产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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制造商
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零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(6)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(16)
TO-220-3(17)
TO-220-3 整包(3)
TO-247-3(17)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型(1)
PowerPAK? SO-8(12)
TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片）(1)
TO-3P-3，SC-65-3(2)
PowerSO-10 裸露底部焊盘(2)
TO-264-3，TO-264AA(4)
TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA(4)
SOT-227-4，miniBLOC(2)
TO-247-3 变式(1)
TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB(1)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(5)
10-PolarPAK?（L）(3)
ISOPLUS247?(2)
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STMicroelectronics(14)
Fairchild/ON Semiconductor(1)
On Semiconductor(2)
Vishay Siliconix(34)
Microsemi Corporation(4)
IXYS(24)
Renesas Electronics America(3)
Infineon Technologies(15)
Taiwan Semiconductor Corporation(2)
重新选择
表面贴装(47)
通孔(50)
底座安装(2)
重新选择
-(1)
-55°C ~ 150°C（TJ）(42)
-55°C ~ 175°C（TJ）(48)
175°C（TJ）(6)
150°C（TJ）(1)
-50°C ~ 175°C（TJ）(1)
重新选择
-(19)
SuperMESH??(1)
STripFET?? II(8)
STripFET??(2)
TrenchFET?(27)
PowerTrench?(1)
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET?(1)
STripFET? F7(2)
TrenchMV??(3)
HiPerFET??(10)
POWER MOS 7?(4)
OptiMOS??(7)
HEXFET?(6)
汽车级，AEC-Q101，OptiMOS?(2)
SkyFET?，TrenchFET?(2)
HiPerRF??(2)
TrenchHV??(2)
重新选择
剪切带（CT） (25)
散装 (2)
带卷（TR） (20)
管件 (51)
重新选择
在售(57)
已不再提供(4)
过期(38)
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D2PAK(6)
TO-220AB(10)
TO-220(3)
TO-220FP(1)
TO-247-3(5)
H2PAK(1)
TO-247(2)
TO-252，（D-Pak）(4)
TO-252(1)
PowerPAK? SO-8(12)
TO-263（D2Pak）(5)
TO-263(1)
TO-263（IXTA）(1)
10-PowerSO(2)
TO-3P(2)
TO-247（IXTH）(4)
TO-247AD（IXFH）(4)
TO-268(4)
PLUS247?-3(2)
TO-264AA（IXFK）(1)
SOT-227B(1)
ISOTOP?(1)
PG-TO252-3(1)
PG-TO263-3-2(3)
TO-262(2)
10-PolarPAK?（L）(3)
PG-TO220-3-1(3)
ISOPLUS247?(2)
TO-264 [L](2)
I2PAK(1)
T-MAX? [B2](1)
H2Pak-2(1)
PG-TO262-3(1)
PG-TO262-3-1(1)
TO-220ML(2)
TO-264（IXFK）(1)
TO-263-7（IXTA..7）(1)
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MOSFET（金属氧化物）(99)
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±30V(10)
±20V(82)
±15V(2)
+5V，-16V(4)
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160nC @ 10V(99)
重新选择
2.5 毫欧 @ 80A，10V(1)
3.3 毫欧 @ 20A，10V(1)
4.4 毫欧 @ 20A，10V(1)
4.8 毫欧 @ 20A，10V(1)
16 毫欧 @ 30A，10V(1)
25 毫欧 @ 10.2A，10V(2)
25.2 毫欧 @ 12.5A，10V(1)
41 毫欧 @ 7.8A，10V(2)
9.5 毫欧 @ 30A，10V(1)
11 毫欧 @ 40A，10V(7)
1 欧姆 @ 5A，10V(2)
900 毫欧 @ 5A，10V(2)
200 毫欧 @ 13A，10V(3)
7.5 毫欧 @ 20A，10V(2)
5 毫欧 @ 20A，10V(1)
2.4 毫欧 @ 25A，10V(1)
5 毫欧 @ 25A，10V(5)
4.1 毫欧 @ 90A，10V(1)
213 毫欧 @ 1A，4V(1)
4 毫欧 @ 50A，10V(1)
2.9 毫欧 @ 20A，10V(1)
3 毫欧 @ 90A，10V(1)
3.8 毫欧 @ 80A，10V(1)
3.2 毫欧 @ 100A，10V(4)
4.4毫欧 @ 80A，10V(2)
13 毫欧 @ 43A，10V(6)
14 毫欧 @ 54A，10V(2)
250 毫欧 @ 10.5A，10V(1)
3 毫欧 @ 80A，10V(1)
2.5 毫欧 @ 60A，10V(2)
2.8 毫欧 @ 100A，10V(1)
10.5 毫欧 @ 30A，10V(4)
230 毫欧 @ 12A，10V(3)
4.2 毫欧 @ 90A，10V(1)
500 毫欧 @ 10.5A，10V(2)
4.1 毫欧 @ 80A，10V(1)
240 毫欧 @ 15.5A，10V(2)
260 毫欧 @ 15.5A，10V(1)
43 毫欧 @ 9.2A，10V(2)
45 毫欧 @ 26A，10V(1)
7.8 毫欧 @ 30A，10V(2)
