-TO262-3-1(1)
LPTS（SC-83）(1)
重新选择
MOSFET（金属氧化物）(94)
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±30V(11)
±20V(68)
±16V(6)
±25V(5)
+20V，-25V(2)
重新选择
64nC @ 10V(94)
重新选择
4 毫欧 @ 20A，10V(1)
12 毫欧 @ 15A，10V(1)
1.7 毫欧 @ 20A，10V(1)
2 毫欧 @ 15A，10V(2)
1.8 毫欧 @ 20A，10V(1)
2.2 毫欧 @ 20A，10V(1)
3.5 毫欧 @ 50A，10V(1)
6 毫欧 @ 25A，10V(2)
18 毫欧 @ 20A，10V(1)
6.7 毫欧 @ 15A，10V(3)
1 毫欧 @ 30A，10V(1)
70 毫欧 @ 8.5A，10V(1)
400 毫欧 @ 8.4A，10V(2)
139 毫欧 @ 11A，10V(5)
15.7 毫欧 @ 50A，10V(2)
140 毫欧 @ 14A，10V(6)
1.05 欧姆 @ 7.5A，10V(2)
2.6 毫欧 @ 28A，10V(1)
3.3 毫欧 @ 25A，10V(1)
11 毫欧 @ 37A，10V(8)
4.7 毫欧 @ 20A，10V(1)
3.4 毫欧 @ 25A，10V(1)
3.4 毫欧 @ 10A，10V(1)
309 毫欧 @ 7A，10V(3)
2.4 毫欧 @ 20A，10V(2)
3.1 毫欧 @ 22A，10V(1)
5.8 毫欧 @ 16A，10V(1)
160 毫欧 @ 7.5A，10V(1)
7.2 毫欧 @ 13.5A，10V(2)
5 毫欧 @ 40A，10V(1)
220 毫欧 @ 11.5A，10V(1)
6 毫欧 @ 30A，10V(2)
15.4 毫欧 @ 50A，10V(1)
12.4 毫欧 @ 67A，10V(1)
210 毫欧 @ 10.5A，10V(1)
120 毫欧 @ 15A，10V(1)
7.9 毫欧 @ 13.5A，10V(1)
15 毫欧 @ 50A，10V(1)
1.2 欧姆 @ 7.5A，10V(1)
15 毫欧 @ 4.5A，10V(1)
440 毫欧 @ 7A，10V(5)
2.6 毫欧 @ 68A，10V(1)
220 毫欧 @ 10.5A，10V(1)
7.8 毫欧 @ 50A，10V(2)
8.2 毫欧 @ 45A，10V(3)
6.5 毫欧 @ 80A，10V(1)
460 毫欧 @ 7.1A，10V(2)
65 毫欧 @ 17.1A，10V(4)
5.7 毫欧 @ 16A，10V(1)
13 毫欧 @ 5A，10V(1)
7.7 毫欧 @ 14A，10V(1)
12.9 毫欧 @ 67A，10V(2)
12.6 毫欧 @ 67A，10V(1)
7.9 毫欧 @ 45A，10V(1)
重新选择
10V(50)
5V，10V(2)
4.5V，10V(34)
4V，10V(1)
6V，10V(5)
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N 沟道(91)
P 沟道(3)
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5A（Tc）(1)
60A（Tc）(3)
10A（Tc）(1)
11A（Tc）(5)
28A（Tc）(1)
33A（Tc）(3)
21A（Tc）(2)
45A（Tc）(4)
10A（Ta）(1)
23A（Tc）(7)
15A（Ta）(1)
61A（Tc）(8)
50A（Tc）(8)
100A（Tc）(4)
15A（Tc）(4)
75A（Tc）(2)
13.5A（Ta）(1)
10.8A（Ta）(1)
80A（Tc）(2)
22A（Ta）(1)
90A（Ta）(2)
14A（Tc）(2)
9A（Ta）(1)
13A（Tc）(3)
18A（Ta），40A（Tc）(1)
21A（Ta），100A（Tc）(1)
16.4A（Ta），50A（Tc）(1)
39A（Ta），100A（Tc）(1)
22A（Tc）(5)
49A（Ta），85A（Tc）(1)
67A（Tc）(4)
22A（Ta），100A（Tc）(1)
13.5A（Ta），22A（Tc）(1)
22A（Ta），76A（Tc）(1)
29A（Ta）(1)
53.7A（Tc）(1)
54A（Ta），150A（Tc）(1)
27A（Ta），70A（Tc）(1)
47A（Ta），36A（Tc）(1)
52A（Ta），85A（Tc）(1)
13.5A（Ta），102A（Tc）(1)
15A（Ta），85A（Tc）(1)
21.2A（Tc）(1)
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5100pF @ 25V(2)
3800pF @ 25V(1)
2470pF @ 15V(1)
3980pF @ 12V(2)
3500pF @ 50V(1)
2300pF @ 25V(2)
1200pF @ 25V(5)
5100pF @ 20V(2)
3515pF @ 20V(3)
4700pF @ 12V(1)
3250pF @ 25V(3)
1600pF @ 100V(2)
2038pF @ 25V(2)
3020pF @ 100V(1)
2880pF @ 100V(5)
3430pF @ 15V(3)
4010pF @ 15V(1)
3270pF @ 25V(1)
4180pF @ 25V(4)
4910pF @ 50V(1)
2850pF @ 15V(2)
1720pF @ 25V(8)
4780pF @ 25V(6)
2540pF @ 100V(6)
3907pF @ 12V(1)
1205pF @ 100V(3)
4545pF @ 20V(1)
5340pF @ 30V(1)
4520pF @ 15V(1)
2130pF @ 75V(1)
4250pF @ 60V(1)
4550pF @ 30V(1)
2500pF @ 15V(1)
3907pF @ 15V(1)
2796pF @ 15V(2)
2900pF @ 10V(1)
1224pF @ 10V(1)
4585pF @ 60V(1)
4700pF @ 50V(1)
3020pF @ 400V(4)
2580pF @ 10V(1)
4610pF @ 30V(1)
2985pF @ 25V(1)
4340pF @ 40V(4)
重新选择
-(92)
肖特基二极管（体）(2)
重新选择
4V @ 250μA(15)
2V @ 250μA(4)
2.5V @ 250μA(2)
5V @ 250μA(6)
