产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
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分立半导体产品
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
规格选型
封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）(1)
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3(1)
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(4)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(35)
TO-220-3(27)
TO-220-3 整包(2)
TO-247-3(36)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型(1)
PowerPAK? 1212-8(2)
8-PowerTDFN(5)
PowerPAK? SO-8(9)
TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片）(1)
TO-3P-3，SC-65-3(3)
PowerSO-10 裸露底部焊盘(1)
TO-264-3，TO-264AA(7)
TO-3P-3 整包(2)
TO-3PFM，SC-93-3(1)
TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA(8)
SOT-227-4，miniBLOC(5)
TO-247-3 变式(3)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(7)
DirectFET? 等距 L8(1)
ISOPLUS247?(5)
重新选择
STMicroelectronics(20)
Fairchild/ON Semiconductor(9)
Rohm Semiconductor(5)
Vishay Siliconix(33)
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(1)
Microsemi Corporation(12)
IXYS(38)
Renesas Electronics America(2)
Infineon Technologies(43)
NXP USA Inc.(1)
Taiwan Semiconductor Corporation(3)
重新选择
表面贴装(67)
通孔(93)
底座安装(5)
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-(1)
-55°C ~ 150°C（TJ）(72)
-55°C ~ 175°C（TJ）(78)
175°C（TJ）(4)
150°C（TJ）(6)
-40°C ~ 150°C（TJ）(2)
-50°C ~ 150°C（TJ）(1)
-40°C ~ 175°C（TJ）(3)
重新选择
-(35)
STripFET?? II(9)
STripFET??(2)
MDmesh? II(1)
STripFET?? III(6)
TrenchFET?(13)
TrenchMOS??(1)
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET?(2)
QFET?(1)
汽车级，AEC-Q101，PowerTrench?(2)
UltraFET??(6)
E(3)
HiPerFET?，Polar3?(2)
HiPerFET??(10)
POWER MOS 7?(3)
PolarHT??(3)
HiPerFET?，PolarHT?(9)
PolarHV??(3)
OptiMOS??(18)
HEXFET?(23)
汽车级，AEC-Q101，HEXFET?(2)
TrenchT2??(2)
GigaMOS?，HiPerFET?，TrenchT2?(1)
POWER MOS 8??(4)
STripFET? F6(2)
TrenchFET? Gen IV(1)
PolarHT?? HiPerFET??(2)
TrenchHV??(1)
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剪切带（CT） (31)
散装 (10)
带卷（TR） (23)
管件 (99)
-Reel? (1)
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在售(101)
已不再提供(5)
不可用于新设计(2)
上次购买时间(9)
过期(50)
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DPAK(1)
D2PAK(11)
TO-220-3(1)
TO-220AB(18)
TO-220(2)
TO-247-3(12)
H2PAK(2)
TO-247(3)
SOT-23(1)
TO-252，（D-Pak）(3)
8-SOP(1)
PowerPAK? 1212-8(2)
PowerPAK? SO-8(9)
D2PAK（TO-263AB）(8)
TO-263（D2Pak）(4)
TO-263(2)
TO-247AC(5)
TO-247 [B](4)
TO-3PN(1)
10-PowerSO(1)
TO-247AD(2)
TO-3PF(2)
TO-3P(2)
TO-247（IXTH）(3)
TO-247AD（IXFH）(3)
TO-268(5)
PLUS247?-3(6)
TO-264AA（IXFK）(7)
SOT-227B(3)
SOT-227(2)
D3Pak(3)
PG-TDSON-8(2)
TO-220AB 整包(1)
PG-TO263-3-2(8)
TO-262(4)
DIRECTFET L8(1)
PG-TO220-3-1(6)
ISOPLUS247?(5)
TO-263（IXFA）(1)
I2PAK(1)
T-MAX? [B2](3)
8-PDFN（5x6）(3)
PG-TO262-3-1(2)
TO-268（IXFT）(1)
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MOSFET（金属氧化物）(167)
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±30V(44)