5.2 毫欧 @ 41A，10V(1)
1.9 毫欧 @ 23.6A，10V(2)
9.6 毫欧 @ 500mA，10V(2)
750 毫欧 @ 500mA，10V(3)
350 毫欧 @ 8.4A，10V(2)
240 毫欧 @ 14.5A，10V(1)
8.3 毫欧 @ 19.3A，10V(2)
42 毫欧 @ 7.9A，10V(2)
43 毫欧 @ 9.4A，10V(1)
43 毫欧 @ 10A，10V(1)
4.2 毫欧 @ 41A，10V(1)
2.8 毫欧 @ 41A，10V(1)
4.2 毫欧 @ 14A， 10V(1)
3.1 毫欧 @ 90A，10V(1)
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10V(67)
5V，10V(2)
4.5V，10V(24)
6V，10V(4)
8V，10V(1)
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N 沟道(79)
P 沟道(20)
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12A（Tc）(1)
24A（Tc）(3)
60A（Tc）(5)
10A（Tc）(4)
110A（Tc）(1)
120A（Tc）(5)
160A（Tc）(4)
28A（Tc）(6)
20A（Tc）(3)
180A（Tc）(4)
21A（Tc）(3)
15A（Ta）(2)
90A（Tc）(4)
52A（Tc）(1)
26A（Tc）(3)
50A（Tc）(1)
75A（Tc）(1)
29A（Tc）(1)
36A（Tc）(2)
80A（Tc）(10)
22A（Ta），80A（Tc）(1)
38A（Tc）(1)
200A（Tc）(5)
60A（Ta）(2)
31A（Tc）(3)
14A（Tc）(2)
70A（Tc）(2)
11.5A（Ta）(2)
85A（Tc）(4)
82A（Tc）(8)
190A（Tc）(1)
210A（Tc）(1)
37.1A（Tc）(2)
24.4A（Ta），40A（Tc）(1)
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-(4)
5800pF @ 25V(1)
7400pF @ 25V(3)
4700pF @ 40V(3)
4600pF @ 50V(6)
6700pF @ 25V(1)
3700pF @ 25V(7)
4850pF @ 25V(1)
5500pF @ 25V(2)
4200pF @ 25V(7)
4500pF @ 25V(2)
11300pF @ 25V(4)
4355pF @ 25V(1)
2700pF @ 25V(2)
6800pF @ 25V(5)
4670pF @ 25V(4)
4700pF @ 25V(4)
9750pF @ 25V(1)
3820pF @ 25V(6)
6200pF @ 25V(1)
11550pF @ 25V(3)
8665pF @ 25V(1)
6550pF @ 25V(4)
8800pF @ 25V(2)
9600pF @ 25V(1)
8600pF @ 30V(1)
5350pF @ 25V(1)
7400pF @ 15V(1)
9700pF @ 20V(2)
7150pF @ 15V(1)
7000pF @ 15V(2)
13150pF @ 25V(5)
4800pF @ 15V(1)
6460pF @ 40V(1)
6190pF @ 30V(2)
5230pF @ 50V(3)
6520pF @ 10V(1)
9080pF @ 25V(1)
7900pF @ 30V(1)
重新选择
-(99)
重新选择
-(2)
4V @ 250μA(34)
1V @ 250μA(2)
5V @ 250μA(4)
3V @ 250μA(17)
4.5V @ 250μA(7)
4V @ 1mA(1)
3.5V @ 250μA(1)
2.7V @ 250μA(3)
4.5V @ 150μA(1)
5V @ 1mA(2)
4V @ 4mA(7)
5V @ 2.5mA(4)
4.5V @ 8mA(3)
2V @ 253μA(4)
5.5V @ 4mA(2)
4V @ 120μA(5)
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-(1)
45W（Tc）(1)
190W（Tc）(2)
210W（Tc）(2)
250W（Tc）(4)
450W（Tc）(1)
1.9W（Ta）(4)
167W（Tc）(5)
83W（Tc）(1)
150W（Tc）(1)
6.25W（Ta），104W（Tc）(1)
5.2W（Ta），83.3W（Tc）(4)
8.3W（Ta），136W（Tc）(4)
5.2W（Ta），83W（Tc）(2)
3.75W（Ta），375W（Tc）(1)
300W（Tc）(19)
230W（Tc）(8)
460W（Tc）(1)
830W（Tc）(2)
137W（Tc）(4)
5.2W（Ta），125W（Tc）(3)
500W（Tc）(2)
3.75W（Ta），300W（Tc）(3)
430W（Tc）(5)
2W（Ta），30W（Tc）(2)
3.75W（Ta），250W（Tc）(4)
780W（Tc）(3)
565W（Tc）(3)
1.8W（Ta），143W（Tc）(3)
3.3W（Ta），79W（Tc）(1)
2W（Ta），125W（Tc）(1)
18.8W（Ta）, 125W（Tc）(1)
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150V(2)
20V(2)
80V(4)
200V(1)
75V(22)
100V(17)
40V(1)
30V(10)
60V(15)
450V(2)
250V(1)
600V(2)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83.3W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7469DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7469DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7469DP-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 8.3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50P08-25L-E3
仓库库存编号：
SUD50P08-25L-E3CT-ND
别名：SUD50P08-25L-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7489DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7489DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7489DP-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM110N10-09-E3