2.4V @ 250μA(2)
2V @ 1mA(1)
3V @ 1mA(2)
2.5V @ 1mA(2)
1.8V @ 250μA(1)
3V @ 250μA(6)
4V @ 1mA(4)
3.5V @ 250μA(1)
2.15V @ 1mA(4)
3.4V @ 250μA(1)
4.5V @ 1mA(2)
5V @ 500μA(4)
2V @ 36μA(2)
2.2V @ 35μA(6)
2V @ 500μA(2)
3.5V @ 90μA(1)
3.9V @ 680μA(2)
2.4V @ 60μA(4)
6.5V @ 4mA(3)
4V @ 83μA(4)
3.5V @ 930μA(6)
4V @ 850μA(5)
3.8V @ 84μA(1)
5V @ 1.9mA(1)
重新选择
-(1)
33W（Tc）(1)
125W（Tc）(8)
100W（Tc）(6)
190W（Tc）(2)
140W（Tc）(4)
40W（Tc）(1)
400W（Tc）(1)
1W（Ta）(2)
71W（Tc）(6)
50W（Tc）(1)
91W（Tc）(8)
30W（Tc）(1)
7.3W（Ta），83W（Tc）(2)
3.1W（Ta），77W（Tc）(1)
147W（Tc）(3)
97W（Tc）(1)
130W（Tc）(1)
2.3W（Ta），40W（Tc）(1)
150W（Tc）(2)
2.3W（Ta），83W（Tc）(1)
2.5W（Ta），69W（Tc）(2)
6.25W（Ta），104W（Tc）(1)
2.7W（Ta），156W（Tc）(1)
192W（Tc）(5)
6.25W（Tc）(1)
114W（Tc）(2)
2.1W（Ta），69W（Tc）(1)
2.5W（Ta），83W（Tc）(1)
3.2W（Ta）(1)
3.1W（Ta），65W（Tc）(1)
95W（Tc）(1)
2.5W（Ta），96W（Tc）(1)
34W（Tc）(4)
7.4W（Ta），83W（Tc）(2)
690W（Tc）(2)
169W（Tc）(1)
118W（Tc）(2)
254W（Tc）(2)
3.3W（Ta），78W（Tc）(1)
3.3W（Ta），187W（Tc）(1)
1.35W（Ta），50W（Tc）(1)
171W（Tc）(3)
347W（Tc）(1)
70W（Ta）(2)
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150V(1)
200V(1)
120V(2)
25V(1)
24V(2)
100V(8)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 97W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN2R0-30YL,115
仓库库存编号：
1727-4163-1-ND
别名：1727-4163-1
568-4679-1
568-4679-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 130W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN012-100YS,115
仓库库存编号：
1727-4289-1-ND
别名：1727-4289-1
568-4978-1
568-4978-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ040N04LSGATMA1
仓库库存编号：
BSZ040N04LSGATMA1CT-ND
别名：BSZ040N04LSGINCT
BSZ040N04LSGINCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC035N04LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC035N04LSGATMA1CT-ND
别名：BSC035N04LS GCT
BSC035N04LS GCT-ND
BSC035N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 16.4A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），65W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD8453LZ
仓库库存编号：
FDD8453LZCT-ND
别名：FDD8453LZCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 39A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC010NE2LS
仓库库存编号：
BSC010NE2LSCT-ND
别名：BSC010NE2LSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP450APBF
仓库库存编号：
IRFP450APBF-ND
别名：*IRFP450APBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 22A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 140W（Tc） TO-247-3
型号：
STW30N65M5
仓库库存编号：
497-10655-5-ND
别名：497-10655-5
STW30N65M5-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 49A DFN5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），85A（Tc） 7.4W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6502
仓库库存编号：
785-1576-1-ND
别名：785-1576-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50N10S3L16AKSA1
仓库库存编号：
IPP50N10S3L16AKSA1-ND
别名：IPP50N10S3L-16
IPP50N10S3L-16-ND
IPP50N10S3L16
SP000407118
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 22A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
