产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
型号：
STD3NK80ZT4
仓库库存编号：
497-7968-1-ND
别名：497-7968-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 70W（Tc） DPAK
型号：
STD10NM60N
仓库库存编号：
497-10021-1-ND
别名：497-10021-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.4A（Tc） 2W（Ta），3.2W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3437DV-T1-E3
仓库库存编号：
SI3437DV-T1-E3CT-ND
别名：SI3437DV-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 8.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9024TRPBF
仓库库存编号：
IRFR9024PBFCT-ND
别名：*IRFR9024TRPBF
IRFR9024PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），77W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD18504Q5A
仓库库存编号：
296-30572-1-ND
别名：296-30572-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Tc） 38W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9024NTRPBF
仓库库存编号：
IRFR9024NPBFCT-ND
别名：*IRFR9024NTRPBF
IRFR9024NPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 8.4A（Tc） 1.7W（Ta），20.8W（Tc） TO-252
型号：
SUD08P06-155L-GE3
仓库库存编号：
SUD08P06-155L-GE3CT-ND
别名：SUD08P06-155L-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR420TRPBF
仓库库存编号：
IRFR420PBFCT-ND
别名：*IRFR420TRPBF
IRFR420PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），36A（Tc） 3.1W（Ta），62W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FDD86102
仓库库存编号：
FDD86102CT-ND
别名：FDD86102CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 110W（Tc） DPAK
型号：
STD16N60M2
仓库库存编号：
497-15461-1-ND
别名：497-15461-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 90W（Tc） DPAK
型号：
STD5N95K3
仓库库存编号：
497-10412-1-ND
别名：497-10412-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 1.6A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9020PBF
仓库库存编号：
IRFD9020PBF-ND
别名：*IRFD9020PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 1.6A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9024PBF
仓库库存编号：
IRFD9024PBF-ND
别名：*IRFD9024PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 11A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9Z24PBF
仓库库存编号：
IRF9Z24PBF-ND
别名：*IRF9Z24PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF10NM60N
仓库库存编号：
497-12564-5-ND
别名：497-12564-5
STF10NM60N-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 2.5W（Ta），49W（Tc） D-Pak
型号：
FQD5N60CTM
仓库库存编号：
FQD5N60CTMCT-ND
别名：FQD5N60CTMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），37A（Tc） 3.1W（Ta），62W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD86326
仓库库存编号：
FDD86326CT-ND
别名：FDD86326CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 11A（Tc） 38W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU9024NPBF
仓库库存编号：
IRFU9024NPBF-ND
别名：*IRFU9024NPBF
SP001557756
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 8.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU9024PBF
仓库库存编号：
IRFU9024PBF-ND
别名：*IRFU9024PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 12A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9Z24NPBF
仓库库存编号：
IRF9Z24NPBF-ND
别名：*IRF9Z24NPBF
SP001555934
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF30N10F7
仓库库存编号：
497-14554-5-ND
别名：497-14554-5
STF30N10F7-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R380P6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R380P6ATMA1CT-ND
别名：IPD60R380P6ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 12A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
STU16N60M2
仓库库存编号：
497-16025-5-ND
别名：497-16025-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 71A（Tc） 58W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN6R0-30YLB,115
仓库库存编号：
1727-7222-1-ND
别名：1727-7222-1
568-9718-1
568-9718-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 58A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 58A（Tc） 85W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK7Y13-40B,115
仓库库存编号：
1727-4938-1-ND
别名：1727-4938-1
568-6232-1
568-6232-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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