仓库库存编号：
SUM110N10-09-E3CT-ND
别名：SUM110N10-09-E3-ND
SUM110N10-09-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
STP75NF75
仓库库存编号：
497-2788-5-ND
别名：497-2788-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH26N50
仓库库存编号：
IXFH26N50-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 137W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90P03P4L04ATMA1
仓库库存编号：
IPD90P03P4L04ATMA1CT-ND
别名：IPD90P03P4L-04INCT
IPD90P03P4L-04INCT-ND
IPD90P03P4L04ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 200V SO8L
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ431EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ431EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ431EP-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 45W（Tc） TO-220FP
型号：
STP75NF75FP
仓库库存编号：
497-12618-5-ND
别名：497-12618-5
STP75NF75FP-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 10A TO-247AD
详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH10P60
仓库库存编号：
IXTH10P60-ND
别名：Q1152201
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80P03P4L04AKSA1
仓库库存编号：
IPP80P03P4L04AKSA1-ND
别名：IPP80P03P4L-04
IPP80P03P4L-04-ND
SP000396390
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 82A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 82A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF2807PBF
仓库库存编号：
IRF2807PBF-ND
别名：*IRF2807PBF
SP001550978
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 230W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP054PBF
仓库库存编号：
IRFP054PBF-ND
别名：*IRFP054PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220
型号：
STP76NF75
仓库库存编号：
497-12619-5-ND
别名：497-12619-5
STP76NF75-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7489DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7489DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7489DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
型号：
STH240N10F7-6
仓库库存编号：
497-15312-1-ND
别名：497-15312-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 80A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Ta），80A（Tc） 450W（Tc） TO-247
型号：
FDH038AN08A1
仓库库存编号：
FDH038AN08A1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） 3.75W（Ta），250W（Tc）
型号：
SUP85N10-10-GE3
仓库库存编号：
SUP85N10-10-GE3CT-ND
别名：SUP85N10-10-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH24N50
仓库库存编号：
IXFH24N50-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH21N50
仓库库存编号：
IXFH21N50-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 82A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
IRF2807STRLPBF
仓库库存编号：
IRF2807STRLPBFCT-ND
别名：IRF2807STRLPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB76NF75
仓库库存编号：
497-12538-1-ND
别名：497-12538-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
型号：
STI76NF75
仓库库存编号：
497-12266-ND
别名：497-12266
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：通孔 N 沟道 190A（Tc） 250W（Tc） TO-220
型号：
TSM190N08CZ C0G
仓库库存编号：
TSM190N08CZ C0G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 21A PLUS247-3
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX21N100F
仓库库存编号：
IXFX21N100F-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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