±20V(108)
±16V(8)
±25V(3)
+20V，-16V(2)
重新选择
150nC @ 10V(167)
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2.5 毫欧 @ 80A，10V(1)
4 毫欧 @ 20A，10V(1)
9.4 毫欧 @ 24A，10V(1)
11 毫欧 @ 40A，10V(1)
6.5 毫欧 @ 40A，10V(1)
500 欧姆 @ 16mA，10V(1)
5 毫欧 @ 50A，10V(1)
7 毫欧 @ 40A，10V(2)
7 毫欧 @ 14A，10V(1)
1.6 毫欧 @ 50A，10V(1)
1.2 毫欧 @ 20A，10V(1)
15.5 毫欧 @ 17A，10V(1)
4.6 毫欧 @ 50A，10V(2)
8 毫欧 @ 40A，10V(5)
3.7 毫欧 @ 75A，10V(10)
1.8 毫欧 @ 25A，10V(1)
22 毫欧 @ 44A，10V(4)
300 毫欧 @ 9.6A，10V(2)
400 毫欧 @ 8.4A，10V(3)
33 毫欧 @ 35A，10V(3)
99 毫欧 @ 16.5A，10V(7)
13 毫欧 @ 500mA，10V(2)
60 毫欧 @ 500mA，10V(3)
85 毫欧 @ 32A，10V(3)
13 毫欧 @ 43A，10V(1)
2.25 毫欧 @ 20A，10V(2)
55 毫欧 @ 25A，10V(2)
20 毫欧 @ 44A，10V(1)
8 毫欧 @ 75A，10V(3)
235 毫欧 @ 14A，10V(2)
800 毫欧 @ 9A，10V(1)
90 毫欧 @ 23A，10V(1)
6.5 毫欧 @ 55A，10V(1)
280 毫欧 @ 13A，10V(2)
98 毫欧 @ 23A，10V(1)
93 毫欧 @ 23A，10V(1)
33 毫欧 @ 10A，10V(1)
3.3 毫欧 @ 80A，10V(3)
2 毫欧 @ 27A，10V(3)
1.7 毫欧 @ 15A，10V(2)
2.6 毫欧 @ 80A，10V(1)
320 毫欧 @ 13A，10V(2)
60 毫欧 @ 22.5A，10V(1)
10 毫欧 @ 15A，10V(1)
1.7 毫欧 @ 80A，10V(2)
3.1 毫欧 @ 80A，10V(2)
3 毫欧 @ 80A，10V(3)
10 毫欧 @ 18A，10V(1)
2.8 毫欧 @ 80A，10V(1)
2.4 毫欧 @ 80A，10V(1)
8.2 毫欧 @ 20A，10V(1)
1.5 毫欧 @ 80A，10V(1)
21 毫欧 @ 44A，10V(1)
69 毫欧 @ 21.75A，10V(1)
1.8 毫欧 @ 50A，10V(1)
2.9 毫欧 @ 80A，10V(2)
390 毫欧 @ 12A，10V(2)
150 毫欧 @ 500mA，10V(1)
95 毫欧 @ 32A，10V(1)
140 毫欧 @ 4A，10V(1)
700 毫欧 @ 9A，10V(1)
1.55 毫欧 @ 20A，10V(1)
27 毫欧 @ 60A，10V(2)
270 毫欧 @ 16A，10V(3)
670 毫欧 @ 9A，10V(2)
3.1 毫欧 @ 30A，10V(1)
6 毫欧 @ 69A，10V(2)
500 毫欧 @ 12A，10V(1)
110 毫欧 @ 500mA，10V(1)
13 毫欧 @ 55A，10V(1)
16 毫欧 @ 500mA，10V(6)
430 毫欧 @ 12A，10V(1)
780 毫欧 @ 9A、 10V(1)
290 毫欧 @ 16A，10V(1)
135 毫欧 @ 500mA，10V(2)
160 毫欧 @ 15A，10V(3)
81 毫欧 @ 23A，10V(1)
150 毫欧 @ 24A，10V(1)
160 毫欧 @ 16A，10V(3)
100 毫欧 @ 27A，10V(1)
45 毫欧 @ 22.5A，10V(2)
3.4 毫欧 @ 80A，10V(2)
11.6 毫欧 @ 62A，10V(1)
6.5 毫欧 @ 75A，10V(6)
6.5 毫欧 @ 24A，10V(2)
3.5 毫欧 @ 41A，10V(1)
12.5 毫欧 @ 42A，10V(1)
60 毫欧 @ 26A，10V(1)
6.3 毫欧 @ 69A，10V(4)
重新选择
10V(134)
4.5V，10V(30)
4V，10V(1)
重新选择
N 沟道(155)
P 沟道(12)
重新选择
-(1)
18A（Tc）(3)
24A（Tc）(2)
16A（Tc）(2)
60A（Tc）(5)
35A（Tc）(3)
110A（Tc）(7)
120A（Tc）(13)
160A（Tc）(5)
20A（Tc）(1)
180A（Tc）(2)
33A（Tc）(7)
21A（Tc）(2)
45A（Tc）(1)
84A（Tc）(1)
130A（Tc）(1)
40A（Tc）(4)
46A（Tc）(2)
25A（Tc）(2)
23A（Tc）(4)
17A（Tc）(2)
90A（Tc）(1)
52A（Tc）(5)
61A（Tc）(1)
76A（Tc）(1)
14A（Ta）(1)
50A（Tc）(5)
48A（Tc）(2)
30A（Tc）(5)
100A（Tc）(7)
75A（Tc）(15)
29A（Tc）(1)
32A（Tc）(7)
31A（Ta），100A（Tc）(1)
140A（Tc）(1)
80A（Tc）(18)
14A（Tc）(3)
170A（Tc）(3)
64A（Tc）(2)
72A（Tc）(4)
34mA（Ta）(1)
57A（Tc）(2)
22A（Tc）(2)
82A（Tc）(1)
30A（Ta），100A（Tc）(1)
46A（Ta）(2)
54A（Tc）(1)
270A（Tc）(1)
43.5A（Tc）(1)
375A（Tc）(1)
103A（Tc）(1)
重新选择
5100pF @ 25V(3)
7400pF @ 25V(6)
3800pF @ 25V(4)
2600pF @ 25V(4)
6000pF @ 10V(1)
4800pF @ 25V(1)
3600pF @ 25V(2)
3700pF @ 25V(2)
9000pF @ 25V(1)
4200pF @ 25V(4)
6100pF @ 25V(1)
4500pF @ 25V(1)
4000pF @ 25V(2)
3650pF @ 25V(5)
8400pF @ 25V(1)
6pF @ 25V(1)
12000pF @ 20V(2)
6900pF @ 6V(1)
5910pF @ 25V(1)
5300pF @ 25V(4)
3400pF @ 25V(1)
4340pF @ 25V(10)
5380pF @ 50V(6)
2800pF @ 25V(1)