型号：
STP30N65M5
仓库库存编号：
497-10078-5-ND
别名：497-10078-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 690W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH15N100Q3
仓库库存编号：
IXFH15N100Q3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 23A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA50R140CP
仓库库存编号：
IPA50R140CP-ND
别名：IPA50R140CPXKSA1
SP000234988
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 114W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN3R4-30PL,127
仓库库存编号：
1727-5895-ND
别名：1727-5895
568-7514-5
568-7514-5-ND
934064004127
PSMN3R4-30PL,127-ND
PSMN3R430PL127
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 13A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 147W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
SIHD14N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHD14N60E-GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 23A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 192W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW50R140CP
仓库库存编号：
IPW50R140CP-ND
别名：IPW50R140CPFKSA1
SP000234989
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 22A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 140W（Tc） I2PAK
型号：
STI30N65M5
仓库库存编号：
497-11330-5-ND
别名：497-11330-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 118W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD8453LZ_F085
仓库库存编号：
FDD8453LZ_F085CT-ND
别名：FDD8453LZ_F085CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 40V 22A POWER 56
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），76A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS8333L
仓库库存编号：
FDMS8333LCT-ND
别名：FDMS8333LCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 22A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD18532NQ5B
仓库库存编号：
296-36445-1-ND
别名：296-36445-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 29A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta） 3.3W（Ta），78W（Tc） Dual Cool?56
型号：
FDMS3008SDC
仓库库存编号：
FDMS3008SDCCT-ND
别名：FDMS3008SDCCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 53.7A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc）
型号：
SIR872DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR872DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR872DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V 8MLP
详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta） 2.7W（Ta），156W（Tc） Power56
型号：
FDMS86202
仓库库存编号：
FDMS86202CT-ND
别名：FDMS86202CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 23A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 192W（Tc） PG-TO220-3
型号：
IPP50R140CPXKSA1
仓库库存编号：
IPP50R140CPXKSA1-ND
别名：SP000680932
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
型号：
STB30N65M5
仓库库存编号：
497-10563-1-ND
别名：497-10563-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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