6000pF @ 25V(3)
6800pF @ 25V(1)
7020pF @ 25V(10)
7500pF @ 25V(1)
5860pF @ 25V(3)
3508pF @ 100V(7)
6500pF @ 25V(1)
8700pF @ 25V(4)
6110pF @ 10V(2)
5600pF @ 25V(1)
4845pF @ 25V(3)
7200pF @ 25V(1)
9130pF @ 40V(2)
3850pF @ 25V(3)
3570pF @ 25V(2)
6230pF @ 25V(1)
7942pF @ 20V(3)
7150pF @ 20V(2)
8600pF @ 25V(3)
4900pF @ 25V(5)
4420pF @ 25V(2)
4800pF @ 50V(1)
4650pF @ 15V(2)
8000pF @ 10V(1)
5875pF @ 20V(1)
10000pF @ 40V(2)
6290pF @ 50V(1)
8800pF @ 25V(4)
5050pF @ 25V(2)
8860pF @ 25V(4)
5380pF @ 25V(1)
8630pF @ 25V(2)
4595pF @ 25V(4)
6660pF @ 25V(1)
3950pF @ 25V(6)
8820pF @ 25V(1)
6710pF @ 25V(1)
4965pF @ 25V(6)
10349pF @ 25V(1)
7765pF @ 15V(1)
重新选择
-(167)
重新选择
-(1)
4V @ 250μA(57)
2.5V @ 250μA(10)
5V @ 250μA(23)
2.4V @ 250μA(2)
1.6V @ 250μA(2)
2.5V @ 1mA(1)
3V @ 250μA(10)
4.5V @ 250μA(7)
4V @ 1mA(1)
4.5V @ 1mA(2)
5V @ 1mA(10)
5V @ 4mA(4)
4V @ 4mA(5)
4.5V @ 4mA(5)
5V @ 8mA(7)
5.5V @ 8mA(5)
5V @ 2.5mA(3)
4.1V @ 8μA(1)
2V @ 85μA(2)
4V @ 150μA(1)
3.9V @ 3mA(2)
2V @ 180μA(6)
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-(1)
310W（Tc）(9)
190W（Tc）(5)
330W（Tc）(9)
250W（Tc）(6)
625W（Tc）(9)
167W（Tc）(1)
83W（Tc）(1)
3W（Ta），136W（Tc）(1)
5.4W（Ta），83W（Tc）(2)
6.25W（Ta），104W（Tc）(2)
3.3W（Ta），125W（Tc）(1)
120W（Tc）(4)
3.75W（Ta），375W（Tc）(1)
300W（Tc）(33)
333W（Tc）(2)
375W（Tc）(5)
200W（Tc）(7)
480W（Tc）(3)
360W（Tc）(6)
830W（Tc）(7)
600W（Tc）(4)
700W（Tc）(1)
220W（Tc）(4)
1.39W（Ta）(1)
650mW（Ta）(1)
48W（Tc）(3)
2.5W（Ta），125W（Tc）(1)
2.5W（Ta），139W（Tc）(1)
136W（Tc）(1)
68W（Tc）(1)
370W（Tc）(4)
278W（Tc）(7)
390W（Tc）(1)
3.75W（Ta），300W（Tc）(1)
290W（Tc）(2)
104W（Tc）(3)
341W（Tc）(1)
690W（Tc）(1)
5W（Ta），69.4W（Tc）(1)
1130W（Tc）(2)
565W（Tc）(2)
1.8W（Ta），143W（Tc）(1)
1.8W（Ta），200W（Tc）(1)
416W（Tc）(4)
5.4W（Ta），83.3W（Tc）(2)
4W（Ta），70W（Tc）(1)
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12V(1)
150V(9)
20V(3)
80V(5)
200V(9)
75V(2)
300V(7)
100V(2)
40V(33)
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60V(9)
250V(3)
600V(24)
400V(2)
800V(8)
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1200V(2)
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 330W（Tc） D2PAK
型号：
STB270N4F3
仓库库存编号：
497-7944-1-ND
别名：497-7944-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50P04-09L-E3
仓库库存编号：
SUD50P04-09L-E3CT-ND
别名：SUD50P04-09L-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 34mA（Ta） 1.39W（Ta） SOT-23
型号：
AO3162
仓库库存编号：
785-1458-1-ND
别名：785-1458-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC016N04LS G
仓库库存编号：
BSC016N04LS GCT-ND
别名：BSC016N04LS GCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR494DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR494DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR494DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SQD50P06-15L_GE3
仓库库存编号：
SQD50P06-15L_GE3CT-ND
别名：SQD50P06-15L_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1404ZPBF
仓库库存编号：
IRF1404ZPBF-ND
别名：*IRF1404ZPBF
IRF1404Z-010PBF
IRF1404Z-010PBF-ND
SP001574476
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 72A（Tc） 375W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS4127TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS4127TRLPBFCT-ND
别名：IRFS4127TRLPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 16A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP350PBF
仓库库存编号：
IRFP350PBF-ND
别名：*IRFP350PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP450PBF
仓库库存编号：
IRFP450PBF-ND
别名：*IRFP450PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 390W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4332PBF
仓库库存编号：
IRFB4332PBF-ND
别名：SP001556040
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） D2PAK
型号：
SIHB33N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHB33N60E-GE3-ND
别名：SIHB33N60EGE3
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH52N30Q
仓库库存编号：
IXFH52N30Q-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 61A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN64N50P
仓库库存编号：
IXFN64N50P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1404ZSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF1404ZSTRLPBFCT-ND
别名：IRF1404ZSTRLPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7868ADP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7868ADP-T1-E3CT-ND
别名：SI7868ADP-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4127PBF
仓库库存编号：
IRFB4127PBF-ND
别名：SP001560212
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 57A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 57A（Tc） 360W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP4332PBF
仓库库存编号：
IRFP4332PBF-ND
别名：SP001578038
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 370W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP23N50LPBF
仓库库存编号：
IRFP23N50LPBF-ND
别名：*IRFP23N50LPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 17A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT17F100B
仓库库存编号：
APT17F100B-ND
别名：APT17F100BMI
APT17F100BMI-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 110A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 200W（Tc） TO-220
型号：
STP110N8F6
仓库库存编号：
497-16019-5-ND
别名：497-16019-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG33N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHG33N60E-GE3-ND
别名：SIHG33N60E-GE3CT
SIHG33N60E-GE3CT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 22A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 370W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP22N60KPBF
仓库库存编号：
IRFP22N60KPBF-ND
别名：*IRFP22N60KPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 46A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 120W（Tc） TO-247
型号：
R6046FNZ1C9
仓库库存编号：
R6046FNZ1C9-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 46A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 46A（Ta） 120W（Tc） TO-3PF
型号：
R6046FNZC8
仓库库存编号：
R6046FNZC8-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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